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AO6409AL
P沟道增强模式
场效应晶体管
概述
该AO6409AL采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作
与栅极电压可低至1.8V 。此装置适用于
用作负载开关应用。
产品概述
参数
V
DS
I
D
（在V
GS
=-4.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= -4.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= -2.5V)
R
DS （ ON）
（在V
GS
= -1.8V)
-20V
-5.5A
< 44mΩ
< 53mΩ
< 68mΩ
- 符合RoHS标准
- 无卤素
ESD保护
顶视图
TSOP6
底部视图
顶视图
D
D
D
G
D
D
S
S
G
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
最大
-20
±8
-5.5
-4
-30
2.1
1.3
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
W
°C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
75
37
最大
60
90
45
单位
° C / W
° C / W
° C / W
冯0 ： 2009年1月
www.aosmd.com
第1页5
AO6409AL
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ，我
D
=-5A
V
GS
= -1.8V ，我
D
=-4A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-5.5A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
620
V
GS
=0V, V
DS
= -10V ， F = 1MHz的
80
50
7.4
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，我
D
=-5.5A
1.2
1
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= -5.5A ，的di / dt = 500A / μs的
2
民
-20
典型值
最大
单位
V
-1
-5
±10
-0.35
-30
36
51
44
53
20
-0.64
-1
-2
780
115
80
9.3
1.5
1.8
120
240
2.8
2
11
24
14
30
17
36
940
150
110
11
1.8
2.5
44
61
53
68
-0.57
-0.85
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
s
s
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
输出电容
反向传输电容
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5.5A ，的di / dt = 500A / μs的
的R A的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
冯0 ： 2009年1月
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2009年1月
www.aosmd.com
页2的5
AO6409AL
典型的电气和热特性
40
35
30
25
I
D
(A)
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特性（注五）
80
70
R
DS （ ON）
(m
)
60
50
40
30
20
0
6
8
10
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压（注五）
2
4
V
GS
=-2.5V
V
GS
=-4.5V
归一化的导通电阻
1.6
I
D
= -5.5A ，V
GS
=-4.5V
1.4
I
D
= -5A ，V
GS
=-2.5V
V
GS
=-1.8V
V
GS
=-1.5V
0
0
0.5
1
1.5
2
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性（注五）
-2.0V
-2.5V
9
I
D
(A)
6
3
-8V
-4.5V
-3.0V
12
15
V
DS
=-5V
125°C
25°C
1.2
1
17
5
I
D
= -4A ，V
GS
=-1.8V
2
10
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
0
图4 ：导通电阻与结温
18
（注五）
120
I
D
=-5.5A
100
R
DS （ ON）
(m
)
80
125°C
60
40
20
0
2
4
25°C
6
8
1.0E+01
1.0E+00
40
1.0E-01
I
S
(A)
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的特性（注五）
125°C
25°C
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
（注五）
冯0 ： 2009年1月
www.aosmd.com
第3 5
AO6409AL
典型的电气和热特性
5
V
DS
=-10V
I
D
=-5.5A
电容（pF）
1400
1200
1000
800
600
400
200
0
0
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
4
12
0
C
RSS
10
15
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
20
C
OSS
C
国际空间站
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
100
1000
10
10s
功率（W）的
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100
1m
10ms
100ms
10s
1
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
DC
1
0.00001
0.01
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0.001
0.1
10
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=90°C/W
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注F）
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.01
0.1
1
T
10
100
1000
0.01
0.001
0.00001
0.0001
0.001
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
冯0 ： 2009年1月
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第4 5
AO6409AL
栅极电荷测试电路& W aveform
VGS
Qg
-10V
VDC
VDC
DUT
VGS
Ig
esistive S瓦特瘙痒牛逼EST ircuit & W avefo RM s
RL
V DS
V GS
V GS
Rg
V GS
V DS
DUT
VDC
IO德 EC安理牛逼EST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
VG s
t
rr
VDS -
ISD
V GS
L
+
VD
Ig
-
冯0 ： 2009年1月
+
收费
t
on
t
D（上）
t
r
t
（O FF ）
t
关闭
t
f
+
V DD
-V s
-
-
+
-
VDS
QGS
QGD
V DD
90%
10%
Q
rr
= -
IDT
-Isd
-I
F
D I / D吨
-I
R M
V DD
www.aosmd.com
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