AO7800
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO7800采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V ，在
小型SOT323足迹。它可用于宽
各种应用，包括负载开关，低
电流变换器和低电流的DC-DC converters.It
ESD保护。
标准产品AO7800是有铅
免费（符合ROHS &索尼259规格） 。
AO7800L是一个绿色产品订购选项。
AO7800和AO7800L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 0.9 A（V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 300MΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 350mΩ （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 450mΩ （V
GS
= 1.8V)
SC-70-6
(SOT-323)
顶视图
S1
G1
D2
D1
G2
S2
G1
D1
D2
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
20
±8
0.9
0.7
5
0.3
0.19
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
360
400
300
最大
415
460
350
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO7800
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.9A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=0.75A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=0.7A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=0.8A
二极管的正向电压
I
S
=0.5A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
0.5
5
181
253
237
317
2.6
0.69
1
0.4
101
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
17
14
3
1.57
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=0.8A
0.13
0.36
3.2
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=12.5,
R
根
=6
I
F
= 0.8A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 0.8A ，的di / dt = 100A / μs的
4
15.5
2.4
6.7
1.6
8.1
4
1.9
120
300
350
350
450
0.75
民
20
1
5
25
0.9
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
启3 ： 2003年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7800
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=10V
I
D
=0.9A
电容（pF）
200
150
C
国际空间站
100
C
OSS
50
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10.0
T
J（下最大）
= 150℃ ，T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10ms
0.1s
100s
1ms
功率（W）的
10s
16
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
1.0
12
8
0.1
1s
10s
DC
4
0.0
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=415°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7800
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO7800采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压可低至1.8V ，在
小型SOT323足迹。它可用于宽
各种应用，包括负载开关，低
电流变换器和低电流的DC-DC converters.It
ESD保护。
标准产品AO7800是有铅
免费（符合ROHS &索尼259规格） 。
AO7800L是一个绿色产品订购选项。
AO7800和AO7800L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 0.9 A（V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 300MΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 350mΩ （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 450mΩ （V
GS
= 1.8V)
SC-70-6
(SOT-323)
顶视图
S1
G1
D2
D1
G2
S2
G1
D1
D2
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
参数
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
20
±8
0.9
0.7
5
0.3
0.19
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
360
400
300
最大
415
460
350
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法欧米茄半导体有限公司
AO7800
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.9A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=0.75A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=0.7A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=0.8A
二极管的正向电压
I
S
=0.5A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
0.5
5
181
253
237
317
2.6
0.69
1
0.4
101
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
17
14
3
1.57
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=0.8A
0.13
0.36
3.2
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=12.5,
R
根
=6
I
F
= 0.8A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 0.8A ，的di / dt = 100A / μs的
4
15.5
2.4
6.7
1.6
8.1
4
1.9
120
300
350
350
450
0.75
民
20
1
5
25
0.9
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
启3 ： 2003年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7800
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=10V
I
D
=0.9A
电容（pF）
200
150
C
国际空间站
100
C
OSS
50
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10.0
T
J（下最大）
= 150℃ ，T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10ms
0.1s
100s
1ms
功率（W）的
10s
16
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
1.0
12
8
0.1
1s
10s
DC
4
0.0
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=415°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
QQ：2880707522 复制
