AO4902
双N沟道增强型场效应晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO4902采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。在两个相同的
MOSFET是共同包装的并联的肖特基
二极管，使其适合于许多桥梁和图腾柱
应用中，例如DDR内存。
标准产品
AO4902是Pb-free （符合ROHS &索尼259
规范）。 AO4902L是一个绿色产品订购
选项。 AO4902和AO4902L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 27mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下（V
GS
= 2.5V)
肖特基
V
DS
（V ） = 30V ，我
F
= 3A ，V
F
=0.5V@1A
D1
D2
K1
K2
S2/A2
G2
S1/A1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2/K2
D2/K2
D1/K1
D1/K1
G1
S1
A1
G2
S2
A2
SOIC-8
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
30
±12
6.9
5.8
40
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
B
T
A
=25°C
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
t
≤
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
30
3
2
2
1.44
-55到150
典型值
48
74
35
47.5
71
32
40
2
1.44
-55到150
最大
62.5
110
40
62.5
110
40
V
A
T
A
=70°C
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
≤
10s
稳态
稳态
最大结点到环境
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4902
电气特性（T = 25° C除非另有说明）
J
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
T
J
=125°C
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6.0A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
12
0.7
25
22.6
33
27
42
16
0.71
1
3
846
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
96
67
1.24
9.6
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=6.9A
1.65
3
3.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.2,
R
根
=3
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
4.5
26.3
4.8
15.5
7.9
0.45
3.2
12
37
0.5
10
20
pF
4.8
6.8
40
7
20
3.6
12
1050
27
40
32
50
1
民
30
1
5
100
1.4
典型值
最大单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
mA
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=1.0A
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°C
V
R
= 30V ，T
J
=150°C
V
R
=15V
2
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
C
T
最大反向漏电流
结电容
0.007 0.05
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10S热
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
REV3 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任ARISI
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4902
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1500
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
1250
1000
750
500
250
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
100.0
R
DS （ ON）
有限
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1ms
10ms
0.1s
100s
功率（W）的
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
10.0
I
D
(A)
20
1.0
1s
10s
DC
10
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
0.01
100
1000
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典型的电特性和热特性：肖特基
10
125°C
电容（pF）
250
F = 1MHz的
1
I
F
（安培）
200
150
100
50
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
5
10
15
20
25
30
V
F
（伏）
图12 ：肖特基正向特性
V
KA
（伏）
图13 ：肖特基电容特性
0.1
0.01
25°C
0.001
0.7
漏电流（mA ）
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
I
F
=3A
100
10
1
V
R
=30V
0.1
0.01
0.001
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图15 ：肖特基泄漏电流与结
温度
V
F
（伏）
I
F
=1A
图14 ：肖特基正向压降与结
温度
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：肖特基归最大瞬态热阻抗
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