AOD422 ， AOD422L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
T
J
=125°C
0.4
30
18
25
21
26
30
0.76
22
31
26
34
1
10
0.6
民
20
1
5
±1
±10
1
典型值
最大
单位
V
A
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 2.5V ，我
D
=8A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=5A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
最大体二极管连续电流
静态漏源导通电阻
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1160
187
146
1.5
16
0.8
3.8
6.2
12.7
51.7
16
17.6
6.5
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值取决于
对用户的特定板的设计，并在150℃的最高温度，可以使用如在PCB允许它。
B的功耗P被基于T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
D
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD422 ， AOD422L
典型的电气和热特性
2000
V
DS
=10V
I
D
=10A
电容（pF
)
1600
C
国际空间站
1200
800
400
0
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
0
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
60
50
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
10.0
40
功率（W）的
1ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10ms
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结到环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD422 ， AOD422L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
T
J
=125°C
0.4
30
18
25
21
26
30
0.76
22
31
26
34
1
10
0.6
民
20
1
5
±1
±10
1
典型值
最大
单位
V
A
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 2.5V ，我
D
=8A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=5A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
最大体二极管连续电流
静态漏源导通电阻
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1160
187
146
1.5
16
0.8
3.8
6.2
12.7
51.7
16
17.6
6.5
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=10A
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值取决于
对用户的特定板的设计，并在150℃的最高温度，可以使用如在PCB允许它。
B的功耗P被基于T
J（下最大）
= 150℃，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
D
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD422 ， AOD422L
典型的电气和热特性
2000
V
DS
=10V
I
D
=10A
电容（pF
)
1600
C
国际空间站
1200
800
400
0
0
5
10
15
20
0
5
10
15
20
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
0
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
60
50
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
10.0
40
功率（W）的
1ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10ms
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结到环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD422
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
= ±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=10A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=8A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
0.4
45
16
22
18
21
55
0.62
1
20
1035
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
110
50
0.9
1295
160
87
1.8
10
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=10A
4.2
2.6
280
V
GS
=10V, V
DS
= 10V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的，V
GS
=-9V
1in
2
民
20
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±1
±10
0.7
1.1
25
31
28
34
A
uA
uA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
Κ
nC
nC
nC
ns
ns
us
us
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
1650
210
125
2.7
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的，V
GS
=-9V
328
3.76
2.24
25
75
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持初始
T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个
的T最大结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
第5版： 2010年7月
www.aosmd.com
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AOD422
典型的电气和热特性
5
V
DS
=10V
I
D
=10A
4
电容（pF）
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
4
12
0
0
C
RSS
10
15
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
20
C
OSS
C
国际空间站
V
GS
（伏）
3
2
1
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10s
10000
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
10s
100s
1ms
10ms
功率（W）的
1000
R
DS （ ON）
DC
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
100
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
R
θJA
=50°C/W
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
第5版： 2010年7月
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第4 5
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