AOD442 。 AOD442L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
4.5
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
1
60
16
31
20
5.6
0.74
1
4
1920
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
155
116
0.65
47.6
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=20A
24.2
6
14.4
7.4
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
5.1
28.2
5.5
34
46
41
0.8
68
30
2300
25
20
2.1
民
60
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用的值依赖于
用户的具体的电路板设计，并且最高温度FO 175℃下也可以使用，如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T = 25 ℃。国家海洋局
A
曲线提供了单个脉冲的评价。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD442 。 AOD442L
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=30V
I
D
=20A
电容（pF）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
DC
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
10s
功率（W）的
800
I
D
（安培）
10.0
600
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
400
1.0
200
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
100
0
1E-05 1E-04 0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
例
（注六）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
c
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD442 ， AOD442L
典型的电气和热特性
60
I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
50
40
30
20
10
0
0.00001
80
功耗（ W）
0.001
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
60
40
T
A
=25°C
20
0.0001
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
50
40
50
40
功率（W）的
30
20
10
0
0.001
T
A
=25°C
额定电流我
D
(A)
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD442/AOI442
60V N沟道MOSFET
概述
该AOD442 / AOI442使用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。那些
设备适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 4.5V)
60V
37A
＆ LT ; 20MΩ
< 25MΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
TO252
DPAK
顶视图
D
D
底部视图
顶视图
TO-251A
IPAK
D
底部视图
D
G
S
D
G
S
D
G
S
S
G
S
G
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
C
C
最大
60
±20
37
26
60
7
5
30
45
60
30
2.1
1.3
-55至175
单位
V
V
A
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
A
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
AD
最大结点到环境
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
17.4
51
1.8
最大
25
60
2.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
冯0 ： 2009年8月
www.aosmd.com
第1页6
AOD442/AOI442
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
1535
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
108
70
0.3
38
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=20A
20
4.8
8.5
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
2
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
民
60
典型值
最大
单位
V
1
5
100
1.6
60
16
31
20
65
0.7
1
32
1920
155
116
0.65
47.6
24.2
6
14.4
7.4
5.1
28.2
5.5
34
46
41
2300
200
165
0.8
68
30
7
20
20
37
25
2.1
2.7
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
用户的具体的电路板设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2009年8月
www.aosmd.com
第2 6
AOD442/AOI442
典型的电气和热特性
10
V
DS
=30V
I
D
=20A
电容（pF）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
30
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
20
50
0
30
40
50
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
20
60
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
10s
功率（W）的
200
160
120
80
40
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
R
DS （ ON）
有限
DC
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
10s
100s
1ms
10ms
17
5
2
10
0.1
1
10
V
DS
（伏）
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
0.01
0.1
1
10
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=2.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
1
0.1
P
D
T
on
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
T
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2009年8月
www.aosmd.com
第4 6
AOD442/AOI442
典型的电气和热特性
100
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
T
A
=25°C
T
A
=100°C
功耗（ W）
60
80
T
A
=150°C
10
T
A
=125°C
40
37A
20
1
1
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
（注三）
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注F）
50
40
额定电流我
D
(A)
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注F）
10000
T
A
=25°C
1000
100
17
5
2
10
功率（W）的
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
0
18
1000
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=60°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
40
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
T
100
1000
0.01
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
冯0 ： 2009年8月
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分页： 5 6
飞思卡尔
AOD442 / MCD442
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
A
o
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 20 V
范围
单位
最小典型最大
1.0
±100
o
V
nA
uA
A
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
1
25
34
38
50
22
1.1
12.5
2.4
2.6
11
8
19
6
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 30 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 26 A
V
DS
= 15 V，I
D
= 30 A
I
S
= 24 A，V
GS
= 0 V
m
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 30 A
nC
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25
, I
D
= 30 A,
V
根
= 10 V
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
飞思卡尔
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或保证对其产品是否适合任何特定用途，也不会引起应用程序的飞思卡尔assumeany责任或
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损害赔偿。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔的产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序在飞思卡尔产品的故障可能造成原位ATION人身伤害或死亡可能会发生。
如果买方购买或使用飞思卡尔的产品对任何s UCH意外或未经授权的应用，买家明堂赔偿并飞思卡尔及其
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索赔称，有关部分的设计或制造飞思卡尔是疏忽。飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
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