AOD4130/AOI4130
60V N沟道MOSFET
概述
该AOD4130 / AOI4130结合了先进的沟槽
MOSFET技术的低电阻包
提供非常低R
DS （ ON）
。该器件非常适用于
升压转换器和同步整流器
消费，电信，工业电源和LED
背光。
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=4.5V)
60V
30A
< 24mΩ
30mΩ到<
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
TO252
DPAK
冠捷
底部视图
顶视图
TO-251A
IPAK
底部视图
D
D
D
D
G
S
D
S
G
G
D
S
S
D
G
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
符号
参数
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
60
±20
30
20
74
6.5
5
27
36.5
52
25
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12.4
34
2.4
最大
20
50
2.9
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
版本1 ： 2011年6月
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第1页6
AOD4130/AOI4130
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
60
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.6
74
19.5
T
J
=125°
C
37.5
24
55
0.76
1
46
1265
1582
100
67
3.6
28.3
13.4
4.5
7.2
7.5
6.5
33
7.5
15
53
22
76
30
100
1900
130
95
5.4
34
16
5.4
10
24
45
30
2.2
2.8
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
70
40
1.8
23
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
2
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=20A
11
3.6
4.3
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
对用户的特定板的设计，和175°的最大温度可以被使用，如果在PCB允许这样。
C
C,
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 °额定值基于低频和占空比，以保持
C.
初始的T
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 175 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°
C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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第2 6
AOD4130/AOI4130
典型的电气和热特性
10
V
DS
=30V
I
D
=20A
8
电容（pF）
2000
C
国际空间站
2500
V
GS
（伏）
6
1500
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
0
30
40
50
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
20
60
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
T
J（下最大）
=175°
C
T
C
=25°
C
R
DS （ ON）
有限
DC
10s
10s
功率（W）的
100s
1ms
500
400
300
200
100
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°
C
T
C
=25°
C
17
5
2
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
R
θJC
=2.9°
C / W
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
0.01
0.1
1
10
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
0.01
T
on
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
版本1 ： 2011年6月
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第4 6
AOD4130/AOI4130
典型的电气和热特性
100
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
T
A
=25°
C
50
T
A
=150°
C
T
A
=100°
C
功耗（ W）
40
30
20
10
10
1
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°
C)
图13 ：功率降容（注F）
60
T
A
=125°
C
35
30
额定电流我
D
(A)
10000
T
A
=25°
C
1000
25
功率（W）的
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
100
10
17
5
2
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0
18
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=50°
C / W
40
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
版本1 ： 2011年6月
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AOD4130/AOI4130
60V N沟道MOSFET
概述
该AOD4130 / AOI4130结合了先进的沟槽MOSFET技术，具有低电阻包
提供非常低R
DS （ ON）
。该器件非常适合于升压转换器和同步整流器
消费，电信，工业电源和LED背光。
特点
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=4.5V)
60V
30A
< 24mΩ
30mΩ到<
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
60
±20
30
20
74
6.5
5
27
36.5
52
25
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
C
T
C
=100°
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AS
, I
AR
E
AS
, E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
12.4
34
2.4
最大
20
50
2.9
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/6
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AOD4130/AOI4130
60V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
= 5V ，我
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
G
民
60
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.6
74
19.5
C
T
J
=125°
37.5
24
55
0.76
1
46
1265
1582
100
67
3.6
28.3
13.4
4.5
7.2
7.5
6.5
33
7.5
15
53
22
76
30
100
1900
130
95
5.4
34
16
5.4
10
24
45
30
2.2
2.8
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
70
40
1.8
23
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
2
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=20A
11
3.6
4.3
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温在任何给定应用的值取决于
C.
对用户的特定板的设计，和175°的最大温度可以被使用，如果在PCB允许这样。
C
C,
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175使用结到外壳的热阻°，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 °额定值基于低频和占空比，以保持
C.
初始的T
J
=25°
D.第r
θJA
是热阻抗的结到外壳R上的总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设T的最高结温
J（下最大）
= 175 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
G.最大额定电流是有限的包。
H.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°
C.
2/6
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AOD4130/AOI4130
60V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=30V
I
D
=20A
8
电容（pF）
2000
C
国际空间站
2500
V
GS
（伏）
6
1500
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
0
0
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
5
10
30
0
0
30
40
50
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10
20
60
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
T
J（下最大）
=175°
C
T
C
=25°
C
R
DS （ ON）
有限
DC
10s
10s
功率（W）的
100s
1ms
500
400
300
200
100
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°
C
T
C
=25°
C
17
5
2
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
1
R
θJC
=2.9°
C / W
0
脉冲宽度（S ）
18
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0.001
0.01
0.1
1
10
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
0.01
T
on
单脉冲
0.001
0.000001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
4/6
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60V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
100
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
T
A
=25°
C
50
T
A
=150°
C
T
A
=100°
C
功耗（ W）
40
30
20
10
10
1
10
100
1000
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
C)
T
例
(°
图13 ：功率降容（注F）
60
T
A
=125°
C
35
30
额定电流我
D
(A)
10000
T
A
=25°
C
1000
25
功率（W）的
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°
C)
图14 ：电流降评级（注F）
100
10
17
5
2
10
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0
18
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=50°
C / W
40
0.1
0.01
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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