AO8822
常见的漏双N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AO8822采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V ，而
保留了12V V
GS （ MAX）
投资评级。此装置适用于
用作单向或双向负载
开关，通过它的共漏极组态容易。
标准产品AO8822是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AO8822L是绿色
产品订购选项。 AO8822和AO8822L是
电相同。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 7 A（V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 21mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 24mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下（V
GS
= 1.8V)
TSSOP-8
顶视图
D1/D2
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D1/D2
S2
S2
G2
D1
D2
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
A
最大
20
±12
7
5.7
30
1.5
0.96
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=70°C
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
63
101
64
最大
83
130
83
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
= 0V时，我
G
=±250uA
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
T
J
=125°C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
±12
0.5
30
16.4
23
19
25
36
24
0.7
21
28
24
32
50
1
2.5
630
164
137
1.5
9.3
0.6
3.6
5.7
11.5
31.5
9.7
15.2
6.3
0.8
1
民
20
1
5
100
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 1.8V ，我
D
=2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.4,
R
根
=3
I
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。该currentand额定功率是基于
≤
吨10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
版本1 ： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
典型的电气和热特性
1400
V
DS
=10V
I
D
=7A
电容（pF
)
1200
1000
800
600
400
200
0
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
0
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100
40
T
J（下最大）
= 150℃ ，T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s
功率（W）的
30
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
I
D
（安培）
100s
1ms
1
DC
10s
0.1
0.1
1
10
10ms
100m
1s
100
20
10
0
0.001
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=83°C/W
1
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
常见的漏双N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AO8822采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V ，而
保留了12V V
GS （ MAX）
投资评级。此装置适用于
用作单向或双向负载
开关，通过它的共漏极组态容易。
标准产品AO8822是Pb-free （符合ROHS
&索尼259规格） 。 AO8822L是绿色
产品订购选项。 AO8822和AO8822L是
电相同。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 7 A（V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 21mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 24mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下（V
GS
= 1.8V)
TSSOP-8
顶视图
D1/D2
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D1/D2
S2
S2
G2
D1
D2
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
A
最大
20
±12
7
5.7
30
1.5
0.96
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=70°C
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
63
101
64
最大
83
130
83
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
= 0V时，我
G
=±250uA
V
DS
=V
GS
I
D
=250uA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
T
J
=125°C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
±12
0.5
30
16.4
23
19
25
36
24
0.7
21
28
24
32
50
1
2.5
630
164
137
1.5
9.3
0.6
3.6
5.7
11.5
31.5
9.7
15.2
6.3
0.8
1
民
20
1
5
100
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 1.8V ，我
D
=2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=7A
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.4,
R
根
=3
I
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。该currentand额定功率是基于
≤
吨10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
版本1 ： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
典型的电气和热特性
1400
V
DS
=10V
I
D
=7A
电容（pF
)
1200
1000
800
600
400
200
0
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
0
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100
40
T
J（下最大）
= 150℃ ，T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s
功率（W）的
30
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
I
D
（安培）
100s
1ms
1
DC
10s
0.1
0.1
1
10
10ms
100m
1s
100
20
10
0
0.001
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=83°C/W
1
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8822
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±10V
V
DS
= 0V时，我
G
=±250A
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
T
J
=125°
C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.6A
V
GS
= 3.6V ，我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=2A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
I
S
=1A,V
GS
=0V
15
16
18
±12
0.5
30
13
15
22
17
18
21
28
31
0.7
1
2
520
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
650
140
60
12
V
GS
=10V, V
DS
= 10V ，我
D
=7A
5
15
6.7
3.6
3
0.25
V
GS
=10V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 7A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
20
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
10
0.8
1
18
27
22
23
27
A
A
V
V
A
m
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
输出电容
反向传输电容
780
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
18
8
nC
nC
nC
nC
us
us
us
us
0.45
11
4
8
8
10
11
12
13.5
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
C.
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
第6版： 2010年3月
www.aosmd.com
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AO8822
典型的电气和热特性
10
V
DS
=10V
I
D
=7A
电容（pF）
1000
8
800
C
国际空间站
600
V
GS
（伏）
6
4
400
C
OSS
200
C
RSS
0
8
12
16
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
4
20
2
0
0
8
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
16
0
100.0
40
T
A
=25°
C
10s
10.0
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
30
I
D
（安培）
100s
1ms
10ms
1.0
20
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
10
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=83°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
0.01
第6版： 2010年3月
www.aosmd.com
第4 5
AO8822
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VDC
10V
VDC
-
DUT
VGS
Ig
+
VDS
-
QGS
QGD
收费
ES istiv （E S）瓦特痒荷兰国际集团率T e ST ircu它& W上的已经FO RM s
RL
V DS
VDS
VGS
Rg
DUT
+
VDC
90 %
VDD
1 0%
V GS
-
t
（O N）
t
0：N
t
r
t
（O FF ）
t
FF
t
f
VGS
IODE ecovery牛逼EST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
Q
rr
= -
IDT
V DS -
ISD
V GS
L
ISD
I
F
的di / dt
I
RM
V DD
+
VD
V DD
V DS
Ig
-
第6版： 2010年3月
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页5
飞思卡尔
AO8 8月22日/ MC8 8月22日
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
o
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
A
测试条件
V
GS
= V
DS
, I
D
= 250微安
民
0.7
典型值
最大
单位
V
V
DS
= 0 V, V
GS
= ± 12 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55
o
C
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 6.8 A
V
GS
= 2.5 V，I
D
= 5.8 A
V
GS
= 1.8 V，I
D
= 4.7 A
V
DS
= 10 V，I
D
= 6.8 A
I
S
= 6.8 A，V
GS
= 0 V
25
0.89
30
±100
1
10
0.022
0.030
0.047
nA
uA
uA
A
S
V
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
13.4
V
DS
=10V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.8A
0.9
2.0
18
V
DD
=10V, V
GS
= 4.5V ，我
D
=1A ,
R
GE
=10
25
50
25
nC
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
飞思卡尔
保留随时更改而不另行诺蒂奇这里的任何产品的权利。飞思卡尔不作任何保证，声明
或有关的保证其产品适用于任何特定用途，也不承担飞思卡尔的应用程序所产生的任何法律责任OU T或
使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带
损害赔偿。可在飞思卡尔的数据片S提供“典型”参数和/或规格可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。飞思卡尔不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。飞思卡尔的产品不是设计，
意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或用于支持其他应用程序或
维持生命，或任何其他应用程序在飞思卡尔产品的故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。
如果买方购买或使用飞思卡尔的产品用于任何uninte nded或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有飞思卡尔及其
管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师
即使这样产生出来的，直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，费用
索赔称，有关部分的设计或M anufacture飞思卡尔是疏忽。飞思卡尔是一个机会均等/肯定行动雇主。
2
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AO8822
20V共漏极双
N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±10V
V
DS
= 0V时，我
G
=±250A
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=7A
C
T
J
=125°
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.6A
V
GS
= 3.6V ，我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=2A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=7A
I
S
=1A,V
GS
=0V
15
16
18
±12
0.5
30
13
15
22
17
18
21
28
31
0.7
1
2
520
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
650
140
60
12
V
GS
=10V, V
DS
= 10V ，我
D
=7A
5
15
6.7
3.6
3
0.25
V
GS
=10V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 7A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
20
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
10
0.8
1
18
27
22
23
27
A
A
V
V
A
m
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
输出电容
反向传输电容
780
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
18
8
nC
nC
nC
nC
us
us
us
us
0.45
11
4
8
8
10
11
12
13.5
体二极管反向恢复电荷我
F
= 7A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的
C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150 °使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C,
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150 °评级是基于低频率和占空比，以保持
C.
initialT
J
=25°
C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
C.
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150 °的SOA曲线提供了一个单脉冲ratin克。
2/5
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AO8822
20V共漏极双
N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=10V
I
D
=7A
电容（pF）
1000
8
800
C
国际空间站
600
V
GS
（伏）
6
4
400
C
OSS
200
C
RSS
0
8
12
16
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
4
20
2
0
0
8
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
4
16
0
100.0
40
T
A
=25°
C
10s
10.0
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
30
I
D
（安培）
100s
1ms
10ms
1.0
20
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
10
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=83°
C / W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
0.01
4/5
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20V共漏极双
N沟道MOSFET
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VDC
10V
VDC
-
DUT
VGS
Ig
+
VDS
-
QGS
QGD
收费
ES istiv （E S）瓦特痒荷兰国际集团率T e ST ircu它& W上的已经FO RM s
RL
V DS
VDS
VGS
Rg
DUT
+
VDC
90 %
VDD
1 0%
V GS
-
t
（O N）
t
0：N
t
r
t
（O FF ）
t
FF
t
f
VGS
IODE ecovery牛逼EST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
Q
rr
= -
IDT
V DS -
ISD
V GS
L
ISD
I
F
的di / dt
I
RM
V DD
+
VD
V DD
V DS
Ig
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