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2003年1月
AO6407
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO6407采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压低至1.8V 。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -5 A
R
DS ( ON)
< 45mΩ (V
GS
= -4.5V)
R
DS ( ON)
<的60mΩ (V
GS
= -2.5V)
R
DS ( ON)
< 85mΩ (V
GS
= -1.8V)
D
TSOP6
顶视图
D
D
G
1 6
2 5
3 4
D
D
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-20
±8
-5.5
-4.5
-30
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
47.5
74
37
最大
62.5
110
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6407
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-5A
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-4A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-2A
V
DS
= -5V ,我
D
=-5A
-0.3
-25
34
48
46
7
61
14
-0.78
45
60
60
85
-1
-2.2
-0.55
-20
-1
-5
±100
-1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
1180
176
142
15
13
1.2
3.6
13.2
21
93
46
43
21
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,我
D
=-5A
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=2.0,
R
=3
I
F
= -5A ,的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻
投资评级。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6407
典型的电气和热特性
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
80
归一化的导通电阻
V
GS
=-1.8V
R
DS ( ON)
(m
)
60
V
GS
=-2.5V
40
V
GS
=-4.5V
20
0
2
4
6
8
10
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
100
90
80
R
DS ( ON)
(m
)
70
60
50
40
30
20
0
2
4
6
8
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
1.0E-05
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
125°C
1.0E-04
I
D
=-5A
-I
S
(A)
1.0E+01
1.0E+00
125°C
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.6
I
D
= -5A ,V
GS
=-4.5V
1.4
I
D
= -3A ,V
GS
=-1.8V
I
D
= -4A ,V
GS
=-2.5V
V
GS
=-1.5V
-8V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
-I
D
(A)
-2.0V
6
-I
D
(A)
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
10
V
DS
=-5V
8
125°C
25°C
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6407
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
(伏)
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2000
V
DS
=-10V
I
D
=-5A
电容(pF)
1600
C
国际空间站
1200
800
C
OSS
400
0
0
C
RSS
5
10
15
20
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
R
DS ( ON)
有限
0.1s
40
10s
功率(W)的
100s
1ms
10ms
30
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
(安培)
10.0
20
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
ALPHA & OMEGA
半导体公司
TSOP -6封装的数据
符号
单位:毫米
θ
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
θ1
1.00
0.00
1.00
0.35
0.10
2.70
2.60
1.60
0.37
1.10
0.40
0.13
2.90
2.80
1.80
0.95 BSC
1.90 BSC
最大
1.25
0.10
1.15
0.50
0.20
3.10
3.00
2.00
包装标记说明
飞机座位
注意:
1.无铅封装: 150微英寸( 3.8微米) MIN 。
40μm的锡/铅(焊锡)镀在LEAD
2.公差± 0.100毫米( 4密耳),除非另有
特定网络版
3.共面性: 0.1000毫米
4.尺寸L是衡量GAGE平面
压力表飞机
推荐地格局
TSOP - 6 PART NO 。 CODE
产品型号
CODE
D7
PNDLN
AO6407
注意:
P N - 器件编码。
- 雅尔和星期。
L N - 装配批号, Fab和
装配位置代码。
2003年1月
AO6407
P沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO6407采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压低至1.8V 。这
装置适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。
特点
V
DS
(V) = -20V
I
D
= -5 A
R
DS ( ON)
< 45mΩ (V
GS
= -4.5V)
R
DS ( ON)
<的60mΩ (V
GS
= -2.5V)
R
DS ( ON)
< 85mΩ (V
GS
= -1.8V)
D
TSOP6
顶视图
D
D
G
1 6
2 5
3 4
D
D
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-20
±8
-5.5
-4.5
-30
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
47.5
74
37
最大
62.5
110
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6407
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-5A
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-4A
V
GS
= -1.8V ,我
D
=-2A
V
DS
= -5V ,我
D
=-5A
-0.3
-25
34
48
46
7
61
14
-0.78
45
60
60
85
-1
-2.2
-0.55
-20
-1
-5
±100
-1
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
V
GS
=0V, V
DS
= -10V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
1180
176
142
15
13
1.2
3.6
13.2
21
93
46
43
21
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,我
D
=-5A
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -10V ,R
L
=2.0,
R
=3
I
F
= -5A ,的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5A ,的di / dt = 100A / μs的
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻
投资评级。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6407
典型的电气和热特性
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
80
归一化的导通电阻
V
GS
=-1.8V
R
DS ( ON)
(m
)
60
V
GS
=-2.5V
40
V
GS
=-4.5V
20
0
2
4
6
8
10
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
100
90
80
R
DS ( ON)
(m
)
70
60
50
40
30
20
0
2
4
6
8
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
1.0E-05
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
125°C
1.0E-04
I
D
=-5A
-I
S
(A)
1.0E+01
1.0E+00
125°C
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
25°C
1.6
I
D
= -5A ,V
GS
=-4.5V
1.4
I
D
= -3A ,V
GS
=-1.8V
I
D
= -4A ,V
GS
=-2.5V
V
GS
=-1.5V
-8V
-4.5V
-3.0V
-2.5V
-I
D
(A)
-2.0V
6
-I
D
(A)
4
2
0
0
0.5
1
1.5
2
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
10
V
DS
=-5V
8
125°C
25°C
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6407
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
(伏)
3
2
1
0
0
3
6
9
12
15
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2000
V
DS
=-10V
I
D
=-5A
电容(pF)
1600
C
国际空间站
1200
800
C
OSS
400
0
0
C
RSS
5
10
15
20
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
R
DS ( ON)
有限
0.1s
40
10s
功率(W)的
100s
1ms
10ms
30
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
(安培)
10.0
20
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
ALPHA & OMEGA
半导体公司
TSOP -6封装的数据
符号
单位:毫米
θ
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
θ1
1.00
0.00
1.00
0.35
0.10
2.70
2.60
1.60
0.37
1.10
0.40
0.13
2.90
2.80
1.80
0.95 BSC
1.90 BSC
最大
1.25
0.10
1.15
0.50
0.20
3.10
3.00
2.00
包装标记说明
飞机座位
注意:
1.无铅封装: 150微英寸( 3.8微米) MIN 。
40μm的锡/铅(焊锡)镀在LEAD
2.公差± 0.100毫米( 4密耳),除非另有
特定网络版
3.共面性: 0.1000毫米
4.尺寸L是衡量GAGE平面
压力表飞机
推荐地格局
TSOP - 6 PART NO 。 CODE
产品型号
CODE
D7
PNDLN
AO6407
注意:
P N - 器件编码。
- 雅尔和星期。
L N - 装配批号, Fab和
装配位置代码。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AO6407
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    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AO6407
AOS/万代
21+
18600
全新原装正品/质量有保证
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电话:0755-23600726
联系人:林先生
地址:深圳福田区华强北都会电子市场2B044B
AO6407
ALPHA
25+
36000
SMD
全新原装现货,特价大量供货!
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电话:0755-83223957 83247340
联系人:李先生/吴小姐/ 朱先生
地址:深圳市福田区航都大厦17F1 可提供13%增值税发票
AO6407
ALPHA
23+
5000
SOT-163
进口原装现货假一赔十可开增值税发票
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
AO6407
10
22500
SMD
全新原装正品,现货库存
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电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
AO6407
AOS
2019
79600
TSOP-6
原装正品 钻石品质 假一赔十
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
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AOS万代
2019+
15000
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十年专营,供应原装正品!热卖现货!
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电话:15914072177
联系人:林先生
地址:深圳市福田区华强北街道佳和潮流前线商场负一楼1A236
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24+
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公司现货,全新原厂原装正品!
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
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12300
全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
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