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AO4840
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4840采用先进的沟槽技术
MOSFET，以提供优秀的研发
DS （ ON）
和低门
费。这种双重装置适合于用作负载
开关或PWM应用。
标准产品
AO4840是Pb-free （符合ROHS &索尼259
规范）。 AO4840L是一个绿色产品
订购选项。 AO4840和AO4840L是
电相同。
特点
V
DS
(V) = 40V
I
D
= 6A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 31mΩ （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 45mΩ （V
GS
=4.5V)
D2
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G2
G1
S2
D1
SOIC-8
S1
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
T
A
=25°C
T
A
=70°C
B
最大
40
±20
6
5
20
2
1.28
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
W
°C
符号
A
A
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
35
最大
62.5
110
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4840
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 10毫安，V
GS
=0V
V
DS
=32V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=6A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°C
1
20
25
36
35
22
0.75
1
3
404
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
95
37
2.7
8.3
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=6A
4.2
1.3
2.3
4.2
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=3.3,
R
根
=3
I
F
= 6A ，的di / dt = 100A / μs的
3.3
15.6
3
20.5
14.5
31
48
45
2.3
民
40
1
5
±100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 6A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。额定电流是基于t ≤ 10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
冯0 ： 2006年2月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4840
典型的电气和热特性
30
10V
25
20
I
D
(A)
4V
15
10
V
GS
=3.5V
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
5
25°C
I
D
(A)
10
125°C
5V
4.5V
15
20
V
DS
=5V
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
1.8
归一化的导通电阻
1.6
1.4
1.2
1
0.8
V
GS
=10V
I
D
=6A
V
GS
=4.5V
I
D
=5A
50
R
DS （ ON）
(m
)
40
V
GS
=4.5V
30
V
GS
=10V
20
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
80
70
60
R
DS （ ON）
(m
)
I
S
(A)
50
125°C
40
I
D
=6A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
25°C
125°C
30
25°C
20
10
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4840
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
10
20
30
40
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
V
DS
=30V
I
D
= 6A
电容（pF）
600
C
国际空间站
400
C
OSS
200
C
RSS
800
100.0
R
DS （ ON）
有限
10.0
I
D
（安培）
10ms
1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10s
DC
0.1s
100s
1ms
40
10s
功率（W）的
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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