AOD604
N沟道MOSFET的电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
30
25
39
34
25
0.76
1
8
404
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
95
37
2.7
9.2
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=8A
4.5
1.6
2.6
3.5
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的
6
13.2
3.5
22.9
18.3
33
52
47
2.3
民
40
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的具体的电路板设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
版本1 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD604
N沟道MOSFET的典型电气和热性能
700
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
100
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
1.0
DC
40
0
0.0001
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=7.5°C/W
1
100s
功率（W）的
120
80
0
0
5
20
25
30
35
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
15
40
V
DS
=20V
I
D
=8A
电容（pF）
600
500
400
300
200
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
200
160
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD604
N沟道MOSFET的典型电气和热性能
10
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
8
6
4
2
0
0.00001
T
A
=25°C
功耗（ W）
0.001
25
20
15
10
5
0
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
10
8
功率（W）的
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
50
T
A
=25°C
40
30
20
10
0
0.001
额定电流我
D
(A)
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
T
100
1000
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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N沟道MOSFET的电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
30
25
39
34
25
0.76
1
8
404
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
95
37
2.7
9.2
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=8A
4.5
1.6
2.6
3.5
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的
6
13.2
3.5
22.9
18.3
33
52
47
2.3
民
40
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的具体的电路板设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
版本1 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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N沟道MOSFET的典型电气和热性能
700
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
100
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
1.0
DC
40
0
0.0001
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=7.5°C/W
1
100s
功率（W）的
120
80
0
0
5
20
25
30
35
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
15
40
V
DS
=20V
I
D
=8A
电容（pF）
600
500
400
300
200
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
200
160
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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N沟道MOSFET的典型电气和热性能
10
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
8
6
4
2
0
0.00001
T
A
=25°C
功耗（ W）
0.001
25
20
15
10
5
0
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
10
8
功率（W）的
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
50
T
A
=25°C
40
30
20
10
0
0.001
额定电流我
D
(A)
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
T
100
1000
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
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脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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