AOB414 ， AOB414L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=30A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=30A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=30A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
0.8
110
3.2
5
3.8
102
0.64
1
110
9130
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
625
387
0.4
72.4
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=30A
12.8
18.4
15
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=0.5,
R
根
=3
I
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
29.2
106.5
52
31.2
20.3
4.2
6
4.8
1.1
民
30
1
5
100
1.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 30A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。电源
耗散P
帝斯曼
基于稳定状态R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的具体的电路板设计，最高温度FO 175℃下也可以使用，如果印刷电路板或散热片允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用
极限情况下，额外的散热使用。它被用来确定额定电流，当该等级低于封装限制。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=175°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
在图E的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
F.这些测试使用安装在1中的装置执行的
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
G的最大额定电流被包电流能力是有限的。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB414 ， AOB414L
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
V
DS
=15V
I
D
=30A
电容（pF）
10000
100000
C
国际空间站
1000
C
OSS
1000
R
DS （ ON）
有限
10ms
0.1s
10
1s
10s
1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
1ms
100s
功率（W）的
200
160
120
80
40
0
0.01
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100
I
D
（安培）
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
100
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
T
on
T
100
1000
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB414
N沟道SDMOS
TM
功率晶体管
概述
该AOB414 / L被制造为SDMOS
TM
TRENCH
技术，结合优秀的研发
DS （ ON）
低门
charge.The结果是出色的效率与可控
切换行为。这种普遍的技术是很好
适合的PWM ，负载开关和通用
applications.AOB414和AOB414L电
相同的。
-RoHS标准
产品概述
V
DS
I
D
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= 7V)
100V
51A
< 25MΩ
< 31mΩ
100 ％ UIS测试
100% R
g
经过测试
TO-263
D
2
PAK
顶视图
D
底部视图
D
G
S
G
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
G
漏电流脉冲
连续漏极
当前
雪崩电流
C
重复雪崩能量L = 0.1mH
T
C
=25°
C
功耗
功耗
B
C
C
最大
100
±25
51
36
100
6.6
5.3
28
39
150
75
2.5
1.6
-55至175
单位
V
V
A
V
GS
T
C
=25°
C
T
C
=100°
C
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
帝斯曼
I
AR
E
AR
P
D
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
A
A
mJ
W
W
°
C
T
C
=100°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
A
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结到外壳
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJC
典型值
11
40
0.7
最大
14
50
1
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
REV1 ： 2012年5月
www.aosmd.com
第1页7
AOB414
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=100V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=20A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 7V ，我
D
=15A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=20A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
2
100
20.5
36
25
37
0.66
1
40
1400
V
GS
=0V, V
DS
= 50V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
115
33
0.3
14
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，我
D
=20A
4
6
V
GS
=10V, V
DS
= 50V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
20
25
12
60
1770
165
55
0.65
28
9
10
12
4
17
5
29
36
20
82
37
47
26
110
2200
214
80
1.0
42
14
14
25
43
31
3.3
民
100
10
50
100
4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 20A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗P
帝斯曼
是基于R
θJA
和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值取决于
对用户的特定板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 175 ℃。额定值基于低频和占空比，以保持
初始的T
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗从结到外壳的R总和
θJC
和外壳到环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
T的最高结温
J（下最大）
= 175 ℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
G.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
版本1 ： 2012年5月
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第2 7
AOB414
典型的电气和热特性
10
V
DS
=50V
I
D
=20A
电容（pF）
2500
8
2000
C
国际空间站
1500
V
GS
（伏）
6
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
0
0
5
10
15
20
25
30
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000.0
100.0
I
D
（安培）
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
100
1000
10s
10s
功率（W）的
0
0
40
60
80
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
20
100
10000
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
100s
1ms
DC
10ms
1000
17
5
2
10
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
100
0.00001 0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
0
18
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.0°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
40
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
版本1 ： 2012年5月
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第4 7
AOB414
典型的电气和热特性
50
I
AR
（A ）峰值雪崩电流
180
150
120
90
60
30
0
0.00001
0.0001
0.001
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力（注
C)
0
75
100
125
150
T
例
(°C)
°
图13 ：功率降容（注F）
25
50
175
T
A
=25°C
30
T
A
=100°C
20
T
A
=150°C
T
A
=125°C
10
0
0.000001
功耗（ W）
40
60
50
额定电流我
D
(A)
功率（W）的
40
30
20
50
40
30
20
10
T
A
=25°C
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
°
图14 ：电流降评级（注F）
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=50°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
T
on
0.01
T
版本1 ： 2012年5月
www.aosmd.com
第5页第7
QQ：2880707522 复制
