AOD458
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD458采用先进的沟槽技术和
设计，提供优秀的研发
DS （ ON）
低门
费。此装置适用于在PWM时，负载的使用
开关和一般用途的应用。标准
产品
AOD458是Pb-free （符合ROHS &索尼
259规格） 。 AOD458L是一种绿色产品
订购选项。 AOD458和AOD458L是
电相同。
TO-252
D- PAK
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 85A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 4MΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 5mΩ的（V
GS
= 4.5V)
193
18
D
顶视图
漏极连接到
TAB
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
30
±12
85
60
200
45
330
50
25
2.7
1.9
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
G
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
44
1.8
最大
20
55
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD458
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
1
100
3.2
5
3.8
107
0.72
1
50
5750
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
640
370
0.4
41
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，ID = 20A
18
10
13.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
14
58
13.5
39
39
19
20
80
19
55
1
7500
4
6
5
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
m
1.7
民
30
0.002
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的具体的电路板设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV0 ： 2005年11月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD458
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
C
=25°C
10s
100
功率（W）的
I
D
（安培）
100s
10
R
DS （ ON）
有限
1
DC
1ms
V
DS
=15V
I
D
=20A
9000
8000
7000
电容（pF）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
25
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
4.63
494
692
593
830
193
18
200
160
120
80
40
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注五）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
10
100
0.001
59
0.1
142
脉冲宽度（S ）
0.01
1
10
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD458
典型的电气和热特性
100
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0.0001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
0.001
T
A
=25°C
功耗（ W）
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
4.63
494
692
593
830
100
80
额定电流我
D
(A)
功率（W）的
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
50
40
30
20
10
0
0.01
193
18
T
A
=25°C
Tj=150°C
0.1
1
59
142
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
0.01
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
0.001
0.00001
T
100
1000
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD458
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD458采用先进的沟槽技术和
设计，提供优秀的研发
DS （ ON）
低门
费。此装置适用于在PWM时，负载的使用
开关和一般用途的应用。标准
产品
AOD458是Pb-free （符合ROHS &索尼
259规格） 。 AOD458L是一种绿色产品
订购选项。 AOD458和AOD458L是
电相同。
TO-252
D- PAK
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 85A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 4MΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 5mΩ的（V
GS
= 4.5V)
193
18
D
顶视图
漏极连接到
TAB
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
30
±12
85
60
200
45
330
50
25
2.7
1.9
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
G
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
15
44
1.8
最大
20
55
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD458
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250uA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
1
100
3.2
5
3.8
107
0.72
1
50
5750
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
640
370
0.4
41
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，ID = 20A
18
10
13.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
14
58
13.5
39
39
19
20
80
19
55
1
7500
4
6
5
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
m
1.7
民
30
0.002
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的具体的电路板设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV0 ： 2005年11月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD458
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
C
=25°C
10s
100
功率（W）的
I
D
（安培）
100s
10
R
DS （ ON）
有限
1
DC
1ms
V
DS
=15V
I
D
=20A
9000
8000
7000
电容（pF）
6000
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
25
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
4.63
494
692
593
830
193
18
200
160
120
80
40
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注五）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
10
100
0.001
59
0.1
142
脉冲宽度（S ）
0.01
1
10
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD458
典型的电气和热特性
100
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0.0001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
0.001
T
A
=25°C
功耗（ W）
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
4.63
494
692
593
830
100
80
额定电流我
D
(A)
功率（W）的
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
50
40
30
20
10
0
0.01
193
18
T
A
=25°C
Tj=150°C
0.1
1
59
142
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
0.01
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
0.001
0.00001
T
100
1000
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD458
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
静态参数
BV
DSS
BV
DSS
/ ΔTJ
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
I
SM
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
静态漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=25°C
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V ，T
J
=150°C
ID = 250μA ， VGS = 0V
V
DS
=250V, V
GS
=0V
V
DS
= 200V ，T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
=±30V
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
V
DS
= 40V ，我
D
=7A
I
S
=1A,V
GS
=0V
3
3.8
0.22
10
0.74
1
14
32
505
V
GS
=0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
70
3
1.3
9
V
GS
=10V, V
DS
= 200V ，我
D
=14A
637
104
7.1
2.6
12
3.8
4.6
21
V
GS
=10V, V
DS
= 125V ，我
D
=14A,
R
G
=25
I
F
=14A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
120
1
58
29
33
150
1.24
180
1.5
770
140
12
3.9
15
250
300
0.27
1
10
±100
4.5
0.28
V
o
V / C
参数
条件
民
典型值
最大
单位
A
nΑ
V
S
V
A
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
C
最大体二极管连续电流
最大体二极管脉冲电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
=14A,dI/dt=100A/s,V
DS
=100V
的R A的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175 ℃，在一个TO252封装，使用结到外壳的热阻，并且是在环境更有益
上功耗限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗ANCE ，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.These测试与安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
H. L = 60mH ，我
AS
= 3.4A ，V
DD
= 150V ，R
G
= 10Ω ，起始物为
J
=25°C
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
REV0 ： 2011年4月
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第2 6
AOD458
典型的电气和热特性
15
V
DS
=200V
I
D
=14A
电容（pF）
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
100
C
RSS
12
V
GS
（伏）
9
6
3
10
0
0
12
16
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
8
20
1
0.1
10
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1
100
100
10s
10
I
D
（安培）
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
800
600
100s
1ms
10ms
DC
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1
400
0.1
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
1
10
V
DS
（伏）
200
0.01
100
1000
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
1
10
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
REV0 ： 2011年4月
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第4 6
AOD458
典型的电气和热特性
180
150
120
90
60
30
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图12 ：功率降容（注二）
额定电流我
D
(A)
15
12
9
6
3
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：电流降评级（注二）
功耗（ W）
400
300
功率（W）的
T
A
=25°C
200
100
0
0.01
0.1
10
100
脉冲宽度（S ）
图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注七）
1
1000
10
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
0.1
0.01
P
D
T
on
0.001
单脉冲
0.0001
0.0001
T
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度（S ）
图15 ：归最大瞬态热阻抗（注G）
REV0 ： 2011年4月
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