【AOD4126/AOI4126100V N沟道MOSFETSDMOSTM概述该AOD4126&】,IC型号AOD4126,AOD4126 PDF资料,AOD4126经销商,ic,电子元器件-51电子网

AOD4126/AOI4126

100V N沟道MOSFET

SDMOS

TM

概述

该AOD4126&AOI4126均选用SDMOS

TM

沟槽技术，结合优秀的研发

DS （ ON）

同

低门charge.The成效卓著效率

控制的开关行为。这种普遍的技术是

非常适合于PWM ，负载开关和通用

应用程序。

产品概述

V

DS

I

D

（在V

GS

=10V)

R

DS （ ON）

（在V

GS

=10V)

R

DS （ ON）

（在V

GS

= 7V)

100V

43A

< 24mΩ

30mΩ到<

100 ％ UIS测试

100% R

g

经过测试

TO252

DPAK

顶视图

底部视图

D

顶视图

TO-251A

IPAK

D

底部视图

D

G

S

G

S

G

S

G

D

S

D

G

S

绝对最大额定值牛逼

A

= 25° ，除非另有说明

C

参数

符号

漏源电压

V

DS

栅源电压

连续漏极

当前

B

漏电流脉冲

连续漏极

当前

A

雪崩电流

C

雪崩能量L = 0.1mH

T

C

=25°

C

功耗

B

C

最大

100

±25

43

30

100

7.5

6

28

39

100

50

3

1.9

-55至175

单位

V

A

V

GS

T

C

=25°

C

T

C

=100°

C

T

A

=25°

T

A

=70°

C

I

D

I

DM

I

帝斯曼

I

AS

, I

AR

E

AS

, E

AR

P

D

P

帝斯曼

T

J

, T

英镑

A

mJ

W

°

C

T

C

=100°

T

A

=25°

C

T

A

=70°

C

A

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

A

最大结点到环境

A D

最大结到外壳

符号

t

≤

10s

稳态

R

θJA

R

θJC

典型值

8

35

1

最大

10

42

1.5

单位

°

C / W

°

C / W

°

C / W

REV1 ： 2012年5月

www.aosmd.com

第1页7

AOD4126/AOI4126

电气特性（T

J

= 25℃除非另有说明）

C

符号

参数

条件

I

D

= 250μA ，V

GS

=0V

V

DS

=100V, V

GS

=0V

C

T

J

=55°

V

DS

=0V, V

GS

= ±25V

V

DS

=V

GS

I

D

=250A

V

GS

=10V, V

DS

=5V

V

GS

= 10V ，我

D

=20A

R

DS （ ON）

g

FS

V

SD

I

S

静态漏源导通电阻

V

GS

= 7V ，我

D

=15A

正向跨导

二极管的正向电压

V

DS

= 5V ，我

D

=20A

I

S

=1A,V

GS

=0V

T

J

=125°

C

2

100

19

36

23.5

34

0.66

1

40

1400

V

GS

=0V, V

DS

= 50V ， F = 1MHz的

V

GS

=0V, V

DS

= 0V ， F = 1MHz的

115

33

0.3

14

V

GS

=10V, V

DS

= 50V ，我

D

=20A

4

6

V

GS

=10V, V

DS

= 50V ，R

L

=2.5,

R

根

=3

I

F

= 20A ，的di / dt = 500A / μs的

1in

2

民

100

典型值

最大

单位

V

静态参数

BV

DSS

漏源击穿电压

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

I

D（上）

零栅极电压漏极电流

门体漏电流

栅极阈值电压

在国家漏极电流

10

50

100

3.3

4

24

43

30

A

nA

V

A

m

S

V

A

pF

nC

ns

最大体二极管连续电流

1770

165

55

0.65

28

9

10

12

4

17

5

12

60

20

82

动力参数

C

国际空间站

输入电容

C

OSS

C

RSS

R

g

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

2200

214

80

1.0

42

14

切换参数

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

t

rr

Q

rr

门源电荷

闸漏极电荷

开启DelayTime

开启上升时间

关断DelayTime

关断下降时间

体二极管反向恢复时间

体二极管反向恢复电荷我

F

= 20A ，的di / dt = 500A / μs的

26

110

ns

nC

的R A的值

θJA

测与该设备安装在

FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T

A

= 25°C 。该

功耗P

帝斯曼

是基于R

θJA

和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于

对用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。

B.功耗P

D

是以T

J（下最大）

= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用

散热限制的情况下额外的散热使用。

C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T

J（下最大）

= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持

初始的T

J

=25°C.

D.第r

θJA

是热阻抗从结到外壳的R总和

θJC

和外壳到环境。

E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。

F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设

T的最高结温

J（下最大）

= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。

G.这些测试使用安装在1设备中进行

2

FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T

A

=25°C.

生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任

OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，

性能和可靠性，恕不另行通知。

版本1 ： 2012年5月

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第2 7

AOD4126/AOI4126

典型的电气和热特性

60

10V

8V

7V

50

40

I

D

(A)

6.5V

I

D

(A)

40

30

20

125°C

V

GS

=6V

10

0

1

2

3

4

5

3

4

5

6

7

V

GS

（伏）

图2 ：传输特性（注五）

25°C

60

V

DS

=5V

20

0

V

DS

（伏）

图1 ：在区域特性（注五）

30

27

V

GS

=7V

R

DS （ ON）

(m)

24

21

18

15

0

5

10

15

20

25

30

35

40

I

D

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和门

电压（注五）

V

GS

=10V

归一化的导通电阻

2.4

2.2

2

1.8

1.6

1.4

1.2

1

0.8

0

25

50

75

100

125

150

175

200

V

GS

=7V

I

D

=15A

V

GS

=10V

I

D

=20A

17

5

2

10

0

温度（ δ

C)

图4 ：导通电阻与结温

18

（注五）

50

I

D

=20A

40

R

DS （ ON）

(m)

125°C

30

I

S

(A)

1.0E+02

1.0E+01

1.0E+00

40

1.0E-01

1.0E-02

1.0E-03

25°C

125°C

20

25°C

10

6

7

8

9

10

V

GS

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

（注五）

1.0E-04

1.0E-05

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

SD

（伏）

图6 ：体二极管的特性（注五）

版本1 ： 2012年5月

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第3页7

AOD4126/AOI4126

典型的电气和热特性

10

V

DS

=50V

I

D

=20A

电容（pF）

2500

8

2000

C

国际空间站

V

GS

（伏）

6

1500

4

1000

C

OSS

C

RSS

2

500

0

15

20

25

Q

g

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

5

10

30

0

40

60

80

V

DS

（伏）

图8 ：电容特性

20

100

1000.0

100.0

I

D

（安培）

10.0

1.0

0.1

0.0

0.01

0.1

1

10

V

DS

（伏）

100

1000

10s

1000

800

T

J（下最大）

=175°C

T

C

=25°C

10s

功率（W）的

R

DS （ ON）

有限

100s

1ms

DC

10ms

600

400

200

0

0.0001

17

5

2

10

T

J（下最大）

=175°C

T

C

=25°C

图9 ：最大正向偏置安全

工作区（注F）

0

脉冲宽度（S ）

18

图10 ：单脉冲功率额定值结点到

案例（注F）

0.001

0.01

0.1

1

10

Z

θ

JC

归一化瞬时

热阻

D =吨

on

/T

T

，PK

=T

C

+P

DM

.Z

θJC

.R

θJC

R

θJC

=1.5°C/W

1

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

40

0.1

单脉冲

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度（S ）

图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）

P

D

T

on

T

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第4 7

AOD4126/AOI4126

典型的电气和热特性

100

I

AR

（A ）峰值雪崩电流

120

功耗（ W）

90

T

A

=25°C

T

A

=100°C

60

30

T

A

=150°C

10

0.000001

T

A

=125°C

0

0.00001

0.0001

0.001

在雪崩时间t

A

(s)

图12 ：单脉冲雪崩能力

（注三）

0

75

100

125

150

T

例

(°C)

°

图13 ：功率降容（注F）

25

50

175

60

50

额定电流我

D

(A)

40

30

20

10

0

75

100

125

150

T

例

(°C)

°

图14 ：电流降评级（注F）

25

50

175

1000

T

A

=25°C

100

功率（W）的

10

17

5

2

10

1

0.01

1

100

0

脉冲宽度（S ）

18

图15 ：单脉冲功率额定值结点到

环境（注高）

10

Z

θ

JA

归一化瞬时

热阻

D =吨

on

/T

T

，PK

=T

A

+P

DM

.Z

θJA

.R

θJA

R

θJA

=42°C/W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

1

40

0.1

0.01

P

D

单脉冲

T

on

T

100

1000

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

脉冲宽度（S ）

图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）

版本1 ： 2012年5月

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第5页第7