AO6810
N沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.1A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=3.1A
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
12
54
78
88
4.5
0.79
1
2.5
200
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
42
20
2.5
6.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=3.1A
3.2
1.3
1.6
3.4
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=4.7,
R
根
=3
I
F
= 3.1A ，的di / dt = 100A / μs的
2.5
13.2
1.8
9.5
3.6
13
3.2
8.7
4
240
120
77
1.9
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.1A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
冯0 ： 2007年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
亚尔发和奥米加半导体有限公司
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AO6810
N沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
15
12
9
I
D
(A)
6
3
V
GS
=3V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
120
归一化的导通电阻
110
100
R
DS （ ON）
(m
)
90
80
70
60
50
40
0
2
4
6
8
10
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
250
200
R
DS （ ON）
(m
)
150
125°C
100
50
0
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
I
D
=3.1A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
I
S
(A)
1.0E-02
25°C
1.0E-03
25°C
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
I
D
=2A
V
GS
=10V
I
D
=3.1A
0
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
10
10V
8V
6V
4.5V
6
I
D
(A)
4V
3.5V
4
2
125°C
25°C
5V
8
V
DS
=5V
125°C
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AO6810
N沟道电气特性（T = 25 ° C除非另有说明）
J
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
400
V
DS
=15V
I
D
=3.1A
电容（pF）
300
C
国际空间站
200
C
OSS
100
C
RSS
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10.0
R
DS （ ON）
有限
100s
10s
功率（W）的
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
15
I
D
（安培）
1ms
0.1S 10毫秒
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10
5
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=3.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.5
20
40
61
52
12
0.79
1
1.5
170
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1.7
35
23
3.5
4.05
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=3.5A
2
0.55
1
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=4.2,
R
根
=3
I
F
= 3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
1in
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
2
2.5
50
77
70
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
210
5.3
5
3
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
1.5
18.5
15.5
7.5
2.5
10
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
版本1 ： 2011年3月
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页2的5
AO6810
N沟道：典型的电气和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=3.5A
8
电容（pF）
300
250
C
国际空间站
200
150
100
C
OSS
50
0
0
2
3
4
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
5
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
V
GS
（伏）
6
4
2
0
100.0
1000
T
A
=25°C
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
10ms
100
功率（W）的
1.0
10
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
10s
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注F）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=150°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.001
100
1000
T
版本1 ： 2011年3月
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第4 5
AO6810
30V双N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.5A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=2A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=3.5A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.5
20
40
61
52
12
0.79
1
1.5
170
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1.7
35
23
3.5
4.05
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=3.5A
2
0.55
1
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=4.2,
R
根
=3
I
F
= 3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
1in
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
±100
2
2.5
50
77
70
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
210
5.3
5
3
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 3.5A ，的di / dt = 100A / μs的
1.5
18.5
15.5
7.5
2.5
10
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是热阻抗的交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
2/5
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AO6810
30V双N沟道MOSFET
N沟道：典型的电气和热性能
10
V
DS
=15V
I
D
=3.5A
8
电容（pF）
300
250
C
国际空间站
200
150
100
C
OSS
50
0
0
2
3
4
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1
5
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
V
GS
（伏）
6
4
2
0
100.0
1000
T
A
=25°C
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
10ms
100
功率（W）的
1.0
10
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
10s
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注F）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=150°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.001
100
1000
T
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