AO5404E
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=0.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=0.3A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=0.5A
二极管的正向电压
I
S
=0.1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
0.45
3
0.395
0.6
0.479
0.578
1.5
0.65
1
0.4
35
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
8
6
0.63
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=0.5A
0.08
0.16
4.5
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=50,
R
根
=3
I
F
= 0.5A ，的di / dt = 100A / μs的
3.3
78
32
8
2
10
1
45
0.55
0.85
0.68
0.8
0.6
民
20
1
5
±1
±100
1
典型值
最大
单位
V
Α
A
A
V
A
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
输出电容
反向传输电容
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 0.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
0.5
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
0.45
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
0.28
提供了单一的脉冲等级。
0.18
F.最大电流等级债券的电线被限制
REV0 ：一月， 08
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO5404E
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
C
RSS
0
5
10
15
20
V
DS
=10V
I
D
=0.5A
电容（pF）
西塞
40
60
20
C
OSS
0
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10.0
14
10s
功率（W）的
1.0
I
D
（安培）
12
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
100
1ms
10ms
1s
10s
10
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
100
8
6
4
2
0
0.0001
0.1
DC
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
0.1s
0.0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=450°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.5
0.45
0.28
0.18
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO5804E
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=0.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=0.3A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=0.5A
I
S
=0.1A,V
GS
=0V
0.45
3
0.4
0.6
0.48
0.6
1.5
0.65
1
0.4
35
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
8
6
0.63
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=0.5A
0.08
0.16
4.5
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=50,
R
根
=3
I
F
= 0.5A ，的di / dt = 100A / μs的
3.3
78
32
8
2
10
1
45
0.55
0.85
0.68
0.8
0.6
民
20
1
5
±1
±100
1
典型值
最大
单位
V
Α
A
A
V
A
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 0.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。额定电流是基于t ≤ 10秒热阻率。
0.5
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
0.45
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
C.第r
θJA
图D.静态特性1 6,12,14使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
0.28
提供了单一的脉冲等级。
0.18
F.最大电流等级债券的电线被限制
REV3 ： 2008年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO5804E
典型的电气和热特性
5
V
DS
=10V
I
D
=0.5A
电容（pF）
40
西塞
60
4
V
GS
（伏）
3
2
20
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
1
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10.0
14
10s
功率（W）的
1.0
I
D
（安培）
12
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
DC
0.1s
8
6
4
2
0
0.0001
0.1
10ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1s
10s
10
100
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
0.001
0.01
0.1
1
10
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=450°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.5
0.45
0.28
0.18
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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AO5804E
双N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AO5804E / L采用了先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和
操作与栅极电压低至1.8V 。这个装置是适合于用作负载开关或以PWM
应用程序。 AO5804E和AO5804EL是电相同。
-RoHS标准
-AO5804EL是无卤
特点
V
DS
(V) = 20V
I
D
= 0.5 A （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 0.55Ω （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 0.68Ω （V
GS
= 2.5V)
R
DS （ ON）
< 0.80Ω （V
GS
= 1.8V)
D1
D2
G1
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
10秒
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
A，F
当前
漏电流脉冲
功耗
A
B
稳定状态
20
±8
0.5
0.45
3
0.28
0.18
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
0.5
0.5
0.38
0.24
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
275
360
300
最大
330
450
350
单位
° C / W
° C / W
° C / W
1/5
www.freescale.net.cn
AO5804E
双N沟道增强型场
场效应晶体管
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=20V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±4.5V
V
DS
=0V, V
GS
=±8V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 4.5V ，我
D
=0.5A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 2.5V ，我
D
=0.5A
V
GS
= 1.8V ，我
D
=0.3A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=0.5A
I
S
=0.1A,V
GS
=0V
0.45
3
0.4
0.6
0.48
0.6
1.5
0.65
1
0.4
35
V
GS
=0V, V
DS
= 10V ， F = 1MHz的
8
6
0.63
V
GS
=4.5V, V
DS
= 10V ，我
D
=0.5A
0.08
0.16
4.5
V
GS
=5V, V
DS
= 10V ，R
L
=50,
R
根
=3
I
F
= 0.5A ，的di / dt = 100A / μs的
3.3
78
32
8
2
10
1
45
0.55
0.85
0.68
0.8
0.6
民
20
1
5
±1
±100
1
典型值
最大
单位
V
Α
A
A
V
A
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
输出电容
反向传输电容
切换参数
总栅极电荷
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 0.5A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。额定电流是基于t ≤ 10秒热阻率。
0.5
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
0.45
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
C.第r
θJA
图D.静态特性1 6,12,14使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
0.28
提供了单一的脉冲等级。
0.18
F.最大电流等级债券的电线被限制
REV3 ： 2008年8月
2/5
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AO5804E
双N沟道增强型场
场效应晶体管
典型的电气和热特性
5
V
DS
=10V
I
D
=0.5A
电容（pF）
40
西塞
60
4
V
GS
（伏）
3
2
20
C
OSS
C
RSS
0
5
10
15
20
1
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
10.0
14
10s
功率（W）的
1.0
I
D
（安培）
12
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
DC
0.1s
8
6
4
2
0
0.0001
0.1
10ms
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1s
10s
10
100
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
0.001
0.01
0.1
1
10
100
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=450°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.5
0.45
0.28
0.18
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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