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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第537页 > AOD460
AOD460
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD460采用先进的沟槽技术和
设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。此装置适用于在PWM时,负载的使用
开关和一般用途的应用。
标准
产品AOD460是无铅的(符合ROHS &索尼
259规格) 。 AOD460L是一种绿色产品
订购选项。 AOD460和AOD460L是
电相同。
TO-252
D- PAK
特点
V
DS
(V) = 25V
I
D
= 25 A(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 14毫欧(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 24毫欧(V
GS
= 4.5V)
D
顶视图
漏极连接到
TAB
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
25
±20
25
25
70
20
20
30
15
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
重复雪崩能量0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
41
3.6
最大
20
50
5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD460
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ,V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
I
S
= 1A ,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
70
11.5
17.7
19.2
18.9
0.74
1
25
830
V
GS
=0V, V
DS
= 12.5V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
224
127
0.93
15.3
V
GS
=10V, V
DS
= 12.5V ,我
D
=20A
7.4
2.7
4.3
8
V
GS
=10V, V
DS
=12.5V,
R
L
=0.625, R
=3
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
11.7
30
11
23.5
12.8
30
1.5
19
9
1000
24
14
1.8
25
1
5
100
2.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的具体的电路板设计,和175℃的最高温度,可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设一个
的T最大结温
J(下最大)
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
第2版: 2005年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD460
典型的电气和热特性
80
10V
60
I
D
(A)
6V
4.5V
I
D
(A)
40
20
25°C
10
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
25
V
GS
=4.5V
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
30
125°C
40
V
DS
=5V
20
1.6
归一化的导通电阻
V
GS
= 10V , 20A
1.4
20
R
DS ( ON)
(m
)
15
1.2
V
GS
=4.5V,20A
1
10
V
GS
=10V
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.8
0
25
50
75
100
125
150
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
40
35
30
25
20
15
10
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
I
S
(A)
I
D
=20A
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
125°C
R
DS ( ON)
(m
)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
25°C
125°C
25°C
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD460
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
100
R
DS ( ON)
有限
10
I
D
(安培)
DC
1ms
10s
100s
功率(W)的
160
120
80
40
T
J(下最大)
= 175 ° C,T
A
=25°C
0.1
0.1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置
安全工作区(注五)
1
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
T
J(下最大)
=175°C
T
A
=25°C
V
DS
=12.5V
I
D
=20A
1400
1200
电容(pF)
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
200
1
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
0.01
T
10
100
单脉冲
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD460
典型的电气和热特性
30
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
25
20
15
10
5
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
T
A
=25°C
35
功耗( W)
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
30
25
额定电流我
D
(A)
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
50
40
功率(W)的
30
20
10
0
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
T
A
=25°C
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
P
D
T
on
0.01
单脉冲
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图16 :归最大瞬态热阻抗(注高)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD460
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD460采用先进的沟槽技术和
设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。此装置适用于在PWM时,负载的使用
开关和一般用途的应用。
标准
产品AOD460是无铅的(符合ROHS &索尼
259规格) 。 AOD460L是一种绿色产品
订购选项。 AOD460和AOD460L是
电相同。
TO-252
D- PAK
特点
V
DS
(V) = 25V
I
D
= 25 A(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 14毫欧(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 24毫欧(V
GS
= 4.5V)
D
顶视图
漏极连接到
TAB
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
25
±20
25
25
70
20
20
30
15
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
重复雪崩能量0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
41
3.6
最大
20
50
5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD460
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ,V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
I
S
= 1A ,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
70
11.5
17.7
19.2
18.9
0.74
1
25
830
V
GS
=0V, V
DS
= 12.5V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
224
127
0.93
15.3
V
GS
=10V, V
DS
= 12.5V ,我
D
=20A
7.4
2.7
4.3
8
V
GS
=10V, V
DS
=12.5V,
R
L
=0.625, R
=3
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
11.7
30
11
23.5
12.8
30
1.5
19
9
1000
24
14
1.8
25
1
5
100
2.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的具体的电路板设计,和175℃的最高温度,可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设一个
的T最大结温
J(下最大)
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
第2版: 2005年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD460
典型的电气和热特性
80
10V
60
I
D
(A)
6V
4.5V
I
D
(A)
40
20
25°C
10
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
25
V
GS
=4.5V
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
30
125°C
40
V
DS
=5V
20
1.6
归一化的导通电阻
V
GS
= 10V , 20A
1.4
20
R
DS ( ON)
(m
)
15
1.2
V
GS
=4.5V,20A
1
10
V
GS
=10V
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.8
0
25
50
75
100
125
150
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
40
35
30
25
20
15
10
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
I
S
(A)
I
D
=20A
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
125°C
R
DS ( ON)
(m
)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
25°C
125°C
25°C
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD460
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
100
R
DS ( ON)
有限
10
I
D
(安培)
DC
1ms
10s
100s
功率(W)的
160
120
80
40
T
J(下最大)
= 175 ° C,T
A
=25°C
0.1
0.1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置
安全工作区(注五)
1
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
T
J(下最大)
=175°C
T
A
=25°C
V
DS
=12.5V
I
D
=20A
1400
1200
电容(pF)
1000
800
600
400
200
0
0
5
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
200
1
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
0.01
T
10
100
单脉冲
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD460
典型的电气和热特性
30
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
25
20
15
10
5
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
T
A
=25°C
35
功耗( W)
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
30
25
额定电流我
D
(A)
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
50
40
功率(W)的
30
20
10
0
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
T
A
=25°C
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
P
D
T
on
0.01
单脉冲
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图16 :归最大瞬态热阻抗(注高)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD460
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD460采用先进的沟槽技术和
设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。此装置适用于在PWM时,负载的使用
开关和一般用途的应用。
-RoHS标准
卤素免费*
TO-252
D- PAK
特点
V
DS
(V) = 25V
I
D
= 25 A(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 14毫欧(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 24毫欧(V
GS
= 4.5V)
100 % UIS测试!
100 %通过Rg测试!
顶视图
D
底部视图
D
G
S
G
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
25
±20
25
20
70
20
20
30
15
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
41
3.6
最大
20
50
5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AOD460
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ,V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
I
S
= 1A ,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1
70
11.5
17.7
19.2
18.9
0.74
1
25
830
V
GS
=0V, V
DS
= 12.5V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
224
127
0.93
15.3
V
GS
=10V, V
DS
= 12.5V ,我
D
=20A
7.4
2.7
4.3
8
V
GS
=10V, V
DS
=12.5V,
R
L
=0.625, R
=3
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
11.7
30
11
23.5
12.8
30
1.5
19
9
1000
24
14
1.8
25
1
5
100
2.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于
用户的特定板的设计,和175℃的最高温度,可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下,额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设一个
的T最大结温
J(下最大)
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
*此设备是保证数据的代码8X11 ( 9月1日之后的绿色
ST
2008).
启3 : 2008年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
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AOD460
典型的电气和热特性
80
10V
60
I
D
(A)
6V
4.5V
I
D
(A)
40
20
25°C
20
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
10
30
125°C
40
V
DS
=5V
25
归一化的导通电阻
V
GS
=4.5V
20
R
DS ( ON)
(m
)
1.6
V
GS
= 10V , 20A
1.4
15
1.2
V
GS
=4.5V,20A
1
10
V
GS
=10V
5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.8
0
25
50
75
100
125
150
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
40
35
30
25
20
15
10
2.00
I
S
(A)
I
D
=20A
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
125°C
R
DS ( ON)
(m
)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
25°C
125°C
25°C
1.0E-05
0.0
4.00
6.00
8.00
10.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
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典型的电气和热特性
10
V
DS
=12.5V
I
D
=20A
1400
1200
电容(pF)
1000
800
600
400
200
C
RSS
0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
100
R
DS ( ON)
有限
10
I
D
(安培)
DC
1ms
10s
100s
功率(W)的
160
120
80
40
T
J(下最大)
= 175 ° C,T
C
=25°C
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
0
0.0001
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
0
5
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
OSS
C
国际空间站
8
V
GS
(伏)
6
4
2
200
1
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
P
D
T
on
T
10
100
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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典型的电气和热特性
30
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
25
20
15
10
5
0.00001
T
A
=25°C
35
功耗( W)
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
30
25
20
15
10
5
0
0.0001
0.001
0
25
50
75
100
125
150
175
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
30
25
额定电流我
D
(A)
20
15
10
5
0
0
25
75
100
125
150
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
50
175
50
T
A
=25°C
40
功率(W)的
30
20
10
0
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
P
D
T
on
0.01
单脉冲
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图16 :归最大瞬态热阻抗(注高)
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
AOD460
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联系人:李先生
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联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
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联系人:陈泽强
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:朱咸华
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联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
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