AO8822
常见的漏双N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AO8822采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V ，而
保留了12V V
GS （ MAX）
投资评级。此装置适用于
用作单向或双向负载
开关，通过它的共漏极组态容易。
标准产品AO8822是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AO8822L是绿色
产品订购选项。 AO8822和AO8822L是
电相同。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 7 A（V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 21mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 24mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下（V
GS
= 1.8V)
TSSOP-8
顶视图
D1/D2
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D1/D2
S2
S2
G2
D1
D2
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
A
最大
20
±12
7
5.7
30
1.5
0.96
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=70°C
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
63
101
64
最大
83
130
83
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
= 0V时，我
G
=±250uA
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
T
J
=125°C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
±12
0.5
30
16.4
23
19
25
36
24
0.7
21
28
24
32
50
1
2.5
630
164
137
1.5
9.3
0.6
3.6
5.7
11.5
31.5
9.7
15.2
6.3
0.8
1
民
20
1
5
100
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 1.8V ，我
D
=2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.4,
R
根
=3
I
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。该currentand额定功率是基于
≤
吨10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
版本1 ： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
典型的电气和热特性
1400
V
DS
=10V
I
D
=7A
电容（pF
)
1200
1000
800
600
400
200
0
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
0
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100
40
T
J（下最大）
= 150℃ ，T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s
功率（W）的
30
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
I
D
（安培）
100s
1ms
1
DC
10s
0.1
0.1
1
10
10ms
100m
1s
100
20
10
0
0.001
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=83°C/W
1
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
常见的漏双N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AO8822采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V ，而
保留了12V V
GS （ MAX）
投资评级。此装置适用于
用作单向或双向负载
开关，通过它的共漏极组态容易。
标准产品AO8822是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AO8822L是绿色
产品订购选项。 AO8822和AO8822L是
电相同。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 7 A（V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 21mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 24mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下（V
GS
= 1.8V)
TSSOP-8
顶视图
D1/D2
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D1/D2
S2
S2
G2
D1
D2
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
A
最大
20
±12
7
5.7
30
1.5
0.96
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=70°C
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
63
101
64
最大
83
130
83
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
= 0V时，我
G
=±250uA
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
T
J
=125°C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
±12
0.5
30
16.4
23
19
25
36
24
0.7
21
28
24
32
50
1
2.5
630
164
137
1.5
9.3
0.6
3.6
5.7
11.5
31.5
9.7
15.2
6.3
0.8
1
民
20
1
5
100
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 1.8V ，我
D
=2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.4,
R
根
=3
I
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。该currentand额定功率是基于
≤
吨10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
版本1 ： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
典型的电气和热特性
1400
V
DS
=10V
I
D
=7A
电容（pF
)
1200
1000
800
600
400
200
0
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
0
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100
40
T
J（下最大）
= 150℃ ，T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s
功率（W）的
30
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
I
D
（安培）
100s
1ms
1
DC
10s
0.1
0.1
1
10
10ms
100m
1s
100
20
10
0
0.001
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=83°C/W
1
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
QQ：2881677436 复制
