AO6804
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO6804采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。该装置
是适合用作负载开关或以PWM
应用程序。
AO6804是Pb-free （符合ROHS &索尼
259规格） 。
特点
V
DS
= 20V
I
D
= 5.0A
(V
GS
= 4.5V)
典型导通电阻
R
DS （ ON）
< 24mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 26mΩ （V
GS
= 4.0V)
R
DS （ ON）
< 28mΩ （V
GS
= 3.1V)
R
DS （ ON）
< 31mΩ （V
GS
= 2.5V)
D1
TSOP6
顶视图
S1
D1/D2
S2
1 6
2 5
3 4
G1
D1/D2
G2
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
10秒
稳定状态
参数
V
DS
漏源电压
20
V
GS
±12
栅源电压
连续漏极
5
4
T
A
=25°C
A
当前
T
A
=70°C
4
3.2
I
D
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
功耗
A
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
1.3
0.8
-55到150
25
0.8
0.5
单位
V
V
A
W
°C
符号
A
A
t
≤
10s
稳定状态
稳定状态
R
θJA
R
θJL
典型值
76
118
54
最大
95
150
68
单位
° C / W
° C / W
° C / W
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AO6804
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°C
V
DS
= 0V, V
GS
= ±12V
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
T
J
=125°C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.0V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 3.1V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 4.0A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
= 5.0A
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
最大体二极管连续电流
0.5
25
18
25
22
21
22
0.75
24
33
26
28
31
7
0.65
民
20
1
5
±500
1.2
32
43
34
37
42
1
1.1
725
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
g
FS
V
SD
I
S
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
t
rr
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
580
95
70
3.5
5.8
1
1.6
2.4
6.4
38
9.5
18
6
5.3
7.7
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
= 5A
V
GS
=10V, V
DS
= 10V ，R
L
=2.0,
R
根
=3
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
24
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤10s
热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用< 300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
2007年修订版1月
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AO6804
典型的电气和热特性
25
20
15
I
D
(A)
V
GS
=1.8V
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
34
归一化的导通电阻
32
R
DS （ ON）
(m
)
30
V
GS
= 3.1V
28
V
GS
= 4.0V
26
V
GS
= 4.5V
24
22
0
2
4
V
GS
= 2.5V
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
1E+01
I
D
= 5.0A
50
R
DS （ ON）
(m
)
40
125°C
1E+00
1E-01
I
S
(A)
1E-02
125°C
V
GS
= 4.5V
I
D
= 5A
I
D
(A)
14
4.5V
3V
2.5V
2V
12
10
8
6
4
2
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
125°C
25°C
V
DS
= 5V
-40°C
I
6
=-6.5A,
8
dI/dt=100A/s
10
F
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
60
1E-03
25°C
30
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
25°C
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任ARIS
1E-04
OUT OF20
此类应用及其产品的使用。 AOS保留改进产品设计的权利，
-40°C
1E-05
性能和可靠性，恕不另行通知。
-40°C
1E-06
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
V
SD
（伏）
V
GS
（伏）
图6 ：体二极管的性能
图5 ：导通电阻与栅源电压
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典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
= 10V
I
D
= 5A
1000
800
电容（pF）
C
国际空间站
600
400
200
C
RSS
0
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
100
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
I
D
（安培）
10s
100
功率（W）的
100s
1
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.01
0.1
1
1ms
10ms
100ms
DC
10s
10
0.1
1
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
10
100
V
DS
（伏）
0.1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值
结到环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=118°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
P
D
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任ARIS
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
0.01
T
on
性能和可靠性，恕不另行通知。
T
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
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