AOB403
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-30A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-20A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-30A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1
-60
36
51
43
50
-0.73
-1
-30
2977
V
GS
=0V, V
DS
= -30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
241
153
2
44.6
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，我
D
=-30A
20.8
9.9
10
13.7
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= -30A ，的di / dt = 100A / μs的
8.3
37
9.7
40
56
48
2.4
54
25
3600
44
62
55
-1.9
民
-60
-0.003
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -30A ，的di / dt = 100A / μs的
一，R qJA的值测量安装在1英寸2 FR- 4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗PDSM是基于R qJA和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的特定板的设计，并且可以使用175℃的最高温度，如果在PCB允许的话。
B的功率损耗PD是基于TJ（MAX） = 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温TJ （ MAX ） = 175 ℃。
D.第r qJA是结到当R QJC和案例的热阻抗到环境的总和。
图E的静态特性1 6使用<300毫秒脉冲，占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
TJ（MAX） = 175 ℃的最大结温。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV1 ： May2005
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB403
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-30V
I
D
=-30A
A
4000
3600
3200
电容（pF）
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
0
5
20
25
30
35
40
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
15
45
0
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
8
-V
GS
（伏）
6
4
2
100.0
10s
100s
功率（W）的
1000
800
600
400
200
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
R
DS （ ON）
有限
DC
1ms
10ms
1.0
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.8°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
T
on
T
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB403
典型的电气和热特性
30
-I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
t
A
=
25
L
I
D
功耗（ W）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
BV
V
DD
20
15
T
A
=25°C
10
0.00001
0.0001
0.001
0
25
50
75
100
125
150
175
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
40
35
额定电流-I
D
(A)
30
功率（W）的
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
A
=25°C
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB403
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-48V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-30A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-20A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-30A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
-1
-60
36
51
43
50
-0.73
-1
-30
2977
V
GS
=0V, V
DS
= -30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
241
153
2
44.6
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，我
D
=-30A
20.8
9.9
10
13.7
V
GS
=-10V, V
DS
= -30V ，R
L
=1,
R
根
=3
I
F
= -30A ，的di / dt = 100A / μs的
8.3
37
9.7
40
56
48
2.4
54
25
3600
44
62
55
-1.9
民
-60
-0.003
-1
-5
±100
-3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -30A ，的di / dt = 100A / μs的
一，R qJA的值测量安装在1英寸2 FR- 4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
功耗PDSM是基于R qJA和150℃的最大允许结温。在任何给定的应用价值
取决于用户的特定板的设计，并且可以使用175℃的最高温度，如果在PCB允许的话。
B的功率损耗PD是基于TJ（MAX） = 175℃ ，使用结到外壳的热阻，并且是在设置上更加有用
散热限制的情况下额外的散热使用。
C：重复评级，脉冲宽度有限的结温TJ （ MAX ） = 175 ℃。
D.第r qJA是结到当R QJC和案例的热阻抗到环境的总和。
图E的静态特性1 6使用<300毫秒脉冲，占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于其测量安装到一个大的散热器的器件结到外壳的热阻抗，假设
TJ（MAX） = 175 ℃的最大结温。
G.最大电流等级债券的电线是有限的。
H.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境TA = 25 ℃。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV1 ： May2005
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB403
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-30V
I
D
=-30A
A
4000
3600
3200
电容（pF）
2800
2400
2000
1600
1200
800
400
0
0
5
20
25
30
35
40
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
10
15
45
0
0
15
20
25
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
8
-V
GS
（伏）
6
4
2
100.0
10s
100s
功率（W）的
1000
800
600
400
200
0
0.0001
T
J（下最大）
=175°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
R
DS （ ON）
有限
DC
1ms
10ms
1.0
T
J（下最大）
= 175 ° C，T
A
=25°C
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JC
归一化瞬时
热阻
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
案例（注F）
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
C
+P
DM
.Z
θJC
.R
θJC
R
θJC
=1.8°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
单脉冲
T
on
T
10
100
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AOB403
典型的电气和热特性
30
-I
D
（A ） ，峰值雪崩电流
t
A
=
25
L
I
D
功耗（ W）
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
BV
V
DD
20
15
T
A
=25°C
10
0.00001
0.0001
0.001
0
25
50
75
100
125
150
175
在雪崩时间t
A
(s)
图12 ：单脉冲雪崩能力
T
例
(°C)
图13 ：功率降容（注二）
40
35
额定电流-I
D
(A)
30
功率（W）的
25
20
15
10
5
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
例
(°C)
图14 ：电流降评级（注二）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
A
=25°C
脉冲宽度（S ）
图15 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注高）
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=55°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图16 ：归最大瞬态热阻抗（注高）
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