AOD414 ， AOD414L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
1.2
110
4.2
6
5.6
85
0.7
1
85
6060
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
638
355
0.45
96.4
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
46.4
13.6
15.6
15.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
14.2
55.5
14
31
24
21
21
75
21
38
29
0.6
115
55
7000
5.2
7.5
7
1.8
民
30
0.005
1
5
100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值取决于
对用户的特定板的设计，并在最高温度FO 175℃下也可以使用，如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
T
C
被限制
G.最大额定电流
=100°C
由包电流能力。
T
A
=25°C
-55至175
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414 ， AOD414L
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
8000
7000
6000
5000
4000
3000
C
OSS
2000
1000
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
RSS
C
国际空间站
1000
R
DS （ ON）
有限
100
I
D
（安培）
10ms
0.1s
10
1s
10s
1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
1ms
100s
功率（W）的
100
80
60
40
20
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
1
100
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
0.01
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
T
C
=100°C
T
A
=25°C
P
D
0.01
单脉冲
-55至175
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.001
0.01
100
1000
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电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
1.2
110
4.2
6
5.6
85
0.7
1
85
6060
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
638
355
0.45
96.4
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
46.4
13.6
15.6
15.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
14.2
55.5
14
31
24
21
21
75
21
38
29
0.6
115
55
7000
5.2
7.5
7
1.8
民
30
0.005
1
5
100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值取决于
对用户的特定板的设计，并在最高温度FO 175℃下也可以使用，如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
T
C
被限制
G.最大额定电流
=100°C
由包电流能力。
T
A
=25°C
-55至175
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414 ， AOD414L
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
8000
7000
6000
5000
4000
3000
C
OSS
2000
1000
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
RSS
C
国际空间站
1000
R
DS （ ON）
有限
100
I
D
（安培）
10ms
0.1s
10
1s
10s
1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
1ms
100s
功率（W）的
100
80
60
40
20
0
0.001
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
1
100
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
0.01
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
T
C
=100°C
T
A
=25°C
P
D
0.01
单脉冲
-55至175
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.001
0.01
100
1000
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