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AOD4286

100V N沟道MOSFET

概述

该AOD4286采用沟槽MOSFET技术，是

独特的优化，为客户提供最有效的高

高频开关性能。两者的传导和

开关功率损耗是由于最小化到一个

的R极低组合

DS （ ON）

，西塞和科斯。

该器件非常适合于升压转换器和同步

整流器消费，电信，工业电源

而LED背光源。

产品概述

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=10V)

DS （ ON）

（在V

=4.5V)

100V

14A

< 68mΩ

< 92mΩ

100 ％ UIS测试

TO252

DPAK

顶视图

底部视图

绝对最大额定值牛逼

= 25° ，除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

漏电流脉冲

连续漏极

当前

雪崩电流

雪崩能量L = 0.1mH

=25°

功耗

最大

100

±20

0.8

2.5

1.6

-55至175

单位

=25°

=100°

=25°

=70°

帝斯曼

, T

英镑

=100°

=25°

=70°

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A D

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

最大

单位

C / W

冯0 ： 2012年9月

www.aosmd.com

第1页6

AOD4286

电气特性（T

= 25℃除非另有说明）

符号

参数

条件

= 250μA ，V

=0V

=100V, V

=0V

=55°

=0V, V

=±20V

GS ，

=250A

=10V, V

=5V

= 10V ，我

=5A

DS （ ON）

静态漏源导通电阻

= 4.5V ，我

=3A

正向跨导

二极管的正向电压

= 5V ，我

=5A

=1A,V

=0V

=125°

1.7

55.5

104

72.5

0.76

390

=0V, V

= 50V ， F = 1MHz的

5.8

=10V, V

= 50V ，我

=5A

2.8

1.1

1.2

=10V, V

= 50V ，R

=10,

根

= 5A ，的di / dt = 500A / μs的

2.5

126

2.25

民

100

±100

2.9

典型值

最大

单位

静态参数

DSS

漏源击穿电压

DSS

GSS

GS （ TH）

D（上）

零栅极电压漏极电流

门体漏电流

栅极阈值电压

在国家漏极电流

最大体二极管连续电流

动力参数

输入电容

国际空间站

OSS

RSS

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

切换参数

（ 10V ）总栅极电荷

（ 4.5V ），总栅极电荷

D（上）

D（关闭）

门源电荷

闸漏极电荷

开启DelayTime

开启上升时间

关断DelayTime

关断下降时间

体二极管反向恢复时间

体二极管反向恢复电荷我

= 5A ，的di / dt = 500A / μs的

的R A的值

θJA

测量与安装在1英寸的设备

FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T

= 25°C 。该

功耗P

帝斯曼

是基于R

θJA

和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于

对用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。

B.功耗P

是以T

J（下最大）

= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用

散热限制的情况下额外的散热使用。

C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T

J（下最大）

= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持

初始的T

=25°C.

D.第r

θJA

是热阻抗的结到外壳R上的总和

θJC

和外壳到环境。

E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。

F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设

T的最高结温

J（下最大）

= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。

G.最大额定电流是有限的包。

H.这些测试使用安装在1设备中进行

FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T

=25°C.

本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键

生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任

OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，

性能和可靠性，恕不另行通知。

冯0 ： 2012年9月

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第2 6

AOD4286

典型的电气和热特性

10V

4.5V

(A)

3.5V

=3V

（伏）

图1 ：在区域特性（注五）

100

=4.5V

DS （ ON）

(m)

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和门

电压（注五）

归一化的导通电阻

（伏）

图2 ：传输特性（注五）

25°C

=5V

(A)

125°C

2.6

2.4

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

100

125

150

175

200

=10V

=5A

=10V

=3A

=4.5V

温度（ δ

图4 ：导通电阻与结温

（注五）

180

=5A

160

140

DS （ ON）

(m)

120

100

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

（注五）

25°C

125°C

(A)

1.0E+01

1.0E+00

1.0E-01

1.0E-02

1.0E-03

1.0E-04

1.0E-05

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

（伏）

图6 ：体二极管的特性（注五）

25°C

125°C

冯0 ： 2012年9月

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第3页6

AOD4286

典型的电气和热特性

=50V

=5A

电容（pF）

500

450

400

350

300

250

200

150

100

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

100.0

10s

功率（W）的

（伏）

图8 ：电容特性

100

RSS

OSS

国际空间站

（伏）

200

160

120

0.01

0.1

（伏）

100

1000

J（下最大）

=175°C

=25°C

10.0

（安培）

DS （ ON）

有限

1.0

100s

1ms

10ms

0.1

J（下最大）

=175°C

=25°C

0.0

0.0001 0.001

图9 ：最大正向偏置安全

工作区（注F）

脉冲宽度（S ）

图10 ：单脉冲功率额定值结点到

案例（注F）

0.01

0.1

100

归一化瞬时

热阻

D =吨

，PK

θJC

=5°C/W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

0.1

单脉冲

0.01

1E-05

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度（S ）

图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）

冯0 ： 2012年9月

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第4 6

AOD4286

典型的电气和热特性

功耗（ W）

额定电流我

(A)

100

125

150

例

(°

图12 ：功率降容（注F）

175

100

125

150

例

(°

图13 ：电流降评级（注F）

175

10000

1000

功率（W）的

=25°C

100

1E-05

0.001

0.1

脉冲宽度（S ）

图14 ：单脉冲功率额定值结到环境（注高）

1000

归一化瞬时

热阻

D =吨

，PK

θJA

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

θJA

=50°C/W

0.1

0.01

单脉冲

0.001

1E-05

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度（S ）

图15 ：归最大瞬态热阻抗（注高）

冯0 ： 2012年9月

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