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启4 : 2004年11月
AOD414 , AOD414L (绿色产品)
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD414采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力
与体二极管的特性。此装置是理想
适合用作在CPU核心的低侧开关
功率转换。 AOD414L (绿色产品)是
在无铅封装。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 85A
R
DS ( ON)
< 5.2mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 7.0mΩ (V
GS
= 4.5V)
TO-252
D- PAK
D
顶视图
漏极连接
为制表
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
B,G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
最大
30
±20
85
73
200
30
140
100
50
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
G
B
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
14.2
40
0.56
最大
20
50
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414 , AOD414L
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
T
J
=125°C
1.2
110
4.2
6
5.6
85
0.7
1
85
6060
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
638
355
0.45
96.4
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=20A
46.4
13.6
15.6
15.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=0.75,
R
=3
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
14.2
55.5
14
31
24
21
21
75
21
38
29
0.6
115
55
7000
5.2
7.5
7
1.8
30
0.005
1
5
100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值取决于
对用户的特定板的设计,并在最高温度FO 175℃下也可以使用,如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下,额外的散热使用。它被用来确定额定电流,当该等级低于封装限制。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
T
C
被限制
G.最大额定电流
=100°C
由包电流能力。
T
A
=25°C
-55至175
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414 , AOD414L
典型的电气和热特性
60
50
40
I
D
(A)
30
20
10
0
0
2
3
4
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
1
5
10V
4.5V
3.5V
V
GS
=3V
40
I
D
(A)
125°C
30
20
10
0
1
1.5
2.5
3
3.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
2
4
25°C
60
50
V
DS
=5V
7.0
6.5
6.0
R
DS ( ON)
(m
)
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
12
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
1.8
归一化的导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
I
D
=20A
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
1.0E+02
1.0E+01
10
I
D
=20A
R
DS ( ON)
(m
)
8
125°C
1.0E+00
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
25°C
4
25°C
125°C
6
T
C
=100°C
T
A
=25°C
-55至175
1.0E-04
1.0E-05
2
4
6
8
10
0.0
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.2
0.4
1.2
1.0E-03
2
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414 , AOD414L
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容(pF)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
C
OSS
2000
1000
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
RSS
C
国际空间站
1000
R
DS ( ON)
有限
100
I
D
(安培)
10ms
0.1s
10
1s
10s
1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
1ms
100s
功率(W)的
100
80
60
40
20
0
0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
1
100
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
0.01
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
T
C
=100°C
T
A
=25°C
P
D
0.01
单脉冲
-55至175
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
0.001
0.01
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414 , AOD414L
典型的电气和热特性
100
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
T
A
=25°C
80
60
40
20
0
0.00001
120
功耗( W)
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
100
80
额定电流我
D
(A)
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
启4 : 2004年11月
AOD414 , AOD414L (绿色产品)
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD414采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力
与体二极管的特性。此装置是理想
适合用作在CPU核心的低侧开关
功率转换。 AOD414L (绿色产品)是
在无铅封装。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 85A
R
DS ( ON)
< 5.2mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 7.0mΩ (V
GS
= 4.5V)
TO-252
D- PAK
D
顶视图
漏极连接
为制表
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
B,G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
最大
30
±20
85
73
200
30
140
100
50
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
G
B
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
14.2
40
0.56
最大
20
50
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414 , AOD414L
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
T
J
=125°C
1.2
110
4.2
6
5.6
85
0.7
1
85
6060
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
638
355
0.45
96.4
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=20A
46.4
13.6
15.6
15.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=0.75,
R
=3
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
14.2
55.5
14
31
24
21
21
75
21
38
29
0.6
115
55
7000
5.2
7.5
7
1.8
30
0.005
1
5
100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值取决于
对用户的特定板的设计,并在最高温度FO 175℃下也可以使用,如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下,额外的散热使用。它被用来确定额定电流,当该等级低于封装限制。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
T
C
被限制
G.最大额定电流
=100°C
由包电流能力。
T
A
=25°C
-55至175
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414 , AOD414L
典型的电气和热特性
60
50
40
I
D
(A)
30
20
10
0
0
2
3
4
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
1
5
10V
4.5V
3.5V
V
GS
=3V
40
I
D
(A)
125°C
30
20
10
0
1
1.5
2.5
3
3.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
2
4
25°C
60
50
V
DS
=5V
7.0
6.5
6.0
R
DS ( ON)
(m
)
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
12
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
1.8
归一化的导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
I
D
=20A
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
1.0E+02
1.0E+01
10
I
D
=20A
R
DS ( ON)
(m
)
8
125°C
1.0E+00
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
25°C
4
25°C
125°C
6
T
C
=100°C
T
A
=25°C
-55至175
1.0E-04
1.0E-05
2
4
6
8
10
0.0
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.2
0.4
1.2
1.0E-03
2
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414 , AOD414L
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容(pF)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
C
OSS
2000
1000
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
RSS
C
国际空间站
1000
R
DS ( ON)
有限
100
I
D
(安培)
10ms
0.1s
10
1s
10s
1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
1ms
100s
功率(W)的
100
80
60
40
20
0
0.001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
10
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
1
100
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
0.01
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
T
C
=100°C
T
A
=25°C
P
D
0.01
单脉冲
-55至175
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
0.001
0.01
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414 , AOD414L
典型的电气和热特性
100
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
T
A
=25°C
80
60
40
20
0
0.00001
120
功耗( W)
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
100
80
额定电流我
D
(A)
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD414
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD414采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,直通免疫力
与体二极管的特性。此装置是理想
适合用作在CPU核心的低侧开关
功率转换。
-RoHS标准
卤素免费*
TO-252
D- PAK
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 85A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 5.2mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 7.0mΩ (V
GS
= 4.5V)
100 % UIS测试!
100 %通过Rg测试!
顶视图
D
底部视图
D
G
S
G
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
B,G
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
最大
30
±20
85
66
200
30
140
100
50
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°
C
V
GS
T
C
=25°
C
G
B
T
C
=100°
C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
14.2
40
0.56
最大
20
50
1.5
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOD414
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=20A
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ,我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.2
110
4.2
6
5.6
85
0.7
1
85
6060
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
0.2
638
355
0.45
96.4
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=20A
46.4
13.6
15.6
15.7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=0.75,
R
=3
I
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
14.2
55.5
14
31
24
21
21
75
21
38
29
497
0.6
115
55
7000
5.2
7.5
7
1.8
30
1
5
100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150°中的任何值所允许的最大结点温度给定
C.
应用程序依赖于用户的具体电路板设计,最高温度FO 175°可高墙,如果PCB或散热片允许的话。
C
C,
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175使用结到外壳的热阻°,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流,当该等级下降的包下面
极限。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
T
C
=100°
C
曲线提供了单个脉冲的评价。
T
A
=25°
C
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
*此设备是保证数据的代码8X11 ( 9月1日之后的绿色
ST
2008).
启8 : 2008年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
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AOD414
典型的电气和热特性
60
50
40
I
D
(A)
30
20
10
0
0
2
3
4
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
1
5
10V
4.5V
3.5V
V
GS
=3V
40
125°C
I
D
(A)
30
20
10
0
1
1.5
2.5
3
3.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
2
4
60
50
V
DS
=5V
25°C
7.0
6.5
6.0
R
DS ( ON)
(m
)
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
12
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
1.8
归一化的导通电阻
I
D
=20A
497
1.6
1.4
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
1.0E+02
1.0E+01
10
I
D
=20A
R
DS ( ON)
(m
)
8
125°C
1.0E+00
I
S
(A)
1.0E-01
1.0E-02
25°C
4
25°C
1.0E-03
1.0E-04
2
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
1.0E-05
0.0
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.2
0.4
1.2
125°C
T
C
=100°
C
6
T
A
=25°
C
-55至175
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AOD414
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
20
40
60
80
100
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容(pF)
8000
7000
6000
5000
4000
3000
C
OSS
2000
1000
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
C
RSS
C
国际空间站
1000
R
DS ( ON)
有限
100
I
D
(安培)
10ms
0.1s
10
1s
10s
1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
1ms
100s
功率(W)的
100
497
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
80
60
40
20
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
0
0.001
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
0.01
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
P
D
0.01
单脉冲
-55至175
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
0.001
0.01
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AOD414
典型的电气和热特性
100
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
T
A
=25°C
80
60
40
20
0
0.00001
120
100
80
60
40
20
0
0.0001
0.001
0.01
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
在雪崩时间t
A
(s)
图12 :单脉冲雪崩能力
100
功耗( W)
497
80
额定电流我
D
(A)
60
40
20
0
0
25
75
100
125
150
T
(°C)
图14 :电流降评级(注二)
50
175
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飞思卡尔
AOD414 / MCD414
N通道30 -V (D -S )的MOSFET
主要特点:
低R
DS ( ON)
沟槽技术
低热阻
开关速度快
典型应用:
白光LED升压转换器
- 汽车系统
工业DC / DC转换电路
产品概述
r
DS ( ON)
(mΩ)
V
DS
(V)
6 @ V
GS
= 10V
30
8 @ V
GS
= 4.5V
I
D
(A)
75
65
绝对最大额定值(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
极限
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
T
A
=25°C
I
D
75
连续漏电流
a
b
I
DM
漏电流脉冲
300
a
I
S
30
连续源电流(二极管传导)
a
T
A
=25°C
P
D
50
功耗
T
J
, T
英镑
-55至175
工作结存储温度范围
单位
V
A
A
W
°C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
最大结到外壳
符号最大
R
θJA
40
R
θJC
3
单位
° C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
www.freescale.net.cn
飞思卡尔
电气特性
参数
门源阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
漏源导通电阻
正向跨导
二极管的正向电压
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
符号
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
测试条件
STATIC
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±20 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55°C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 10 V
V
GS
= 10 V,I
D
= 20 A
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 18 A
V
DS
= 15 V,I
D
= 20 A
I
S
= 15 A,V
GS
= 0 V
动态
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 20 A
V
DS
= 15 V ,R
L
= 0.8 Ω,
I
D
= 20 A,
V
= 10 V ,R
= 6 Ω
1
AOD414 / MCD414
典型值
最大
单位
V
nA
uA
A
±100
1
25
120
6
8
20
0.84
20
7.3
11
10
13
51
21
1785
323
285
S
V
nC
ns
V
DS
= 15 V, V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
pF
笔记
一。脉冲测试: PW < = 300US占空比< = 2 % 。
B 。通过设计保证,不受生产测试。
FREESCALE保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。 FREESCALE不作任何保证,
表示
或有关的保证其产品适用于任何特定用途,也不飞思卡尔承担由此产生的任何法律责任
任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,
间接或附带损失。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同
在不同的应用和实际性能可能随时间变化。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个验证
客户的客户应用的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔
产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
拟申请支持或维持生命,或任何其他应用程序中,飞思卡尔产品的故障可能造成这样的局面
可能发生的人身伤害或死亡。如果买方购买或使用飞思卡尔产品的任何意外或未经授权的应用程序,
买方应赔偿并持有飞思卡尔及其高级人员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害对所有索赔,费用,
损失,费用和合理的律师费直接或间接引起的,造成人身伤害或死亡的任何索赔相关
与此类意外或未经授权的使用,即使此类索赔称,有关部分的设计或制造飞思卡尔是疏忽。
飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
www.freescale.net.cn
飞思卡尔
典型电气特性
0.03
RDS ( ON) - 导通电阻( Ω )
0.025
ID - 漏电流( A)
0.02
3.5V
0.015
4V
0.01
0.005
0
0
5
10
15
20
25
30
ID-漏电流( A)
30
TJ = 25°C
25
20
15
10
5
4.5V,6V,8V,10V
0
0
1
2
3
AOD414 / MCD414
4
5
6
VGS - 栅极至源极电压(V )
1.导通电阻与漏电流
0.03
RDS ( ON) - 导通电阻( Ω )
0.025
0.02
0.015
0.01
0.005
0
0
2
4
6
8
10
0.01
0.2
TJ = 25°C
I
D
= 20A
IS - 源电流( A)
10
100
2.传输特性
TJ = 25°C
1
0.1
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VGS - 栅极至源极电压(V )
VSD - 源极到漏极电压(V )
3.导通电阻与栅极至源极电压
30
10V,8V,6V,4.5V
25
ID - 漏电流( A)
20
15
10
5
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
VDS - 漏极至源极电压(V )
电容(pF)
2000
4V
3.5V
2500
4.漏 - 源正向电压
F = 1MHz的
西塞
1500
1000
科斯
500
CRSS
0
0
5
10
15
20
VDS漏 - 源极电压( V)
5.输出特性
3
6.电容
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典型电气特性
10
VGS栅 - 源极电压( V)
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
QG - 总栅极电荷( NC)
0.5
-50
-25
0
25
50
V
DS
= 15V
I
D
= 20A
2.5
RDS ( ON) - 导通电阻( Ω )
(归一化)
AOD414 / MCD414
2
1.5
1
75
100 125 150 175
TJ -JunctionTemperature ( ° C)
7.栅极电荷
1000
瞬态峰值功率( W)
10我们
100美
1毫秒
8.归一化导通电阻VS
结温
150
125
100
75
50
25
0
0.001
100
ID电流(A )
10
10毫秒
100毫秒
1秒
1
10秒
100秒
0.1
1
0.1
1
10
100
DC
IDM限制
RDS
0.01
VDS漏极至源极电压( V)
0.01
0.1
1
10
100
1000
T1时间(秒)
9.安全工作区
1
D = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
单脉冲
0.01
10.单脉冲最大功率耗散
R
θJA
(吨) = R(T) + R
θJA
R
θJA
= 40
°C
/W
P( PK)
t
1
t
2
T
J
- T
A
= P * R
θJA
(t)
占空比D = T
1
/ t
2
0.001
0.0001
0.001
0.01
0.1
T1时间(秒)
1
10
100
1000
11.归热瞬态结到环境
4
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包装信息
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注意:
1.所有尺寸以毫米为单位。
2.包装体尺排除毛边,突起或毛刺。模具闪光灯,突起或毛刺谈情
不超过0.10毫米每边。
立志在最极端的塑体独家模具闪光灯,门3.封装体尺寸
毛刺和引脚间,但包括的顶部和底部的塑体的不匹配。
5
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