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AOD425
P沟道增强型场效应晶体管
概述
本AOD425采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和超低栅极电荷
用25V的栅极评级。此装置适合于用作
负荷开关或PWM应用。该装置是静电
受保护的。
-RoHS标准
卤素免费*
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -20A (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 17mΩ (V
GS
= -10V)
R
DS ( ON)
< 35mΩ (V
GS
= -5V)
ESD保护!
100 %通过Rg测试!
顶视图
D
TO-252
D- PAK
底部视图
D
G
S
G
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
F
漏电流脉冲
C
最大
-30
±25
-40
-30
-70
-9
-7
50
25
2.3
1.5
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
连续泄油T
A
=25°C
T
A
=70°C
当前
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
I
帝斯曼
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
W
W
°C
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
18
44
2.4
最大
22
55
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AOD425
电气特性(T = 25° C除非另有说明)
J
符号
参数
条件
I
D
= -250uA ,V
GS
=0V
V
DS
=-30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-20A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -5V ,我
D
=-20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ,我
D
=-20A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
-1.5
-70
13.5
18.5
27
27
-0.72
-1
-40
1760
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
360
255
6.4
30
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,我
D
=-20A
11
7
8
11.5
V
GS
=-10V, V
DS
=-15V,
R
L
=0.75, R
=3
I
F
= -20A ,的di / dt = 100A / μs的
8
35
18.5
24
16
30
8
38
2200
17
24
35
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
m
-2.45
-30
-1
-5
±10
-3.5
典型值
最大
单位
V
A
uA
V
A
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -20A ,的di / dt = 100A / μs的
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸2 FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
基于t<10s
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的特定板的设计,并且可以使用175℃的最高温度,如果在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
1至6使用的是得到的图E的静特性<300我们脉冲,占空比0.5%以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设
T的最高结温
J(下最大)
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T = 25 ℃。
A
*此设备是保证数据的代码8X11 ( 9月1日之后的绿色
ST
2008).
REV1 : 2008年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOD425
典型的电气和热特性
70
60
50
I
D
(A)
40
30
20
10
0
0
2
3
4
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
1
5
-5V
-4.5V
5
V
GS
=-4V
0
2
2.5
3.5
4
4.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
3
5
25°C
15
I
D
(A)
25
-10V
V
DS
=-5V
125°C
20
10
40.0
1.8
I
D
=-20A
归一化的导通电阻
30.0
R
DS ( ON)
(m
)
V
GS
=-5V
20.0
1.6
V
GS
=-10V
1.4
1.2
V
GS
=-5V
10.0
V
GS
=-10V
0.0
0
5
10
15
20
25
1
0.8
0
50
100
150
200
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
1.0E+02
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
50
I
D
=-20A
40
125°C
R
DS ( ON)
(m
)
1.0E+01
1.0E+00
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
125°C
30
25°C
T
C
=100°C
20
T
A
=25°C
-55至175
10
25°C
0
0
5
10
15
20
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
0.0
0.4
0.6
0.8
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.2
1.0
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AOD425
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-20A
电容(pF)
2500
C
国际空间站
8
2000
V
GS
(伏)
6
1500
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
0
2
0
0
5
15
20
25
30
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
10
35
0
10
15
20
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
25
1000
100
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
R
DS ( ON)
有限
DC
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
10s
功率(W)的
100s
1ms
80
100
I
D
(安培)
10
60
1
10ms
0.1
40
0.01
0.01
1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
0.1
100
20
0.0001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
0.001
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
T
C
=100°C
T
A
=25°C
0.1
P
D
-55至175
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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AOD425
典型的电气和热特性
60
50
额定电流我
D
(A)
0
25
50
75
100
125
150
175
40
30
20
10
0
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
50
45
功耗( W)
40
35
30
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
100
80
功率(W)的
60
40
20
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图15 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注高)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
on
T
100
1000
10
脉冲宽度(S )
图16 :归最大瞬态热阻抗(注高)
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    联系人:杨小姐
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    -
    -
    -
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AOD425
AOS/万代
21+
18600
TO252
全新原装正品/质量有保证
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电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
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AOS/万代
24+
200000
优质供应商,支持样品配送。原装诚信
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电话:0755-83209630 82519391
联系人:许小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
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AOS
24+
11880
TO252
优势现货,只做原装正品
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TO252
全新原装现货热卖
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电话:0755-23919407
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
AOD425
AOS
17+
4550
TO-252-2
进口全新原装现货
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电话:13528893675
联系人:朱先生
地址:广东省深圳市福田区上步工业区201栋5楼B01室。 香港特別行政區中环皇后大道中5號衡怡大厦2432室
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AOS/万代
22+
10000███★★(保证原装)★★
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原装正品现货样品可售长期货源
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电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
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ALPHA
24+
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D2PAK
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
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9852
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电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
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原厂原装
20+
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电话:0755-22929859
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