AO4832
常见的漏双N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AO4832采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作门
电压低至2.5V 。此装置适合于用作
负荷开关或PWM应用。
标准产品
AO4832是Pb-free （符合ROHS &索尼259
规范）。 AO4832L是一个绿色产品订购
选项。 AO4832和AO4832L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8 A（V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 15MΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 17mΩ （V
GS
= 4.5)
R
DS （ ON）
< 23mΩ （V
GS
= 2.5V)
TSSOP-8
顶视图
D1/D2
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D1/D2
S2
S2
G2
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
30
±12
8
6
30
1.5
1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
64
89
53
最大
83
120
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8816
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
T
J
=125°C
0.6
30
12.2
17
13
17.6
23
0.73
15
21
17
23
1
2.5
1
民
30
1
5
±100
1.4
典型值
最大
单位
V
A
nΑ
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态漏源导通电阻
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=4A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
t
rr
Q
rr
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1130
170
125
1.5
14
1.65
5.5
5.7
4.8
36
7
23
16
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=8A
V
GS
=5V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
20
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
转2 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8816
典型的电气和热特性
2000
V
DS
=15V
I
D
=8A
电容（pF
)
1600
C
国际空间站
1200
800
400
0
0
5
10
15
0
5
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
0
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0.73
10
15
20
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
0.1s
10ms
功率（W）的
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
10.0
30
20
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=83°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4832
常见的漏双N沟道增强型场
场效应晶体管
概述
该AO4832采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
，低栅极电荷和操作门
电压低至2.5V 。此装置适合于用作
负荷开关或PWM应用。
标准产品
AO4832是Pb-free （符合ROHS &索尼259
规范）。 AO4832L是一个绿色产品订购
选项。 AO4832和AO4832L是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 8 A（V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 15MΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 17mΩ （V
GS
= 4.5)
R
DS （ ON）
< 23mΩ （V
GS
= 2.5V)
TSSOP-8
顶视图
D1/D2
S1
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D1/D2
S2
S2
G2
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
30
±12
8
6
30
1.5
1
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
64
89
53
最大
83
120
70
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8816
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
T
J
=125°C
0.6
30
12.2
17
13
17.6
23
0.73
15
21
17
23
1
2.5
1
民
30
1
5
±100
1.4
典型值
最大
单位
V
A
nΑ
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态漏源导通电阻
g
FS
V
SD
I
S
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=4A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
t
rr
Q
rr
关断下降时间
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1130
170
125
1.5
14
1.65
5.5
5.7
4.8
36
7
23
16
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=8A
V
GS
=5V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8A ， di / dt的= 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
20
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
转2 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO8816
典型的电气和热特性
2000
V
DS
=15V
I
D
=8A
电容（pF
)
1600
C
国际空间站
1200
800
400
0
0
5
10
15
0
5
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
OSS
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
0
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0.73
10
15
20
100.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
R
DS （ ON）
有限
10s
100s
1ms
0.1s
10ms
功率（W）的
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
10.0
30
20
1.0
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=83°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4832
30V
双N沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.5
55
10.8
15.5
14
43
0.75
1
2.5
610
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
88
40
0.8
11
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=10A
5
760
125
70
1.6
14
6.6
2.4
3
4.4
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.9
2.5
13
19
17.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
910
160
100
2.4
17
8
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
9
17
6
5.6
6.4
7
8
8
9.6
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
2/6
www.freescale.net.cn
AO4832
30V
双N沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图12 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
0.01
5/6
www.freescale.net.cn
AO4832
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=10A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=8A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=10A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.5
55
10.8
15.5
14
43
0.75
1
2.5
610
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
88
40
0.8
11
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=10A
5
760
125
70
1.6
14
6.6
2.4
3
4.4
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.5,
R
根
=3
I
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
1in
2
民
30
典型值
最大
单位
V
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
1
5
100
1.9
2.5
13
19
17.5
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
910
160
100
2.4
17
8
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
9
17
6
5.6
6.4
7
8
8
9.6
体二极管反向恢复电荷我
F
= 10A ，的di / dt = 500A / μs的
ns
nC
的R A的值
θJA
测与该设备安装在
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2010年1月
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第2 6
AO4832
典型的电气和热特性
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
R
θJA
=90°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
单脉冲
T
on
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图12 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
T
0.01
冯0 ： 2010年1月
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