SRFET
AO4928
非对称双N沟道增强型场效应晶体管
TM
概述
该AO4928采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。两
的MOSFET使一个紧凑和高效的开关和
同步整流器的组合为在DC-DC使用
转换器。在一个单片集成肖特基二极管
与同步MOSFET并联，以提高
效率进一步。
标准产品AO4928是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4928L是
绿色产品订购选项。 AO4928L和AO4928
是电相同。
SOIC-8
特点
FET1
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 9A
R
DS （ ON）
< 16mΩ
R
DS （ ON）
< 19.5mΩ
FET2
V
DS
(V) = 30V
I
D
=7.3A
(V
GS
= 10V)
<24m
(V
GS
= 10V)
<29m
(V
GS
= 4.5V)
UIS测试！
RG ，西塞，科斯，测试的Crss
SRFET
TM
软恢复
MOSFET ：
集成肖特基二极管
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
最大FET1
参数
V
DS
30
漏源电压
V
GS
栅源电压
±12
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
雪崩电流
C
C
最大FET2
30
±12
7.3
5.9
40
12
22
2.0
1.3
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
帝斯曼
I
DM
I
AR
E
AR
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
9.0
7.2
40
16
38
2.0
1.3
-55到150
A
mJ
W
°C
重复雪崩能量L = 0.3mH
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性FET1
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
C
最大结对铅
热特性FET2
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4928
FET1电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=7A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=9A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管+肖特基连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=9A
T
J
=125°C
1.5
40
13.2
20.5
15.7
64
0.4
0.6
4.5
1450
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
224
92
1.6
24.0
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=9A
12.0
3.9
4.2
5.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.7,
R
根
=3
I
F
= 9A ，的di / dt = 300A / μs的
I
F
= 9A ，的di / dt = 300A / μs的
4.7
24.0
4.0
10
6.8
13
3
31
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
1885
16
25.6
19.5
1.85
民
30
0.01
5
0.1
10
0.1
2.4
典型值
最大
单位
V
mA
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与设备在静止空气环境和T
A
= 25°C 。功耗P
帝斯曼
和电流额定值我
帝斯曼
是
基于T
J（下最大）
= 150 ° C，采用t
≤
10秒结到环境的热阻。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T = 25 ℃。国家海洋局
A
曲线提供了单个脉冲的评价。
REV0 ： 2006年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4928
FET1典型的电和热性能
10
8
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
电容（pF）
V
GS
（伏）
V
DS
=15V
I
D
=9A
2500
2000
1500
1000
500
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
动力参数
100.00
10s
R
DS （ ON）
有限
10s
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
100
1ms
功率（W）的
1s
50
40
30
20
10
T
J（下最大）
=175°C
T
C
=25°C
10.00
I
D
（安培）
1.00
0.10
0.01
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
0
0.0001
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
0.001
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=90°C/W
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
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