AO7413
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO7413采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作门
电压可低至1.8V ，在小SOT323足迹。它
可用于各种各样的应用，包括负载
切换，低电流的逆变器和低电流的DC-DC
转换器。这是ESD保护2KV HBM 。标准
产品AO7413是无铅的（符合ROHS &索尼259
规范）。 AO7413L是一个绿色产品订购
选项。 AO7413和AO7413L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -1.4A （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 113mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 135mΩ （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 180mΩ （V
GS
= -2.5V)
SC-70
(SOT-323)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-20
±12
-1.4
-1.2
-3
0.35
0.22
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
300
350
280
最大
360
425
320
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7413
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.4A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.3A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1.1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-1.4A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.7
-15
94
130
111
150
5
-0.84
-0.95
0.6
512
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
77
62
9.2
4.9
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-1.4A
3.5
3.7
11
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=7.1,
R
根
=3
I
F
= -1.4A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -1.4A ，的di / dt = 100A / μs的
8
34
12
12.9
3.9
13
10
41
15
16
5
13
6
620
113
160
135
180
-0.9
民
-20
-0.5
-2.5
±1
±10
-1.4
典型值
最大
单位
V
A
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV3 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7413
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.00
V
DS
=-10V
I
D
=-1.4A
电容（pF）
600
800
C
国际空间站
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
5
10
15
20
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
0.1s
10ms
14
12
10s
10
功率（W）的
8
6
4
10s
DC
2
0
0.001
10.00
-I
D
（安培）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.00
0.10
1s
0.01
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=360°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7413
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO7413采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作门
电压可低至1.8V ，在小SOT323足迹。它
可用于各种各样的应用，包括负载
切换，低电流的逆变器和低电流的DC-DC
转换器。这是ESD保护2KV HBM 。标准
产品AO7413是无铅的（符合ROHS &索尼259
规范）。 AO7413L是一个绿色产品订购
选项。 AO7413和AO7413L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -1.4A （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 113mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 135mΩ （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 180mΩ （V
GS
= -2.5V)
SC-70
(SOT-323)
顶视图
G
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-20
±12
-1.4
-1.2
-3
0.35
0.22
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
300
350
280
最大
360
425
320
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7413
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.4A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.3A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1.1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-1.4A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
-0.7
-15
94
130
111
150
5
-0.84
-0.95
0.6
512
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
77
62
9.2
4.9
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-1.4A
3.5
3.7
11
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=7.1,
R
根
=3
I
F
= -1.4A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -1.4A ，的di / dt = 100A / μs的
8
34
12
12.9
3.9
13
10
41
15
16
5
13
6
620
113
160
135
180
-0.9
民
-20
-0.5
-2.5
±1
±10
-1.4
典型值
最大
单位
V
A
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV3 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7413
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.00
V
DS
=-10V
I
D
=-1.4A
电容（pF）
600
800
C
国际空间站
400
C
OSS
200
C
RSS
0
0
5
10
15
20
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
0.1s
10ms
14
12
10s
10
功率（W）的
8
6
4
10s
DC
2
0
0.001
10.00
-I
D
（安培）
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.00
0.10
1s
0.01
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=360°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO7413
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
, I
D
=-250Α
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-1.4A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-1.3A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1.1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-1.4A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
-0.5
-13
94
130
111
150
5
-0.76
-1
-1
250
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
40
22
325
63
37
11.2
3.2
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-1.4A
0.6
0.9
11
V
GS
=-10V, V
DS
= -10V ，R
L
=7.1,
R
根
=3
I
F
= -1.4A ，的di / dt = 100A / μs的
5.5
22
8
6.1
1.4
400
85
52
17
4.5
113
160
135
180
-0.85
民
-20
-1
-5
±10
-1.2
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -1.4A ，的di / dt = 100A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
启4 ： 2011年11月
www.aosmd.com
页2的5
AO7413
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-10V
I
D
=-1.4A
450
电容（pF）
C
国际空间站
300
600
4
-V
GS
（伏）
3
2
150
1
C
RSS
0
C
OSS
0
0
2
3
4
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
5
0
10
15
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
20
100.0
1000
10s
10.0
100
功率（W）的
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1.0
100s
1ms
10ms
10
0.1
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
100ms
10s
1
0.0
0.1
100
0.00001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
0.001
1
10
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
0.1
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=425°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
启4 ： 2011年11月
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第4 5
AO7413
AO7413
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
-10V
VDC
VDC
DUT
VGS
Ig
esistive瑞士法郎瘙痒试验C ircuit & W aveform s
RL
V DS
VGS
VGS
Rg
DUT
V DC
V GS
V DS
IODE covery特ST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
VDS -
ISD
V GS
Ig
L
VDC
+
V DD
-
-Vds
启4 ： 2011年11月
+
收费
t
0：N
t
D（ 0：N ）
t
r
t
（O FF ）
t
FF
t
f
+
-
-
+
-
VDS
QGS
QGD
V DD
90%
10%
Q
rr
= -
IDT
-Isd
-I
F
的di / dt
-I
R M
V DD
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飞思卡尔
AO7 4月13日/ MC7 4 13
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
A
o
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
D（上）
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
测试条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= -250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±8 V
范围
单位
最小典型最大
-0.4
±100
o
V
nA
uA
A
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= -16 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
-1
-10
-5
79
110
9
-0.65
7.2
1.7
1.5
10
9
27
11
漏源导通电阻
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
V
DS
= -5 V, V
GS
= -4.5 V
V
GS
= -4.5 V，I
D
= -1.7 A
V
GS
= -2.5 V，I
D
= -1.5 A
V
DS
= -5 V，I
D
= -1.25 A
I
S
= -0.46 A，V
GS
= 0 V
V
DS
= -10 V, V
GS
= -4.5 V,
I
D
= -1.7 A
V
DD
= -10 V，I
L
= -1 A,
V
根
= -4.5 V ，R
G
= 6
m
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
nC
ns
笔记
a.
b.
c.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
通过设计保证，不受生产测试。
重复性等级，脉冲宽度有限的结温。
飞思卡尔
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损害赔偿。可在飞思卡尔的数据片S提供“典型”参数和/或规格可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
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