AO6422
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°C
V
DS
= 0V, V
GS
= ±8V
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 3.5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
= 5.0A
二极管的正向电压
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
最大体二极管连续电流
0.4
30
35
48
43
55
14
0.8
1
2
450
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
74
52
4.9
6.2
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
= 5A
0.4
1.3
4.5
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，R
L
=2,
R
根
=3
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
6
33
7.1
13
3.3
17
7.5
8.2
560
44
60
55
72
0.65
民
20
1
5
±100
1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤10s
热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16采用t ，得到
≤
300μS脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
曲线提供了单个脉冲的评价。
2008年REV0月
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AO6422
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
= 10V
I
D
= 5A
电容（pF）
600
C
国际空间站
400
800
200
C
RSS
0
C
OSS
0
5
10
15
20
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
R
DS （ ON）
有限
10s
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
1
1ms
10ms
100ms
10s
DC
功率（W）的
I
D
（安培）
100s
100
10
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
0.01
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注E）
1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
0.01
单脉冲
T
on
T
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
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AO6422
20V N沟道MOSFET
概述
该AO6422采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压低至1.8V 。此装置适用于一般用途的应用程序。
特点
V
DS
= 20V
I
D
= 5A
R
DS （ ON）
< 44米
R
DS （ ON）
< 55米
R
DS （ ON）
< 72米
(V
GS
= 4.5V)
(V
GS
= 4.5V)
(V
GS
= 2.5V)
(V
GS
= 1.8V)
D
顶视图
D
D
G
1
2
3
6
5
4
D
D
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
10秒
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
功耗
A
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
2.0
1.3
V
GS
5
4.2
稳定状态
20
±8
3.9
3
30
1.1
0.7
单位
V
V
A
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
-55到150
符号
t
≤
10s
稳定状态
稳定状态
R
θJA
R
θJL
典型值
47.5
74
54
最大
62.5
110
68
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/4
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AO6422
20V N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
= 0V
V
DS
= 20V, V
GS
= 0V
T
J
= 55°
C
V
DS
= 0V, V
GS
= ±8V
V
DS
= V
GS
I
D
= 250A
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
= 5.0A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= 2.5V ，我
D
= 4.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
= 3.5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
= 5.0A
I
S
= 1A ，V
GS
= 0V
0.4
30
35
48
43
55
14
0.8
1
2
450
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
74
52
4.9
6.2
V
GS
= 4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
= 5A
0.4
1.3
4.5
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，R
L
=2,
R
根
=3
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
6
33
7.1
13
3.3
17
7.5
8.2
560
44
60
55
72
0.65
民
20
1
5
±100
1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
切换参数
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤10s
热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16采用t ，得到
≤
300μS脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
转2 ： 2012年2月
2/4
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AO6422
20V N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
5
V
DS
= 10V
I
D
= 5A
4
电容（pF）
V
GS
（伏）
600
C
国际空间站
400
800
3
2
1
200
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
0
0
1
2
3
4
5
6
7
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
R
DS （ ON）
有限
10s
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
1
1ms
10ms
100mss
10s
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
功率（W）的
100
I
D
（安培）
100s
100
10
0.1
0.01
0.1
1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
I
F
= -6.5A ，的di / dt = 100A / μs的
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
0.001
100
1000
T
on
T
4/4
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