AO6420
N沟道电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=4.2A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=4.2A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
50
85
60
13
0.78
1
3
450
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
60
25
1.65
9.5
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=4.2A
4.3
1.6
2.2
5.1
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=7,
R
根
=3
I
F
= 4.2A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 4.2A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
60
典型值
最大
单位
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
2.3
3
60
75
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
540
2
11.5
5.5
nC
nC
nC
nC
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
7
4
20
3
35
ns
ns
ns
ns
ns
nC
2.6
15.9
2
25.1
28.7
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
F.The电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
REV0 ： 2007年2月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
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www.aosmd.com
AO6420
典型的电和热性能：N - CHANNEL
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=30V
I
D
= 4.2A
电容（pF）
600
C
国际空间站
400
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
800
200
100.0
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
10s
100
1ms
DC
10ms
0.1s
1s
10s
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
30
10.0
I
D
（安培）
1.0
20
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
0.0
0.01
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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60V N沟道MOSFET
N沟道电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=3A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=4.2A
I
S
=1A,V
GS
=0V
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=4.2A
T
J
=125°
C
1
20
50
85
60
13
0.78
1
3
450
V
GS
=0V, V
DS
= 30V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
60
25
1.65
9.5
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，我
D
=4.2A
4.3
1.6
2.2
5.1
V
GS
=10V, V
DS
= 30V ，R
L
=7,
R
根
=3
I
F
= 4.2A ，的di / dt = 100A / μs的
2.6
15.9
2
25.1
28.7
7
4
20
3
35
2
11.5
5.5
540
75
60
2.3
民
60
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 4.2A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.The电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
转2 ： 2012年2月
2/4
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AO6420
60V N沟道MOSFET
典型的电和热性能：N - CHANNEL
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=30V
I
D
= 4.2A
电容（pF）
600
C
国际空间站
400
C
OSS
C
RSS
0
0
10
20
30
40
50
60
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
800
200
100.0
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
功率（W）的
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
DC
10ms
0.1s
1s
10s
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
10.0
I
D
（安培）
1.0
20
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
0.0
0
0.001
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.01
0.1
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=110°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
0.001
100
1000
4/4
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