AO6801
双P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO6801采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO6801是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO6801L
是一种绿色产品订购选项。 AO6801和
AO6801L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -2.3 A（V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 135mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 185mΩ （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 265mΩ （V
GS
= -2.5V)
D1
TSOP6
顶视图
G1
S2
G2
1 6
2 5
3 4
D1
S1
D2
G1
S1
G2
D2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±12
-2.3
-1.8
-20
1.15
0.73
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
A
A
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
78
106
64
最大
110
150
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6801
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.3A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.3A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
-0.6
-20
107
154
135
195
8
-0.85
-1
-1.35
409
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
55
42
12
4.9
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ，我
D
=-2.0A
0.6
1.6
6.9
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=7.5,
R
根
=3
I
F
= -2.0A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -2.0A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-30
典型值
最大
单位
V
-1
-5
±100
-1
-1.4
135
190
185
265
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
3.3
38.5
13.2
15
8
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
第2版： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6801
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
600
V
DS
=-15V
I
D
=-2.0A
电容（pF）
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
R
DS （ ON）
有限
0.1s
1.0
1s
10s
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
DC
10ms
20
10s
功率（W）的
100s
1ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
15
10
5
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6801
双P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO6801采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
标准产品AO6801是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO6801L
是一种绿色产品订购选项。 AO6801和
AO6801L是电相同。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -2.3 A（V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 135mΩ （V
GS
= -10V)
R
DS （ ON）
< 185mΩ （V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
< 265mΩ （V
GS
= -2.5V)
D1
TSOP6
顶视图
G1
S2
G2
1 6
2 5
3 4
D1
S1
D2
G1
S1
G2
D2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±12
-2.3
-1.8
-20
1.15
0.73
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
A
A
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
78
106
64
最大
110
150
80
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6801
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-2.3A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-2A
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-2.3A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
-0.6
-20
107
154
135
195
8
-0.85
-1
-1.35
409
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
55
42
12
4.9
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ，我
D
=-2.0A
0.6
1.6
6.9
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=7.5,
R
根
=3
I
F
= -2.0A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -2.0A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-30
典型值
最大
单位
V
-1
-5
±100
-1
-1.4
135
190
185
265
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
3.3
38.5
13.2
15
8
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
第2版： 2005年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6801
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
600
V
DS
=-15V
I
D
=-2.0A
电容（pF）
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
R
DS （ ON）
有限
0.1s
1.0
1s
10s
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
DC
10ms
20
10s
功率（W）的
100s
1ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
15
10
5
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
QQ：2880707522 复制
