AOD11S60/AOI11S60
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=150°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
=5V,I
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A ，T
J
=25°
C
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A ，T
J
=150°
C
I
S
=5.5A,V
GS
= 0V ，T
J
=25°
民
600
650
-
-
-
2.8
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
700
-
10
-
3.5
0.35
0.98
0.84
-
-
545
37.3
30.8
93.6
1.42
16.5
11
2.8
3.8
20
20
59
20
250
21
3.3
最大
-
-
1
-
±100
4.1
0.399
1.11
-
11
45
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
A
nΑ
V
V
A
A
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
A
C
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
C
O（ TR ）
C
RSS
R
g
输出电容
有效输出电容，能量
相关
I
有效的输出电容，时间
相关
J
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0 480V ， F = 1MHz的
-
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=5.5A
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=5.5A,
R
G
=25
I
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
I
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
-
-
-
-
-
-
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
rm
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
峰值反向恢复电流
体二极管反向恢复电荷我
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设定上耗散更多的有用
C,
极限情况下，额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始的T
J
C,
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°
C.
H. L = 60mH ，我
AS
= 2A ，V
DD
= 150V ，起始物为
J
=25°
C
一。C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
J.
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
K.波峰焊只允许在引线。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
REV3 ： 2012年1月
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第2 7
AOD11S60/AOI11S60
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.6°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
0.01
单脉冲
T
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图13 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
120
12
额定电流我
D
(A)
25
75
100
125
T
例
(°C)
图14 ：雪崩能量
50
150
175
90
E
AS
（兆焦耳）
9
60
6
30
3
0
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
图15 ：电流降评级（注二）
25
50
150
REV3 ： 2012年1月
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第5页第7
AOD11S60/AOI11S60
600V 11A
α
MOS
TM
功率晶体管
概述
采用先进的AOD11S60 & AOI11S60已制作
αMOS
TM
高压过程，是
设计用于提供在开关应用高水平的性能和鲁棒性。
通过提供低R
DS （ ON）
, Q
g
与ê
OSS
随着雪崩能力保证这些部件可以
通过迅速进入新的和现有的离线电源设计。
特点
V
DS
@ T
， MAX
I
DM
R
DS （ ON） ，最大
Q
克，典型值
E
OSS
@ 400V
700V
45A
0.399
11nC
2.7J
D
G
S
C
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
H
C
最大
600
±30
11
8.5
45
2
60
120
208
1.67
100
20
-55到150
300
典型
45
--
0.45
最大
55
0.5
0.6
单位
V
V
A
A
mJ
mJ
W
W/
o
C
V / ns的
°
C
°
C
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
T
L
符号
R
θJA
R
θCS
D，F
重复性雪崩能量
单脉冲雪崩能量
T
C
=25°
C
B
功耗
减免上述25
o
C
MOSFET的dv / dt坚固
峰值二极管恢复的dv / dt
结温和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 8"分之1从案例5秒
K
热特性
参数
最大结点到环境
A，D
最大外壳到散热器
A
最大结到外壳
R
θJC
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AOD11S60/AOI11S60
600V 11A
α
MOS
TM
功率晶体管
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
静态参数
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
二极管的正向电压
最大体二极管脉冲电流
C
参数
条件
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°
C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°
V
DS
=600V, V
GS
=0V
V
DS
= 480V ，T
J
=150°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
=5V,I
D
=250A
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A ，T
J
=25°
C
V
GS
= 10V ，我
D
= 3.8A ，T
J
=150°
C
I
S
=5.5A,V
GS
= 0V ，T
J
=25°
民
600
650
-
-
-
2.8
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值
-
700
-
10
-
3.5
0.35
0.98
0.84
-
-
545
37.3
30.8
93.6
1.42
16.5
11
2.8
3.8
20
20
59
20
250
21
3.3
最大
-
-
1
-
±100
4.1
0.399
1.11
-
11
45
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
V
A
nΑ
V
V
A
A
pF
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
A
C
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
O（ ER ）
C
O（ TR ）
C
RSS
R
g
输出电容
有效输出电容，能量
相关
I
有效的输出电容，时间
相关
J
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0 480V ， F = 1MHz的
-
V
GS
=0V, V
DS
= 100V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 480V ，我
D
=5.5A
-
-
-
V
GS
=10V, V
DS
= 400V ，我
D
=5.5A,
R
G
=25
I
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
I
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
-
-
-
-
-
-
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
I
rm
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
峰值反向恢复电流
体二极管反向恢复电荷我
F
=5.5A,dI/dt=100A/s,V
DS
=400V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°
C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150使用结到外壳的热阻°，并且是在设定上耗散更多的有用
C,
极限情况下，额外的散热使用。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°
C.
H. L = 60mH ，我
AS
= 2A ，V
DD
= 150V ，起始物为
J
=25°
C
一。C
O（ ER ）
是一个固定的电容，给相同的存储的能量为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
J.
O（ TR ）
是一个固定的电容，赋予相同的充电时间为C
OSS
而V
DS
上升，从0至80 ％的V
（ BR ） DSS 。
K.波峰焊只允许在引线。
2/7
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AOD11S60/AOI11S60
600V 11A
α
MOS
TM
功率晶体管
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=0.6°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
0.01
单脉冲
T
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图13 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
120
12
额定电流我
D
(A)
25
75
100
125
T
例
(°C)
图14 ：雪崩能量
50
150
175
90
E
AS
（兆焦耳）
9
60
6
30
3
0
0
0
75
100
125
T
例
(°C)
图15 ：电流降评级（注二）
25
50
150
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