添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线:13692101218  13751165337
51电子网联系电话:13692101218
位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1156页 > AO6400
2001年7月
AO6400
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO6400采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。这
装置适合于用作负载开关或在
PWM应用。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9 A
R
DS ( ON)
< 28mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 33mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 52mΩ (V
GS
= 2.5V)
TSOP-6
顶视图
D
D
G
1 6
2 5
3 4
D
D
S
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
最大
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±12
连续漏极
T
A
=25°C
6.9
A
当前
T
A
=70°C
5.8
I
D
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
A
单位
V
V
A
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
35
2
1.44
-55到150
W
°C
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
A
A
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
47.5
74
37
最大
62.5
110
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6400
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=6.9A
T
J
=125°C
0.7
35
1.1
22.3
31.5
26.8
42.8
15
0.71
30
1
5
100
1.4
28
39
33
52
1
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=5A
V
DS
= 5V ,我
D
=5A
正向跨导
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
10
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
g
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
823
99
77
1.2
9.6
1.65
3
5.5
5.1
37
4.2
16
8.9
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=5.8A
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.7,
R
=6
I
F
= 5A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 5A ,的di / dt = 100A / μs的
2
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10S热
性的评价。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6400
典型的电气和热特性
25
20
4.5V
15
I
D
(A)
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
60
50
R
DS ( ON)
(m
)
40
30
20
10
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=2.5V
归一化的导通电阻
1.8
1.6
V
GS
=4.5V
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=10V
V
GS
=2.5V
V
GS
=2V
2.5V
I
D
(A)
12
20
10V
3V
16
V
DS
=5V
8
125°C
4
25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
125°C
I
D
=5A
I
S
(A)
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
25°C
亚尔发和奥米加半导体有限公司
R
DS ( ON)
(m
)
AO6400
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
(伏)
3
2
1
200
0
0
6
8
10
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
4
12
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容(pF)
1400
1200
1000
800
600
400
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
100s
1ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
10ms
功率(W)的
40
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
30
10.0
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/(T
on
+T
关闭
)
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
关闭
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
ALPHA & OMEGA
半导体公司
TSOP -6封装的数据
符号
单位:毫米
θ
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
θ1
1.00
0.00
1.00
0.35
0.10
2.70
2.60
1.60
0.37
1.10
0.40
0.13
2.90
2.80
1.80
0.95 BSC
1.90 BSC
最大
1.25
0.10
1.15
0.50
0.20
3.10
3.00
2.00
包装标记说明
飞机座位
注意:
1.无铅封装: 150微英寸( 3.8微米) MIN 。
40μm的锡/铅(焊锡)镀在LEAD
2.公差± 0.100毫米( 4密耳),除非另有
特定网络版
3.共面性: 0.1000毫米
4.尺寸L是衡量GAGE平面
压力表飞机
推荐地格局
TSOP - 6 PART NO 。 CODE
产品型号
AO6400
AO6401
CODE
D0
D1
注意:
P N - 器件编码。
- 雅尔和星期。
L N - 装配批号, Fab和
装配位置代码。
2001年7月
AO6400
N沟道增强型网络场效晶体管
概述
该AO6400采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和
操作与栅极电压低至2.5V 。这
装置适合于用作负载开关或在
PWM应用。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9 A
R
DS ( ON)
< 28mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 33mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 52mΩ (V
GS
= 2.5V)
TSOP-6
顶视图
D
D
G
1 6
2 5
3 4
D
D
S
D
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
最大
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±12
连续漏极
T
A
=25°C
6.9
A
当前
T
A
=70°C
5.8
I
D
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
A
单位
V
V
A
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
35
2
1.44
-55到150
W
°C
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
符号
A
A
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
47.5
74
37
最大
62.5
110
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6400
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=6.9A
T
J
=125°C
0.7
35
1.1
22.3
31.5
26.8
42.8
15
0.71
30
1
5
100
1.4
28
39
33
52
1
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=5A
V
DS
= 5V ,我
D
=5A
正向跨导
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管连续电流
10
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
反向传输电容
C
RSS
栅极电阻
R
g
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
823
99
77
1.2
9.6
1.65
3
5.5
5.1
37
4.2
16
8.9
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=5.8A
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.7,
R
=6
I
F
= 5A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 5A ,的di / dt = 100A / μs的
2
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10S热
性的评价。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO6400
典型的电气和热特性
25
20
4.5V
15
I
D
(A)
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
60
50
R
DS ( ON)
(m
)
40
30
20
10
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=2.5V
归一化的导通电阻
1.8
1.6
V
GS
=4.5V
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=10V
V
GS
=2.5V
V
GS
=2V
2.5V
I
D
(A)
12
20
10V
3V
16
V
DS
=5V
8
125°C
4
25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
70
60
50
40
30
20
10
0
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
125°C
I
D
=5A
I
S
(A)
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
25°C
亚尔发和奥米加半导体有限公司
R
DS ( ON)
(m
)
AO6400
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
(伏)
3
2
1
200
0
0
6
8
10
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
4
12
0
0
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
10
30
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容(pF)
1400
1200
1000
800
600
400
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
100s
1ms
0.1s
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
10ms
功率(W)的
40
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
30
10.0
I
D
(安培)
R
DS ( ON)
有限
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/(T
on
+T
关闭
)
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
关闭
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
ALPHA & OMEGA
半导体公司
TSOP -6封装的数据
符号
单位:毫米
θ
A
A1
A2
b
c
D
E
E1
e
e1
L
θ1
1.00
0.00
1.00
0.35
0.10
2.70
2.60
1.60
0.37
1.10
0.40
0.13
2.90
2.80
1.80
0.95 BSC
1.90 BSC
最大
1.25
0.10
1.15
0.50
0.20
3.10
3.00
2.00
包装标记说明
飞机座位
注意:
1.无铅封装: 150微英寸( 3.8微米) MIN 。
40μm的锡/铅(焊锡)镀在LEAD
2.公差± 0.100毫米( 4密耳),除非另有
特定网络版
3.共面性: 0.1000毫米
4.尺寸L是衡量GAGE平面
压力表飞机
推荐地格局
TSOP - 6 PART NO 。 CODE
产品型号
AO6400
AO6401
CODE
D0
D1
注意:
P N - 器件编码。
- 雅尔和星期。
L N - 装配批号, Fab和
装配位置代码。
飞思卡尔
N沟道20V (D -S )的MOSFET
这些微型表面贴装MOSFET采用一
高密度沟槽工艺,以提供低
r
DS ( ON)
并且,以确保最小的功率损失和发热
耗散。典型的应用是DC- DC
转换器和电源管理在便携式和
电池供电的产品,如计算机,
打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳
电话。
AO6400/MC6400
产品概述
V (V)
r
DS ( ON)
(欧姆)
DS
0.032 @ V
S
= 4.5 V
G
30
0.044 @ V = 2.5V
GS
I
D
(A)
6.0
5.0
低R
DS ( ON)
提供了更高的效率和
延长电池寿命
低热阻抗的铜引线框架
TSOP - 6可节省电路板空间
开关速度快
高性能沟道技术
1
2
3
6
5
4
绝对最大额定值(T
A
= 25°C除非另有说明)
符号最大单位
参数
V
DS
30
漏源电压
V
V
GS
±12
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲
b
a
a
o
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
I
D
I
DM
I
S
6.0
4.6
±20
1.6
2.0
1.3
-55到150
A
W
o
A
连续源电流(二极管传导)
功耗
a
T
A
=25 C
T
A
=70 C
o
o
P
D
T
J
, T
英镑
工作结存储温度范围
C
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
a
符号
R
thJA
最大单位
62.5
110
o
吨< = 5秒
稳态
C / W
笔记
a.
表面装在1 “×1” FR4板。
b.
脉冲宽度有限的最高结温
1
www.freescale.net.cn
飞思卡尔
AO6400/MC6400
规格(T
A
= 25°C除非另有说明)
参数
STATIC
栅极阈值电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
o
符号
测试条件
范围
最小典型最大
0.7
1.5
±100
o
单位
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
I
D(上)
r
DS ( ON)
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= ±8 V
V
nA
uA
A
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ,T
J
= 55 C
1
10
10
32
44
11.3
0.75
6.0
1.0
1.5
8
24
35
10
漏源导通电阻
A
转发Tranconductance
A
二极管的正向电压
V
DS
= 5 V, V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 6.0 A
V
GS
= 2.5 V,I
D
= 5.0 A
V
DS
= 10 V,I
D
= 4.0 A
I
S
= 1.6 A,V
GS
= 0 V
毫欧
S
V
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V,I
D
= 4.0 A
nC
V
DD
= 10 V ,R
L
= 15 O,I
D
= 1 A,
V
= 4.5 V
ns
笔记
a.
脉冲测试: PW < = 300US占空比< = 2 % 。
b.
通过设计保证,不受生产测试。
飞思卡尔
保留随时更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。飞思卡尔不作任何保证,声明
或保证对其产品是否适合任何特定用途,也不飞思卡尔承担因应用程序的任何责任或
使用任何产品或电路,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带
损害赔偿。可在飞思卡尔的数据表和/或规格提供“典型”参数可以做不同在不同的应用和
实际性能可能随时间变化。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的应用程序通过验证
客户的技术专家。飞思卡尔不转让任何许可ü的nDer其专利权或他人的权利。飞思卡尔的产品不是设计,
意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或用于支持其他应用程序或
维持生命,或任何其他应用程序在飞思卡尔产品的故障可能造成一种情况,个人万人受伤y或死亡可能会发生。
如果买方购买或使用飞思卡尔的产品用于任何unintende d或未经授权的应用程序,买方应赔偿并freescaleand其
管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师
即使这样产生出来的,直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,费用
索赔称,有关部分的设计还是人为ufacture飞思卡尔是疏忽。飞思卡尔是一个机会均等/肯定一个ction雇主。
2
www.freescale.net.cn
飞思卡尔
AO6400/MC6400
包装信息
TSOP- 6: 6LEAD
3
www.freescale.net.cn
AO6400
30V N沟道MOSFET
概述
该AO6400采用先进的沟槽技术,提供
优秀的研发
DS ( ON)
,低栅极电荷和操作门
电压低至2.5V 。这个装置是适合于用作
负载开关或PWM应用。
产品概述
V
DS
I
D
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
=10V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
(在V
GS
= 2.5V)
30V
6.9A
< 28mΩ
< 33mΩ
< 52mΩ
TSOP6
顶视图
底部视图
顶视图
D
D
D
G
1
1
2
3
6
5
4
D
D
S
G
S
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ,除非另有说明
C
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
功耗
B
C
最大
30
±12
6.9
5.8
35
2
1.3
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
47.5
74
37
最大
62.5
110
50
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
启12 : 2011年12月
www.aosmd.com
第1页5
AO6400
电气特性(T
J
= 25℃除非另有说明)
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=6.9A
R
DS ( ON)
静态漏源导通电阻
T
J
=125°
C
V
GS
= 4.5V ,我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ,我
D
=5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ,我
D
=6.9A
I
S
=1A,V
GS
=0V
0.65
35
18
28
19
24
33
0.7
1
2
630
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
1.5
75
50
3
6
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ,我
D
=6.9A
1.3
1.8
3
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.2,
R
=3
I
F
= 6.9A ,的di / dt = 100A / μs的
2.5
25
4
8.5
2.6
4.5
7
28
39
33
52
1.05
30
1
5
100
1.45
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 6.9A ,的di / dt = 100A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J(下最大)
= 150℃,使用
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级,脉冲宽度有限的结温度T
J(下最大)
= 150℃。额定值基于低频和占空比,以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 %最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜,假设T的最高结温
J(下最大)
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
启12 : 2011年12月
www.aosmd.com
页2的5
AO6400
典型的电气和热特性
40
35
30
25
I
D
(A)
20
15
10
V
GS
=2V
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特性(注五)
30
归一化的导通电阻
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
(伏)
图2 :传输特性(注五)
2.5V
I
D
(A)
10V
3V
4.5V
12
15
V
DS
=5V
9
6
125°C
3
25°C
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
10
15
20
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压(注五)
5
0
25
50
75
100
125
150
175
V
GS
=4.5V
Id=6A
25
R
DS ( ON)
(m)
V
GS
=4.5V
20
15
V
GS
=10V
17
5
V
GS
=10V
Id=6.9A
2
10
10
0
温度( δ
C)
图4 :导通电阻与结温
18
(注五)
50
I
D
=6.9A
1.0E+01
1.0E+00
40
R
DS ( ON)
(m)
I
S
(A)
125°C
30
40
1.0E-01
1.0E-02
25°C
1.0E-03
125°C
20
25°C
1.0E-04
10
0
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
(注五)
2
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性(注五)
启12 : 2011年12月
www.aosmd.com
第3 5
AO6400
典型的电气和热特性
5
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
4
电容(pF)
800
C
国际空间站
V
GS
(伏)
3
600
1000
2
400
C
OSS
200
C
RSS
0
10
15
20
25
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
5
30
1
0
0
4
6
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
2
8
0
100.0
1000
T
A
=25°C
10.0
I
D
(安培)
100s
1ms
10ms
1.0
功率(W)的
R
DS ( ON)
有限
10s
100
10
0.1
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
10s
DC
1
V
DS
(伏)
10
100
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注F)
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
0.0
0.01
0.1
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注F)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=110°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
0.1
0.01
单脉冲
P
D
T
on
T
10
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注F)
启12 : 2011年12月
www.aosmd.com
第4 5
AO6400
栅极电荷测试电路波形&
VGS
Qg
+
VDC
10V
VDC
-
DUT
VGS
Ig
+
VDS
-
QGS
QGD
收费
ES istiv (E S)瓦特痒荷兰国际集团率T e ST ircu它& W上的已经FO RM s
RL
V DS
VDS
VGS
Rg
DUT
+
VDC
90 %
VDD
1 0%
V GS
-
t
(O N)
t
0:N
t
r
t
(O FF )
t
FF
t
f
VGS
IODE ecovery牛逼EST ircuit & W aveform s
V DS +
DUT
V GS
t
rr
Q
rr
= -
IDT
V DS -
ISD
V GS
L
ISD
I
F
的di / dt
I
RM
V DD
+
VD
V DD
V DS
Ig
-
启12 : 2011年12月
www.aosmd.com
页5
查看更多AO6400PDF信息
推荐型号
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    AO6400
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2276945435 复制 点击这里给我发消息 QQ:2801615837 复制

电话:0755-82522939
联系人:彭小姐
地址:广东省深圳市福田区福华路嘉汇新汇商中心1020
AO6400
AOS
6000
21+
原包装原标现货,假一罚十,
0.1
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885659455 复制

电话:0755-83951431
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北路1002号赛格广场47楼4707B/香港九龙观塘鸿图大道55号京泰大厦1608室
AO6400
友台 UMW
23+
27000
SOT23-6
0.31¥/片,原装在这里!!!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AO6400
ALPHA
21+
15000.00
SOT23-6
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885393494 复制 点击这里给我发消息 QQ:2885393495 复制

电话:0755-83244680/82865294
联系人:吴小姐
地址:深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
AO6400
AOS/万代
24+
68500
SOT23-6
原装进口正品现货,只做原装,长期供货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2468889968 复制

电话:0755-83259360
联系人:邓
地址:福田区振华路深纺大厦b栋806-51
AO6400
AOS/万代
21+
3000
TSOP6
原装进口现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004264855 复制

电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
AO6400
AOS/万代
24+
200000
优质供应商,支持样品配送。原装诚信
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3003319701 复制
电话:0755-23612326
联系人:唐
地址:福田区振兴路华康大厦1栋519室
AO6400
AOS
2019
79600
TSOP-6
原装正品 钻石品质 假一赔十
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2468889968 复制

电话:0755-83259360
联系人:邓
地址:福田区振华路深纺大厦b栋806-51
AO6400
AOS/万代
21+
3000
TSOP6
原装进口现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2468889968 复制

电话:0755-83259360
联系人:邓
地址:福田区振华路深纺大厦b栋806-51
AO6400
AOS/万代
21+
3000
TSOP6
原装进口现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:565106636 复制 点击这里给我发消息 QQ:414322027 复制
电话:15026993318 // 13764057178 // 15821228847
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
AO6400
AOS/万代
2024
20918
SOT23-6
上海原装现货库存,欢迎咨询合作
查询更多AO6400供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功!