AOD404
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD404采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低门chargeand低
栅极电阻。此装置非常适合于使用
作为一个高边开关在CPU内核电源转换。
标准产品AOD404是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AOD404L是绿色
产品订购选项。 AOD404和AOD404L是
电相同。
TO-252
D- PAK
D
顶视图
漏极连接
为制表
G
S
G
D
S
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 85A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 7MΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 8mΩ （V
GS
= 4.5V)
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
B，G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
最大
30
±12
85
65
200
30
120
100
50
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
G
B
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
C
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
14.2
39
0.8
最大
20
50
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD404
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
1
85
5.4
8.4
6.6
90
0.74
1
85
2100
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
536
165
0.95
19.7
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
3.6
7.9
5.9
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
11
36.2
12
35
33
10
17
55
18
42
50
1.2
24
2520
7
10.5
8
1.6
民
30
0.002
1
5
100
2
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定板的设计，并且可以使用175℃的最高温度，如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
Rev5 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD404
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
1000
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
0.1s
1s
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
10s
100s
功率（W）的
100
80
60
40
20
0
0.01
100
I
D
（安培）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
1
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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AOD404
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
本AOD404采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低门chargeand低
栅极电阻。此装置非常适合于使用
作为一个高边开关在CPU内核电源转换。
标准产品AOD404是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AOD404L是绿色
产品订购选项。 AOD404和AOD404L是
电相同。
TO-252
D- PAK
D
顶视图
漏极连接
为制表
G
S
G
D
S
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 85A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 7MΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 8mΩ （V
GS
= 4.5V)
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
B，G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°C
功耗
功耗
B
C
最大
30
±12
85
65
200
30
120
100
50
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
W
°C
T
C
=25°C
G
B
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
C
=100°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
A
最大结点到环境
C
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
14.2
39
0.8
最大
20
50
1.5
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD404
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=20A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
T
J
=125°C
1
85
5.4
8.4
6.6
90
0.74
1
85
2100
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
536
165
0.95
19.7
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=20A
3.6
7.9
5.9
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.75,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
11
36.2
12
35
33
10
17
55
18
42
50
1.2
24
2520
7
10.5
8
1.6
民
30
0.002
1
5
100
2
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的值
应用程序依赖于用户的特定板的设计，并且可以使用175℃的最高温度，如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级下降的包下面
极限。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
Rev5 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOD404
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=20A
电容（pF）
3500
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
1000
R
DS （ ON）
有限
1ms
10ms
0.1s
1s
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
10s
100s
功率（W）的
100
80
60
40
20
0
0.01
100
I
D
（安培）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
1
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
QQ：2881677436 复制
