AO6706
N沟道增强型网络场效晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO6706采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于双向的实施
堵塞开关，或用于DC-DC转换应用。
标准产品AO6706是Pb-free （符合ROHS &索尼
259规格） 。 AO6706L是一个绿色产品订购
选项。 AO6706和AO6706L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 3.6A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 65mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 75mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 160mΩ （V
GS
= 2.5V)
肖特基
V
DS
（V）= 20V，我
F
= 1A ，V
F
<0.5V@0.5A
D
TSOP6
顶视图
A
S
G
1 6
2 5
3 4
K
N / C
D
K
G
S
A
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
30
±12
3.3
2.6
10
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
t
≤
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
1.15
0.7
-55到150
典型值
80.3
117
43
109.4
136.5
58.5
20
2
1
10
0.92
0.59
-55到150
最大
110
150
80
135
175
80
V
A
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
≤
10s
稳态
稳态
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6706
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.3A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=3.3A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
1
10
44
64
53
106
11.7
0.81
1
2.5
226
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
39
29
1.4
3
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=3.3A
1.4
0.55
2.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=4.7,
R
根
=6
I
F
= 3.3A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 3.3A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=0.5A
V
R
=16V
V
R
= 16V ，T
J
=125°C
V
R
=10V
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.4
1.8
65
90
75
160
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
270
1.7
3.6
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
3.2
14.5
2.1
10.2
3.8
0.39
0.5
0.1
20
34
5.2
0.8
10
13
ns
nC
V
mA
pF
ns
nC
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
C
T
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
结电容
肖特基反向恢复时间
肖特基反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
转2 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6706
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
400
V
DS
=15V
I
D
=3.3A
电容（pF）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
3
2
1
270
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
1ms
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
0
0.001
0.01
10ms
0.1s
100s
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.7
15
10s
功率（W）的
10.0
I
D
（安培）
3.6
10
5
13
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6706
N沟道增强型网络场效晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO6706采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于双向的实施
堵塞开关，或用于DC-DC转换应用。
标准产品AO6706是Pb-free （符合ROHS &索尼
259规格） 。 AO6706L是一个绿色产品订购
选项。 AO6706和AO6706L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 3.6A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 65mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 75mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 160mΩ （V
GS
= 2.5V)
肖特基
V
DS
（V）= 20V，我
F
= 1A ，V
F
<0.5V@0.5A
D
TSOP6
顶视图
A
S
G
1 6
2 5
3 4
K
N / C
D
K
G
S
A
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
30
±12
3.3
2.6
10
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
t
≤
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
1.15
0.7
-55到150
典型值
80.3
117
43
109.4
136.5
58.5
20
2
1
10
0.92
0.59
-55到150
最大
110
150
80
135
175
80
V
A
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
≤
10s
稳态
稳态
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6706
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.3A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=3.3A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
1
10
44
64
53
106
11.7
0.81
1
2.5
226
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
39
29
1.4
3
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=3.3A
1.4
0.55
2.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=4.7,
R
根
=6
I
F
= 3.3A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 3.3A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=0.5A
V
R
=16V
V
R
= 16V ，T
J
=125°C
V
R
=10V
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.4
1.8
65
90
75
160
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
270
1.7
3.6
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
3.2
14.5
2.1
10.2
3.8
0.39
0.5
0.1
20
34
5.2
0.8
10
13
ns
nC
V
mA
pF
ns
nC
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
C
T
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
结电容
肖特基反向恢复时间
肖特基反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
转2 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6706
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
400
V
DS
=15V
I
D
=3.3A
电容（pF）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
3
2
1
270
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
1ms
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
0
0.001
0.01
10ms
0.1s
100s
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.7
15
10s
功率（W）的
10.0
I
D
（安培）
3.6
10
5
13
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6706
N沟道增强型网络场效晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO6706采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于双向的实施
堵塞开关，或用于DC-DC转换应用。
标准产品AO6706是Pb-free （符合ROHS &索尼
259规格） 。 AO6706L是一个绿色产品订购
选项。 AO6706和AO6706L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 3.6A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 65mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 75mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 160mΩ （V
GS
= 2.5V)
肖特基
V
DS
（V）= 20V，我
F
= 1A ，V
F
<0.5V@0.5A
D
TSOP6
顶视图
A
S
G
1 6
2 5
3 4
K
N / C
D
K
G
S
A
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
30
±12
3.3
2.6
10
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
t
≤
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
1.15
0.7
-55到150
典型值
80.3
117
43
109.4
136.5
58.5
20
2
1
10
0.92
0.59
-55到150
最大
110
150
80
135
175
80
V
A
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
≤
10s
稳态
稳态
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6706
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=3.3A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=1A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=3.3A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
1
10
44
64
53
106
11.7
0.81
1
2.5
226
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
39
29
1.4
3
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=3.3A
1.4
0.55
2.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=4.7,
R
根
=6
I
F
= 3.3A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 3.3A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=0.5A
V
R
=16V
V
R
= 16V ，T
J
=125°C
V
R
=10V
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 1A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.4
1.8
65
90
75
160
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
270
1.7
3.6
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
3.2
14.5
2.1
10.2
3.8
0.39
0.5
0.1
20
34
5.2
0.8
10
13
ns
nC
V
mA
pF
ns
nC
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
C
T
t
rr
Q
rr
最大反向漏电流
结电容
肖特基反向恢复时间
肖特基反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
转2 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AO6706
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
400
V
DS
=15V
I
D
=3.3A
电容（pF）
350
300
250
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
3
2
1
270
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
1ms
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
0
0.001
0.01
10ms
0.1s
100s
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1.7
15
10s
功率（W）的
10.0
I
D
（安培）
3.6
10
5
13
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
0.001
0.01
100
1000
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