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AOB440
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AOB440采用先进的沟槽技术和
设计,提供优秀的研发
DS ( ON)
低门
费。此装置适用于用在不间断电源,高
电流开关应用。
标准产品
AOB440是无铅的(符合ROHS &索尼259
特定网络阳离子) 。
特点
V
DS
(V) = 60V
I
D
= 75 A
(V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 7.5mΩ (V
GS
= 10V)
TO-263
D2-PAK
D
顶视图
漏极连接到
TAB
G
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
最大
60
±20
75
75
150
80
320
150
75
-55至175
单位
V
V
A
A
mJ
W
°C
T
C
=25°C
T
C
=100°C
I
D
I
DM
I
AR
E
AR
P
D
T
J
, T
英镑
T
C
=25°C
重复雪崩能量L = 0.1mH
C
功耗
B
T
C
=100°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结到外壳
B
A
A
t≤10s
稳态
稳态
符号
R
θJA
R
θJA
R
θJC
典型值
8
35
0.7
最大
12
45
1
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AOB440
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
条件
I
D
= 250uA ,V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
, I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=30A
T
J
=125°C
2
150
6.3
10.5
90
0.7
1
55
3800
V
GS
=0V, V
DS
= 30V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
430
190
1.5
68
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ,我
D
=30A
33
15
19
18
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ,R
L
=1,
R
=3
I
F
= 30A ,的di / dt = 100A / μs的
35
44
23
53
98
64
2.3
88
4560
7.5
13
3
60
10
50
100
4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
DS
= 5V ,我
D
=30A
二极管的正向电压
I
S
= 1A ,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
G
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
=25°C.
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 175℃ ,使用结到外壳的热阻,并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C:重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗,假设
T的最高结温
J(下最大)
=175°C.
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
REV1 :五月。 2008年
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AOB440
典型的电气和热特性
150
10V
125
100
I
D
(A)
75
4.5V
50
25
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
7.2
7
R
DS ( ON)
(m
)
6.8
6.6
6.4
6.2
6
0
20
40
60
80
100
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
25
I
D
=30A
20
R
DS ( ON)
(m
)
10
1
125°C
10
25°C
5
-40°C
0
4
8
12
16
20
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
0.0001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
0.01
0.001
-40°C
25°C
I
S
(A)
15
0.1
125°C
100
归一化的导通电阻
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
= 10V , 30A
20
V
GS
=4V
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
-40°C
5V
60
I
D
(A)
6V
80
100
V
DS
=5V
40
125°C
25°C
V
GS
=10V
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AOB440
典型的电气和热特性
10
V
DS
=30V
I
D
=30A
8
电容( NF)
V
GS
(伏)
6
5
C
国际空间站
4
3
2
1
0
0
40
60
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
20
80
0
15
30
45
60
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
10000
R
DS ( ON)
有限
100
I
D
(A)
10s
100s
10
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
1
1
10
100
V
DS
(V)
图9 :最高可正向偏置安全工作
面积(注F)
DC
1ms
10ms
100
0.00001
功率(W)的
T
J(下最大)
=175°C
T
C
=25°C
C
RSS
C
OSS
6
4
2
0
1000
1000
0.001
0.1
10
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
案例(注F)
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.0°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
P
D
T
on
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
T
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
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AOB440
典型的电气和热特性
200
60
50
功耗( W)
150
额定电流我
D
(A)
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图13 :功率降容(注二)
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
(°C)
图12 :电流降评级(注二)
100
50
150
T
A
=25°C
I
D
(A ) ,峰值雪崩电流
125
100
75
50
25
0
0.000001
T
A
=150°C
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图10 :单脉冲雪崩能力
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AOB440
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电话:0755-22929859
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VB
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