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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符A型号页 > 首字符A的型号第1815页 > AO4836
AO4836
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4836采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
和同步整流器组合使用
降压转换器。这是ESD保护。
AO4836是有铅
免费(符合ROHS &索尼259规格) 。
AO4836L是一个绿色产品订购选项。
AO4836和AO4836L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 7.2A
R
DS ( ON)
< 24mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 40MΩ (V
GS
= 4.5V)
ESD等级: 1500V ( HBM )
D1
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
T
A
=25°C
A
当前
I
D
T
A
=70°C
漏电流脉冲
B
最大
30
±20
7.2
6.1
30
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
W
°C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
55
92
37
最大
62.5
110
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4836
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=7.2A
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=7.2A
T
J
=125°C
10
1
20
2
20
29
30
18
0.77
30
1
5
10
3
24
35
40
1
3
630
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
522
110
75
2.1
11
5.3
1.9
4
4.7
4.9
16.2
3.5
15.7
7.9
3
15
7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=7.2A
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.1,
R
=3
I
F
= 7.2A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 7.2A ,的di / dt = 100A / μs的
2
7
10
22
7
20
10
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.版本0 : 2005年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4836
典型的电气和热特性
30
25
20
I
D
(A)
15
10V
5V
4.5V
4V
I
D
(A)
20
16
12
V
DS
=5V
3.5V
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
V
GS
=3V
8
4
125°C
25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
40
归一化的导通电阻
35
R
DS ( ON)
(m
)
30
25
20
15
10
0
5
10
15
20
I
D
(安培)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
V
GS
=10V
I
D
=7.2A
70
1.0E+01
I
D
=7.2A
60
50
R
DS ( ON)
(m
)
125°C
40
30
20
10
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
1.0E+00
1.0E-01
I
S
安培
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性
125°C
25°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4836
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=7.2A
电容(pF)
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100
R
DS ( ON)
有限
10
I
D
(安培)
1ms
10ms
0.1s
1
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
10
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
100s
10s
功率W
40
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
100
1000
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4836
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4836采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。该
两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
和同步整流器组合使用
降压转换器。这是ESD保护。
AO4836是有铅
免费(符合ROHS &索尼259规格) 。
AO4836L是一个绿色产品订购选项。
AO4836和AO4836L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 7.2A
R
DS ( ON)
< 24mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 40MΩ (V
GS
= 4.5V)
ESD等级: 1500V ( HBM )
D1
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
T
A
=25°C
A
当前
I
D
T
A
=70°C
漏电流脉冲
B
最大
30
±20
7.2
6.1
30
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
W
°C
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
55
92
37
最大
62.5
110
50
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4836
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=4A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=7.2A
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=7.2A
T
J
=125°C
10
1
20
2
20
29
30
18
0.77
30
1
5
10
3
24
35
40
1
3
630
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
522
110
75
2.1
11
5.3
1.9
4
4.7
4.9
16.2
3.5
15.7
7.9
3
15
7
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=7.2A
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=2.1,
R
=3
I
F
= 7.2A ,的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 7.2A ,的di / dt = 100A / μs的
2
7
10
22
7
20
10
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻率。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F.版本0 : 2005年7月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4836
典型的电气和热特性
30
25
20
I
D
(A)
15
10V
5V
4.5V
4V
I
D
(A)
20
16
12
V
DS
=5V
3.5V
10
5
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
V
GS
=3V
8
4
125°C
25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
40
归一化的导通电阻
35
R
DS ( ON)
(m
)
30
25
20
15
10
0
5
10
15
20
I
D
(安培)
图3 :导通电阻与漏电流和
栅极电压
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5V
I
D
=6A
V
GS
=10V
I
D
=7.2A
70
1.0E+01
I
D
=7.2A
60
50
R
DS ( ON)
(m
)
125°C
40
30
20
10
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
1.0E+00
1.0E-01
I
S
安培
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
SD
(伏)
图6 :体二极管的特性
125°C
25°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4836
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=7.2A
电容(pF)
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
100
R
DS ( ON)
有限
10
I
D
(安培)
1ms
10ms
0.1s
1
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
(伏)
10
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
100s
10s
功率W
40
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
100
1000
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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