AOD603
互补增强型场效应晶体管
概述
本AOD603采用先进沟道技术
MOSFET，以提供优秀的研发
DS （ ON）
和低门
费。所述互补的MOSFET ，可以使用
在H桥，逆变器和其他应用程序。
标准产品AOD603是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AOD603L是绿色
产品订购选项。 AOD603和AOD603L是
电相同。
TO-252
D- PAK
特点
N沟道
P沟道
-60V
V
DS
(V) = 60V
I
D
= 12A （V
GS
=10V)
-12A
(V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
<的60mΩ （V
GS
=10V)
< 115米
(V
GS
=- 10V)
< 150米
(V
GS
=
-4.5V)
< 85mΩ （V
GS
=4.5V)
D2
D1
顶视图
漏极连接到
TAB
G2
S2
G1
S1
N沟道
S1 G1的D1 / D2 G2 S2中
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
60
漏源电压
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大的p沟道
-60
±20
-12
-10
-30
-12
23
37.5
18.8
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
12
12
30
12
23
20
10
2
1.3
-55至175
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性： n沟道和p沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
B
稳态
最大结到外壳
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结到外壳
B
符号
R
θJA
R
θJC
R
θJA
R
θJC
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
典型值
17.4
50
4
16.7
40
2.5
最大
30
60
7.5
25
50
4
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD603
N沟道MOSFET的电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=12A
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
T
J
=125°C
1
30
47
85
67
14
0.74
1
12
450
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
61
27
1.35
7.5
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=12A
3.8
1.2
1.9
4.2
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
3.4
16
2
27.6
30
35
2
10
5
540
85
60
2.4
民
60
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，并在最高温度
of
175℃下也可以使用，如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
转2 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD603
N沟道MOSFET的典型电气和热性能
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
200
10s
100s
功率（W）的
1ms
10ms
1.0
DC
160
120
80
40
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
V
DS
=30V
I
D
=12A
电容（pF）
700
600
500
400
300
200
100
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
国际空间站
C
RSS
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
I
D
（安培）
10.0
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=7.5°C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
10
100
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD603
N沟道MOSFET的典型电气和热性能
14
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
功耗（ W）
0.001
12
10
8
6
4
2
0
0.00001
25
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
20
15
10
5
0
T
A
=25°C
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
175
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
14
12
额定电流我
D
(A)
10
50
40
功率（W）的
T
A
=25°C
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
10
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.01
0.1
1
10
T
100
1000
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD603
互补增强型场效应晶体管
概述
本AOD603采用先进沟道技术
MOSFET，以提供优秀的研发
DS （ ON）
和低门
费。所述互补的MOSFET ，可以使用
在H桥，逆变器和其他应用程序。
标准产品AOD603是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AOD603L是绿色
产品订购选项。 AOD603和AOD603L是
电相同。
TO-252
D- PAK
特点
N沟道
P沟道
-60V
V
DS
(V) = 60V
I
D
= 12A （V
GS
=10V)
-12A
(V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
<的60mΩ （V
GS
=10V)
< 115米
(V
GS
=- 10V)
< 150米
(V
GS
=
-4.5V)
< 85mΩ （V
GS
=4.5V)
D2
D1
顶视图
漏极连接到
TAB
G2
S2
G1
S1
N沟道
S1 G1的D1 / D2 G2 S2中
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
60
漏源电压
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大的p沟道
-60
±20
-12
-10
-30
-12
23
37.5
18.8
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
12
12
30
12
23
20
10
2
1.3
-55至175
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性： n沟道和p沟道
参数
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
B
稳态
最大结到外壳
t
≤
10s
最大结点到环境
A
A
稳态
最大结点到环境
稳态
最大结到外壳
B
符号
R
θJA
R
θJC
R
θJA
R
θJC
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
典型值
17.4
50
4
16.7
40
2.5
最大
30
60
7.5
25
50
4
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD603
N沟道MOSFET的电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=12A
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=12A
T
J
=125°C
1
30
47
85
67
14
0.74
1
12
450
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
61
27
1.35
7.5
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=12A
3.8
1.2
1.9
4.2
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
3.4
16
2
27.6
30
35
2
10
5
540
85
60
2.4
民
60
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 12A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，并在最高温度
of
175℃下也可以使用，如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
转2 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD603
N沟道MOSFET的典型电气和热性能
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
200
10s
100s
功率（W）的
1ms
10ms
1.0
DC
160
120
80
40
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
V
DS
=30V
I
D
=12A
电容（pF）
700
600
500
400
300
200
100
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
国际空间站
C
RSS
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
I
D
（安培）
10.0
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=7.5°C/W
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
T
10
100
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD603
N沟道MOSFET的典型电气和热性能
14
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
功耗（ W）
0.001
12
10
8
6
4
2
0
0.00001
25
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
20
15
10
5
0
T
A
=25°C
0.0001
0
25
50
75
100
125
150
175
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
14
12
额定电流我
D
(A)
10
50
40
功率（W）的
T
A
=25°C
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
10
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.01
0.1
1
10
T
100
1000
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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