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2002年12月
AO8806
常见的漏双N沟道增强型场效应
晶体管
概述
该AO8806采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压低至1.8V 。这
装置适合于用作单向或双
定向负荷开关，其共促进
漏配置。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 6 A
R
DS （ ON）
< 25MΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
30mΩ到< （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 40MΩ （V
GS
= 1.8V)
TSSOP-8
顶视图
D1/D2
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D1/D2
S2
S2
G2
G1
S1
D1
D2
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
20
±8
6.4
5.4
30
1.5
1.08
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
64
89
53
最大
83
120
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8806
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=4A
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
0.4
30
19.3
27.6
24
15
30.5
23
0.76
25
35
30
40
1
2.5
0.6
民
20
1
5
100
1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态漏源导通电阻
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
940
157
133
15
1
4
6.5
9
56.5
13.2
22.4
8.4
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=6A
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.8,
R
根
=6
I
F
= 6A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 6A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8806
典型的电气和热特性
30
25
20
I
D
(A)
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
50
归一化的导通电阻
1.60
V
GS
=2.5V
I
D
=6A
1.40
V
GS
=4.5V
V
GS
=1.8V
1.20
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
20
8V
4.5V
2V
16
12
V
GS
=1.5V
I
D
(A)
8
V
DS
=5V
125°C
3V
2.5V
25°C
40
R
DS （ ON）
(m
)
V
GS
=1.8V
30
V
GS
=2.5V
20
V
GS
=4.5V
10
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
60
55
50
45
R
DS （ ON）
(m
)
40
35
30
25
20
15
10
0
2
4
6
8
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
25°C
125°C
I
D
=6A
1.00
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
I
S
(A)
1.0E-02
25°C
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
125°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8806
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2000
V
DS
=10V
I
D
=6A
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0
0
5
10
15
20
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
0.1s
10ms
10s
功率（W）的
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
10.0
30
20
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=83°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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A471S006501204
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AM3525GC
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AF4928NS
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    AO8806
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