【2001年7月AO8800常见的漏双N沟道增强模式场效应晶体管概述该AO8800采用先进的沟槽技术提】,IC型号AO8800,AO8800 PDF资料,AO8800经销商,ic,电子元器件-51电子网

2001年7月

AO8800

常见的漏双N沟道增强模式

场效应晶体管

概述

该AO8800采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V ，而

保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。该装置是

适合用作一个单向或双向

负载开关，通过它的共漏极便利

配置。

特点

V

DS

(V) = 30V

I

D

= 6.4A

R

DS （ ON）

< 24mΩ （V

GS

= 10V)

R

DS （ ON）

30mΩ到< （V

GS

= 4.5V)

R

DS （ ON）

< 40MΩ （V

GS

= 2.5V)

R

DS （ ON）

< 70mΩ （V

GS

= 1.8V)

TSSOP-8

顶视图

D1/D2

S1

G1

1

2

3

4

8

7

6

5

D1/D2

S2

G2

G1

S1

D1

D2

G2

S2

绝对最大额定值牛逼

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

最大

V

DS

漏源电压

30

V

GS

栅源电压

±12

连续漏极

T

A

=25°C

6.4

A

当前

T

A

=70°C

5.4

I

D

漏电流脉冲

B

T

A

=25°C

功耗

T

A

=70°C

结温和存储温度范围

A

单位

V

A

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

30

1.5

1.08

-55到150

W

°C

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

C

符号

A

t

≤

10s

稳态

R

θJA

R

θJL

典型值

64

89

53

最大

83

120

70

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

AO8800

电气特性（T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

符号

静态参数

BV

DSS

漏源击穿电压

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

I

D（上）

零栅极电压漏极电流

门体漏电流

栅极阈值电压

在国家漏极电流

条件

I

D

= 250μA ，V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

=0V

T

J

=55°C

V

DS

=0V, V

GS

=±12V

V

DS

=V

GS

I

D

=250A

V

GS

=4.5V, V

DS

=5V

V

GS

= 10V ，我

D

=6.4A

T

J

=125°C

R

DS （ ON）

V

GS

= 4.5V ，我

D

=6A

V

GS

= 2.5V ，我

D

=5A

V

GS

= 1.8V ，我

D

=2.5A

V

DS

= 5V ，我

D

=5A

正向跨导

二极管的正向电压

I

S

=1A,V

GS

=0V

最大体二极管连续电流

静态漏源导通电阻

0.6

30

0.8

20

28

23

32

51

17

0.66

民

30

1

5

100

1

24

36

30

40

70

1

2.4

典型值

最大

单位

V

A

nA

V

A

m

S

V

A

pF

nC

ns

nC

g

FS

V

SD

I

S

10

动力参数

C

国际空间站

输入电容

C

OSS

输出电容

C

RSS

反向传输电容

R

g

栅极电阻

切换参数

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

门源电荷

Q

gd

闸漏极电荷

t

D（上）

开启DelayTime

t

r

开启上升时间

t

D（关闭）

关断DelayTime

t

f

关断下降时间

t

rr

体二极管反向恢复时间

Q

rr

体二极管反向恢复电荷

V

GS

=0V, V

DS

= 15V ， F = 1MHz的

V

GS

=0V, V

DS

= 0V ， F = 1MHz的

767

111

82

1.3

10

1.2

3.1

5

5.5

39

4.7

15

7.1

V

GS

=4.5V, V

DS

= 15V ，我

D

=6.4A

V

GS

=10V, V

DS

= 15V ，R

L

=2.4,

R

根

=6

I

F

= 5A ，的di / dt = 100A / μs的

I

F

= 5A ，的di / dt = 100A / μs的

2

答： R的值

θJA

测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T

A

=25°C.

在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨

≤

10S热

性的评价。

B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。

C.第r

θJA

是的热阻抗，从交界处领导的R总和

θJL

并导致环境。

图D.静态特性1 6,12,14使用80获得

s

脉冲占空比0.5 ％以下。

2

E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T

A

= 25°C 。该

SOA曲线提供了一个单脉冲评级。

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

AO8800

典型的电气和热特性

25

20

2.5V

15

I

D

(A)

10

5

0

1

2

3

4

5

V

DS

（伏）

图1 ：在区域特征

70

归一化的导通电阻

60

R

DS （ ON）

(m

)

50

40

30

20

10

0

5

10

V

GS

=10V

0.8

15

20

0

25

50

75

100

125

150

175

I

D

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和

栅极电压

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结

温度

V

GS

=1.8V

1.8

1.6

1.4

1.2

1

V

GS

=10V

2V

I

D

(A)

12

8

4

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

GS （伏特）

图2 ：传输特性

125°C

25°C

10V

4.5V

16

20

V

DS

=5V

V

GS

=1.5V

V

GS

=4.5V

V

GS

=2.5V

V

GS

=4.5V

V

GS

=2.5V

V

GS

=1.8V

80

70

60

R

DS （ ON）

(m

)

50

40

30

20

10

0

2

4

6

8

10

V

GS

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

25°C

125°C

I

D

=5A

I

S

(A)

1.0E+01

1.0E+00

1.0E-01

1.0E-02

1.0E-03

1.0E-04

1.0E-05

1.0E-06

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

SD

（伏）

图6 ：体二极管的性能

25°C

125°C

亚尔发和奥米加半导体有限公司

AO8800

典型的电气和热特性

5

4

V

GS

（伏）

3

2

1

200

0

2

4

6

8

10

12

Q

g

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

0

5

10

15

20

25

30

V

DS

（伏）

图8 ：电容特性

V

DS

=15V

I

D

=6.4A

电容（pF）

1400

1200

1000

800

600

400

C

OSS

C

国际空间站

C

RSS

100.0

T

J（下最大）

=150°C

T

A

=25°C

1ms

10ms

1.0

1s

0.1s

40

T

J（下最大）

=150°C

T

A

=25°C

30

功率（W）的

10.0

I

D

（安培）

R

DS （ ON）

有限

100s

20

10

10s

DC

0.1

1

V

DS

（伏）

图9 ：最大正向偏置安全

工作区（注五）

10

100

0

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

脉冲宽度（S ）

图10 ：单脉冲功率额定值结点到

环境（注E）

10

Z

θ

JA

归一化瞬时

热阻

D =吨

on

/T

T

，PK

=T

A

+P

DM

.Z

θJA

.R

θJA

R

θJA

=83°C/W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

1

0.1

P

D

T

on

单脉冲

T

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

脉冲宽度（S ）

图11 ：归最大瞬态热阻抗

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

ALPHA & OMEGA

半导体公司

TSSOP - 8封装的数据

符号

单位：毫米

尺寸以英寸

A

A1

A2

b

c

D

E

E1

e

L

y

θ

民

0.05

0.80

0.19

0.09

2.90

4.30

0.45

0°

喃

1.00

3.00

6.40 BSC

4.40

0.65 BSC

0.60

最大

1.20

0.15

1.05

0.30

0.20

3.10

4.50

0.75

0.10

8°

民

0.002

0.031

0.007

0.004

0.114

0.169

0.018

0°

喃

0.039

0.118

0.252 BSC

0.173

0.0259 （ REF ）

0.024

最大

0.047

0.006

0.041

0.012

0.008

0.122

0.177

0.030

0.004

8°

θ

注意：

1.无铅封装： 150微英寸（ 3.8微米） MIN 。

40μm的锡/铅（焊锡）镀在LEAD

2.公差±

0.100毫米（ 4密耳），除非另有

特定网络版

3.共面性： 0.1000毫米

4.尺寸L是衡量GAGE平面

包装标记说明

推荐地格局

注意：

LG

PARTN

F

A

W

LN

- AOS标志

- 器件编码。

- FAB位置

- 装配位置

- 星期代码。

- 大会批号

TSSOP - 8 PART NO 。 CODE

产品型号

AO8800

AO8701

CODE

8800

8701

产品型号

CODE

产品型号

CODE

单位：mm

2001年7月

AO8800

常见的漏双N沟道增强模式

场效应晶体管

概述

该AO8800采用先进的沟槽技术

提供了优秀的研发

DS （ ON）

，低栅极电荷和

操作与栅极电压可低至1.8V ，而

保留了12V V

GS （ MAX）

投资评级。该装置是

适合用作一个单向或双向

负载开关，通过它的共漏极便利

配置。

特点

V

DS

(V) = 30V

I

D

= 6.4A

R

DS （ ON）

< 24mΩ （V

GS

= 10V)

R

DS （ ON）

30mΩ到< （V

GS

= 4.5V)

R

DS （ ON）

< 40MΩ （V

GS

= 2.5V)

R

DS （ ON）

< 70mΩ （V

GS

= 1.8V)

TSSOP-8

顶视图

D1/D2

S1

G1

1

2

3

4

8

7

6

5

D1/D2

S2

G2

G1

S1

D1

D2

G2

S2

绝对最大额定值牛逼

A

= 25 ° C除非另有说明

参数

符号

最大

V

DS

漏源电压

30

V

GS

栅源电压

±12

连续漏极

T

A

=25°C

6.4

A

当前

T

A

=70°C

5.4

I

D

漏电流脉冲

B

T

A

=25°C

功耗

T

A

=70°C

结温和存储温度范围

A

单位

V

A

I

DM

P

D

T

J

, T

英镑

30

1.5

1.08

-55到150

W

°C

热特性

参数

最大结点到环境

最大结对铅

C

符号

A

t

≤

10s

稳态

R

θJA

R

θJL

典型值

64

89

53

最大

83

120

70

单位

° C / W

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

AO8800

电气特性（T

J

= 25 ° C除非另有说明）

参数

符号

静态参数

BV

DSS

漏源击穿电压

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

I

D（上）

零栅极电压漏极电流

门体漏电流

栅极阈值电压

在国家漏极电流

条件

I

D

= 250μA ，V

GS

=0V

V

DS

=24V, V

GS

=0V

T

J

=55°C

V

DS

=0V, V

GS

=±12V

V

DS

=V

GS

I

D

=250A

V

GS

=4.5V, V

DS

=5V

V

GS

= 10V ，我

D

=6.4A

T

J

=125°C

R

DS （ ON）

V

GS

= 4.5V ，我

D

=6A

V

GS

= 2.5V ，我

D

=5A

V

GS

= 1.8V ，我

D

=2.5A

V

DS

= 5V ，我

D

=5A

正向跨导

二极管的正向电压

I

S

=1A,V

GS

=0V

最大体二极管连续电流

静态漏源导通电阻

0.6

30

0.8

20

28

23

32

51

17

0.66

民

30

1

5

100

1

24

36

30

40

70

1

2.4

典型值

最大

单位

V

A

nA

V

A

m

S

V

A

pF

nC

ns

nC

g

FS

V

SD

I

S

10

动力参数

C

国际空间站

输入电容

C

OSS

输出电容

C

RSS

反向传输电容

R

g

栅极电阻

切换参数

Q

g

总栅极电荷

Q

gs

门源电荷

Q

gd

闸漏极电荷

t

D（上）

开启DelayTime

t

r

开启上升时间

t

D（关闭）

关断DelayTime

t

f

关断下降时间

t

rr

体二极管反向恢复时间

Q

rr

体二极管反向恢复电荷

V

GS

=0V, V

DS

= 15V ， F = 1MHz的

V

GS

=0V, V

DS

= 0V ， F = 1MHz的

767

111

82

1.3

10

1.2

3.1

5

5.5

39

4.7

15

7.1

V

GS

=4.5V, V

DS

= 15V ，我

D

=6.4A

V

GS

=10V, V

DS

= 15V ，R

L

=2.4,

R

根

=6

I

F

= 5A ，的di / dt = 100A / μs的

I

F

= 5A ，的di / dt = 100A / μs的

2

答： R的值

θJA

测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T

A

=25°C.

在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨

≤

10S热

性的评价。

B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。

C.第r

θJA

是的热阻抗，从交界处领导的R总和

θJL

并导致环境。

图D.静态特性1 6,12,14使用80获得

s

脉冲占空比0.5 ％以下。

2

E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T

A

= 25°C 。该

SOA曲线提供了一个单脉冲评级。

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

AO8800

典型的电气和热特性

25

20

2.5V

15

I

D

(A)

10

5

0

1

2

3

4

5

V

DS

（伏）

图1 ：在区域特征

70

归一化的导通电阻

60

R

DS （ ON）

(m

)

50

40

30

20

10

0

5

10

V

GS

=10V

0.8

15

20

0

25

50

75

100

125

150

175

I

D

(A)

图3 ：导通电阻与漏电流和

栅极电压

温度（℃）

图4 ：导通电阻与结

温度

V

GS

=1.8V

1.8

1.6

1.4

1.2

1

V

GS

=10V

2V

I

D

(A)

12

8

4

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

V

GS （伏特）

图2 ：传输特性

125°C

25°C

10V

4.5V

16

20

V

DS

=5V

V

GS

=1.5V

V

GS

=4.5V

V

GS

=2.5V

V

GS

=4.5V

V

GS

=2.5V

V

GS

=1.8V

80

70

60

R

DS （ ON）

(m

)

50

40

30

20

10

0

2

4

6

8

10

V

GS

（伏）

图5 ：导通电阻与栅源电压

25°C

125°C

I

D

=5A

I

S

(A)

1.0E+01

1.0E+00

1.0E-01

1.0E-02

1.0E-03

1.0E-04

1.0E-05

1.0E-06

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

V

SD

（伏）

图6 ：体二极管的性能

25°C

125°C

亚尔发和奥米加半导体有限公司

AO8800

典型的电气和热特性

5

4

V

GS

（伏）

3

2

1

200

0

2

4

6

8

10

12

Q

g

（ NC ）

图7 ：栅极电荷特性

0

5

10

15

20

25

30

V

DS

（伏）

图8 ：电容特性

V

DS

=15V

I

D

=6.4A

电容（pF）

1400

1200

1000

800

600

400

C

OSS

C

国际空间站

C

RSS

100.0

T

J（下最大）

=150°C

T

A

=25°C

1ms

10ms

1.0

1s

0.1s

40

T

J（下最大）

=150°C

T

A

=25°C

30

功率（W）的

10.0

I

D

（安培）

R

DS （ ON）

有限

100s

20

10

10s

DC

0.1

1

V

DS

（伏）

图9 ：最大正向偏置安全

工作区（注五）

10

100

0

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

脉冲宽度（S ）

图10 ：单脉冲功率额定值结点到

环境（注E）

10

Z

θ

JA

归一化瞬时

热阻

D =吨

on

/T

T

，PK

=T

A

+P

DM

.Z

θJA

.R

θJA

R

θJA

=83°C/W

按降序排列

D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲

1

0.1

P

D

T

on

单脉冲

T

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

1000

脉冲宽度（S ）

图11 ：归最大瞬态热阻抗

阿尔法&欧米茄半导体有限公司

ALPHA & OMEGA

半导体公司

TSSOP - 8封装的数据

符号

单位：毫米

尺寸以英寸

A

A1

A2

b

c

D

E

E1

e

L

y

θ

民

0.05

0.80

0.19

0.09

2.90

4.30

0.45

0°

喃

1.00

3.00

6.40 BSC

4.40

0.65 BSC

0.60

最大

1.20

0.15

1.05

0.30

0.20

3.10

4.50

0.75

0.10

8°

民

0.002

0.031

0.007

0.004

0.114

0.169

0.018

0°

喃

0.039

0.118

0.252 BSC

0.173

0.0259 （ REF ）

0.024

最大

0.047

0.006

0.041

0.012

0.008

0.122

0.177

0.030

0.004

8°

θ

注意：

1.无铅封装： 150微英寸（ 3.8微米） MIN 。

40μm的锡/铅（焊锡）镀在LEAD

2.公差±

0.100毫米（ 4密耳），除非另有

特定网络版

3.共面性： 0.1000毫米

4.尺寸L是衡量GAGE平面

包装标记说明

推荐地格局

注意：

LG

PARTN

F

A

W

LN

- AOS标志

- 器件编码。

- FAB位置

- 装配位置

- 星期代码。

- 大会批号

TSSOP - 8 PART NO 。 CODE

产品型号

AO8800

AO8701

CODE

8800

8701

产品型号

CODE

产品型号

CODE

单位：mm