AOD407
P沟道增强型场效应晶体管
概述
本AOD407采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和低
栅极电阻。具有优异的耐热性
的DPAK封装的，该装置很适合于
高电流负载的应用。
标准产品
AOD407是Pb-free （符合ROHS &索尼259
规范）。 AOD407L是一种绿色产品
订购选项。 AOD407和AOD407L是
电相同。
TO-252
D- PAK
特点
V
DS
(V) = -60V
I
D
= -12A （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 115mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 150mΩ （V
GS
= -4.5V)
D
顶视图
漏极连接到
TAB
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
-60
±20
-12
-10
-30
-12
23
50
25
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
16.7
40
2.5
最大
25
50
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD407
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-12A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-8A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-12A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1.5
-30
91
150
114
12.8
-0.76
-1
-12
987
V
GS
=0V, V
DS
= -30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
114
46
7
15.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，我
D
=-12A
7.4
3
3.5
9
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= -12A ，的di / dt = 100A / μs的
10
25
11
27.5
30
35
10
20
9
1185
150
115
-2.1
民
-60
-0.003
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -12A ，的di / dt = 100A / μs的
一，R qJA的值测量安装在1英寸2 FR- 4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。
的功耗PDSM是基于R qJA和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的具体的电路板设计，最高温度
of
175℃下也可以使用，如果在PCB允许的话。
B的功率损耗PD是基于TJ（MAX） = 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温TJ （ MAX ） = 175 ℃。
D.第r qJA是结到当R QJC和案例的热阻抗到环境的总和。
图E的静态特性1 6使用<300毫秒脉冲，占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设TJ（MAX） = 175 ℃的最大结温。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
第5版： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD407
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-30V
I
D
=-12A
A
1200
C
国际空间站
8
-V
GS
（伏）
1000
电容（pF）
800
600
400
C
OSS
200
0
0
8
12
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
16
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
RSS
6
4
2
0
100.0
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
10s
200
160
功率（W）的
120
80
40
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
R
DS （ ON）
有限
1ms
100s
10ms
1.0
DC
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
10
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD407
典型的电气和热特性
14
-I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
60
12
功耗（ W）
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
50
40
30
20
10
0
10
8
T
A
=25°C
6
0.00001
0.0001
0.001
0
25
50
75
100
125
150
175
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
14
12
额定电流-I
D
(A)
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
功率（W）的
60
50
40
30
20
10
0
0.001
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.01
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD407
P沟道增强型场效应晶体管
概述
本AOD407采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和低
栅极电阻。具有优异的耐热性
的DPAK封装的，该装置很适合于
高电流负载的应用。
标准产品
AOD407是Pb-free （符合ROHS &索尼259
规范）。 AOD407L是一种绿色产品
订购选项。 AOD407和AOD407L是
电相同。
TO-252
D- PAK
特点
V
DS
(V) = -60V
I
D
= -12A （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 115mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 150mΩ （V
GS
= -4.5V)
D
顶视图
漏极连接到
TAB
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大
-60
±20
-12
-10
-30
-12
23
50
25
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
重复雪崩能量L = 0.1mH
功耗
功耗
B
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结到外壳
B
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
16.7
40
2.5
最大
25
50
3
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD407
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-12A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-8A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-12A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1.5
-30
91
150
114
12.8
-0.76
-1
-12
987
V
GS
=0V, V
DS
= -30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
114
46
7
15.8
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，我
D
=-12A
7.4
3
3.5
9
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= -12A ，的di / dt = 100A / μs的
10
25
11
27.5
30
35
10
20
9
1185
150
115
-2.1
民
-60
-0.003
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -12A ，的di / dt = 100A / μs的
一，R qJA的值测量安装在1英寸2 FR- 4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。
的功耗PDSM是基于R qJA和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的具体的电路板设计，最高温度
of
175℃下也可以使用，如果在PCB允许的话。
B的功率损耗PD是基于TJ（MAX） = 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温TJ （ MAX ） = 175 ℃。
D.第r qJA是结到当R QJC和案例的热阻抗到环境的总和。
图E的静态特性1 6使用<300毫秒脉冲，占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，
假设TJ（MAX） = 175 ℃的最大结温。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
第5版： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD407
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-30V
I
D
=-12A
A
1200
C
国际空间站
8
-V
GS
（伏）
1000
电容（pF）
800
600
400
C
OSS
200
0
0
8
12
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
16
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
RSS
6
4
2
0
100.0
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
10s
200
160
功率（W）的
120
80
40
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
R
DS （ ON）
有限
1ms
100s
10ms
1.0
DC
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θJC
归一化瞬时
热阻
10
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=3°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD407
典型的电气和热特性
14
-I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
60
12
功耗（ W）
t
A
=
L
I
D
BV
V
DD
50
40
30
20
10
0
10
8
T
A
=25°C
6
0.00001
0.0001
0.001
0
25
50
75
100
125
150
175
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
14
12
额定电流-I
D
(A)
10
8
6
4
2
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
功率（W）的
60
50
40
30
20
10
0
0.001
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.01
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
QQ：2881677436 复制
