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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1863页 > AO6408L
AO6408
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO6408采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。它提供
运行在一个很宽的栅极驱动范围从1.8V至
12V 。这是ESD保护。此装置适用于
使用作为负载开关。标准产品
AO6408是有铅
免费（符合ROHS &索尼259规格） 。
AO6408L是一个绿色产品订购选项。
AO6408和AO6408L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 20V
(V
GS
= 10V)
I
D
= 8.8A
R
DS （ ON）
< 18MΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 20MΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 25MΩ （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 1.8V)
ESD额定值： 2000V HBM
TSOP-6
顶视图
D
D
G
1 6
2 5
3 4
D
D
S
G
D
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
B
最大
20
±12
8.8
7
40
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
47.5
74
37
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6408 ， AO6408L
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
BV
GSO
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
栅源击穿电压
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±10V
V
DS
= 0V时，我
G
=±250uA
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8.8A
T
J
=125°C
R
DS （ ON）
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=6A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=4A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8.8A
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
静态漏源导通电阻
±12
0.5
40
14.4
18.5
16
20.5
25.6
33
0.72
18
23
20
25
32
1
3
2200
民
20
10
25
±10
0.75
1
典型值
最大
单位
V
A
A
V
V
A
m
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
27
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1810
232
200
1.6
17.9
1.5
4.7
3.3
5.9
44
7.7
22
9.8
2.2
22
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=8.8A
V
GS
=10V, V
DS
= 10V ，R
L
=1.1,
R
根
=3
I
F
= 8.8A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 8.8A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV3 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6408 ， AO6408L
典型的电气和热特性
40
10V
2.5V
30
4.5V
2V
16
12
20
I
D
(A)
8
10
V
GS
=1.5V
0
0
2
3
4
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
1
5
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
V
GS （伏特）
图2 ：传输特性
1.6
归一化的导通电阻
V
GS
=1.8V
30
R
DS （ ON）
(m
)
V
GS
=2.5V
V
GS
=4.5V
V
GS
=2.5V,6A
1.4
V
GS
= 4.5V ， 8A
125°C
20
V
DS
=5V
I
D
(A)
25°C
40
20
1.2
V
GS
= 10V ， 8.8A
1
V
GS
= 1.8V ， 4A
10
V
GS
=10V
0
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
1.0E+01
1.0E+00
40
30
R
DS （ ON）
(m
)
I
D
=6A
1.0E-01
125°C
125°C
20
25°C
10
I
S
(A)
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
25°C
0
0
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6408 ， AO6408L
典型的电气和热特性
5
2800
V
DS
=10V
I
D
=8.8A
电容（pF）
2400
2000
1600
1200
800
400
0
0
4
8
12
16
20
0
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100.0
40
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
100s
10ms
0.1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
1
100
1s
10s
DC
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
功率（W）的
1ms
30
20
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
15
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
20
C
OSS
C
RSS
4
V
GS
（伏）
C
国际空间站
3
2
1
0
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AM29LV400BB-55RFI
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AME8501BEETCF18
AT27C4096-15VI
AD9740ACP
ASMC-PHB9-TW4S5
AM2F-0507S
AZ770-1A-9D
AT27LV256A-90TI
AD2710
供货商
型号
厂家
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数量
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操作
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    AO6408L
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AO6408L
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联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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联系人：吴
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电话：755-83210909 / 83616256
联系人：夏先生
地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)
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