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AOB405

P沟道增强型场效应晶体管

概述

该AOB405采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和低

栅极电阻。具有优异的耐热性

的D2PAK封装的，该装置是非常适合

高电流负载的应用。

标准产品

AOB405是无铅的（符合ROHS &索尼259

规范）。 AOB405L是一种绿色产品订购

选项。 AOB405和AOB405L电

相同的。

特点

(V) = -40V

= -12A （V

= -10V)

DS （ ON）

< 48mΩ （V

= -10V)

DS （ ON）

< 72mΩ （V

= -4.5V)

TO-263

D2-PAK

顶视图

漏极连接到

TAB

绝对最大额定值牛逼

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

漏源电压

栅源电压

连续漏极

当前

B，G

漏电流脉冲

雪崩电流

重复雪崩能量L = 0.1mH

=25°C

功耗

最大

-40

±20

-12

-30

-12

2.3

1.5

-55至175

单位

°C

=25°C

=100°C

帝斯曼

, T

英镑

=100°C

=25°C

=70°C

结温和存储温度范围

热特性

参数

最大结点到环境

最大结到外壳

符号

≤

10s

稳态

θJA

θJC

典型值

2.5

最大

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

AOB405

电气特性（T

= 25 ° C除非另有说明）

参数

符号

静态参数

DSS

漏源击穿电压

DSS

GSS

GS （ TH）

D（上）

DS （ ON）

零栅极电压漏极电流

门体漏电流

栅极阈值电压

在国家漏极电流

静态漏源导通电阻

= -4.5V ，我

=-8A

正向跨导

= -5V ，我

=-12A

=-1A,V

=0V

二极管的正向电压

最大体二极管连续电流

条件

= -10mA ，V

=0V

=-32V, V

=0V

=55°C

=0V, V

=±20V

=-250A

=-10V, V

=-5V

= -10V ，我

=-12A

=125°C

-1

-30

-0.75

-1

-12

657

=0V, V

= -20V ， F = 1MHz的

=0V, V

= 0V ， F = 1MHz的

143

6.5

14.1

=-10V, V

= -20V ，我

=-12A

2.2

4.1

=-10V, V

= -20V ，R

=1.7,

根

= -12A ，的di / dt = 100A / μs的

23.2

18.2

-1.9

民

-40

-1

-5

±100

-3

典型值

最大

单位

动力参数

国际空间站

输入电容

OSS

RSS

输出电容

反向传输电容

栅极电阻

切换参数

（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）

（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）

D（上）

D（关闭）

门源电荷

闸漏极电荷

开启DelayTime

开启上升时间

关断DelayTime

关断下降时间

体二极管反向恢复时间

体二极管反向恢复电荷

一，R qJA的值测量安装在1英寸2 FR- 4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。电源

耗散PDSM是基于R qJA和150℃的最大允许结温。在任何给定应用程序中的值依赖于用户的

具体的电路板的设计，和175℃的最高温度，可以使用如在PCB允许的话。

B的功率损耗PD是基于TJ（MAX） = 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设定上耗散更多的有用

极限情况下，额外的散热使用。

C：重复评级，脉冲宽度有限的结温TJ （ MAX ） = 175 ℃。

D.第r qJA是结到当R QJC和案例的热阻抗到环境的总和。

图E的静态特性1 6使用<300毫秒脉冲，占空比0.5 ％最大的获得。

F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设一个

TJ （ MAX ）的最高结温度为175 ℃。

G.最大电流等级债券的电线是有限的。

H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。在SOA曲线

提供了单一的脉冲等级。

冯0 ： 2005年7月

本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键

生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任

OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，

性能和可靠性，恕不另行通知。

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

AOB405

典型的电气和热特性

-10V

-6V

-I

(A)

-3.5V

=-3V

-V

（伏）

图1 ：在区域特征

归一化的导通电阻

DS （ ON）

(m)

-I

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和门

电压

150

135

=-12A

120

DS （ ON）

(m)

105

-V

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

25°C

1.0E-04

25°C

1.0E-05

1.0E-06

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

-V

（伏）

图6 ：体二极管的性能

125°C

-I

(A)

1.0E-02

1.0E-03

1.0E-01

=-10V

=-4.5V

1.60

125°C

25°C

-I

(A)

-5V

-4.5V

=-5V

-4V

= -10mA ，V

=0V

1.5

2.5

3.5

4.5

-V

（伏）

图2 ：传输特性

1.80

=-10V

=-12A

1.40

=-4.5V

=-8A

1.20

1.00

0.80

100

125

150

175

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结温

1.0E+01

1.0E+00

125°C

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

AOB405

典型的电气和热特性

=-15V

=-12A

1000

-V

（伏）

= -10mA ，V

=0V

750

电容（pF）

国际空间站

500

OSS

250

RSS

-Q

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

-V

（伏）

图8 ：电容特性

100.0

J（下最大）

= 175 ° C，T

=25°C

DS （ ON）

有限

10s

100s

功率（W）的

200

160

J（下最大）

=175°C

=25°C

-I

（安培）

10.0

1ms

120

10ms

1.0

0.1

-V

（伏）

图9 ：最大正向偏置安全

工作区（注F）

100

0.0001

0.001

0.01

0.1

脉冲宽度（S ）

图10 ：单脉冲功率额定值结点到

案例（注F）

归一化瞬时

热阻

D =吨

，PK

θJC

=3°C/W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

0.1

单脉冲

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度（S ）

图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

AOB405

典型的电气和热特性

-I

（A ），峰值雪崩电流

功耗（ W）

= -10mA ，V

=0V

=25°C

0.00001

0.0001

在雪崩时间t

(s)

图12 ：单脉冲雪崩能力

0.001

100

125

150

175

例

(°C)

图13 ：功率降容（注二）

额定电流-I

(A)

100

125

150

175

例

(°C)

图14 ：电流降评级（注二）

功率（W）的

0.001

=25°C

0.01

0.1

100

1000

脉冲宽度（S ）

图15 ：单脉冲功率额定值结点到

环境（注高）

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

归一化瞬时

热阻

D =吨

，PK

θJA

=54°C/W

0.1

单脉冲

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

1000

0.01

脉冲宽度（S ）

图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）

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