AO4817
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
DS
= -5V ，我
D
=-8A
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -20V ，我
D
=-8A
T
J
=125°C
-1
-40
14.1
20
17.1
44
15
-1
-2.6
1760
360
255
6.4
30
7
8
12.5
10.5
40
23
24
16
2200
18
25
21
-2.8
民
-30
-1
-5
±1
-3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
30
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
8
38
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-8A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= -8A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= -8A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
第2版： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4817
典型的电气和热特性
30
-10V
-6V
20
-I
D
(A)
15
-4.5V
10
V
GS
=-4V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
20
19
R
DS （ ON）
(m
)
18
17
16
15
14
0
5
10
15
20
25
-I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
1.0E+01
I
D
=-8A
1.0E+00
1.0E-01
-I
S
(A)
125°C
V
GS
=-20V
归一化的导通电阻
V
GS
=-10V
1.6
V
GS
=-20V
ID=-8A
V
GS
=-10V
ID=-8A
5
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
25°C
-I
D
(A)
10
125°C
25
-5V
20
V
DS
=-5V
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
60
50
R
DS （ ON）
(m
)
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
40
1.0E-02
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1.0E-03
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
30
性能和可靠性，恕不另行通知。 125°C
1.0E-04
25°C
20
1.0E-05
25°C
10
0
5
10
15
20
-V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4817
典型的电气和热特性
10
8
-V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2500
V
DS
=-15V
I
D
=-8A
电容（pF）
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
国际空间站
100.0
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
0.1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
1s
10s
DC
功率（W）的
10s
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
P
D
性能和可靠性，恕不另行通知。
0.1
T
on
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4817
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
V
DS
= -5V ，我
D
=-8A
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -20V ，我
D
=-8A
T
J
=125°C
-1
-40
14.1
20
17.1
44
15
-1
-2.6
1760
360
255
6.4
30
7
8
12.5
10.5
40
23
24
16
2200
18
25
21
-2.8
民
-30
-1
-5
±1
-3
典型值
最大
单位
V
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
30
ns
nC
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
8
38
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-8A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= -8A ，的di / dt = 100A / μs的
体二极管反向恢复电荷我
F
= -8A ，的di / dt = 100A / μs的
2
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
第2版： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4817
典型的电气和热特性
30
-10V
-6V
20
-I
D
(A)
15
-4.5V
10
V
GS
=-4V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
20
19
R
DS （ ON）
(m
)
18
17
16
15
14
0
5
10
15
20
25
-I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
1.0E+01
I
D
=-8A
1.0E+00
1.0E-01
-I
S
(A)
125°C
V
GS
=-20V
归一化的导通电阻
V
GS
=-10V
1.6
V
GS
=-20V
ID=-8A
V
GS
=-10V
ID=-8A
5
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
25°C
-I
D
(A)
10
125°C
25
-5V
20
V
DS
=-5V
1.4
1.2
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
60
50
R
DS （ ON）
(m
)
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
40
1.0E-02
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1.0E-03
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
30
性能和可靠性，恕不另行通知。 125°C
1.0E-04
25°C
20
1.0E-05
25°C
10
0
5
10
15
20
-V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4817
典型的电气和热特性
10
8
-V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2500
V
DS
=-15V
I
D
=-8A
电容（pF）
2000
1500
1000
C
OSS
500
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
RSS
C
国际空间站
100.0
R
DS （ ON）
有限
100s
1ms
10ms
0.1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
1s
10s
DC
功率（W）的
10s
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
（安培）
10.0
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
P
D
性能和可靠性，恕不另行通知。
0.1
T
on
0.01
0.00001
单脉冲
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4817
双路25V P沟道MOSFET
概述
该AO4817采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和超低低栅极
充电用25V的栅极评级。这个装置是适合于用作负载开关或PWM应用。该
器件的ESD保护。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -8A （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
< 18MΩ （V
GS
= -20V)
R
DS （ ON）
< 21mΩ （V
GS
= -10V)
ESD额定值： 1.5KV HBM
SOIC-8
顶视图
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D1
D2
G1
S1
G2
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
功耗
A
B
最大
-30
±25
-8
-6.9
-40
2
1.44
-55到150
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
T
A
=25°
C
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
W
°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
50
73
31
最大
62.5
110
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/4
www.freescale.net.cn
AO4817
双路25V P沟道MOSFET
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -10V ，我
D
=-8A
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-4A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= -5V ，我
D
=-8A
I
S
=-1A,V
GS
=0V
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°
C
V
DS
=0V, V
GS
=±25V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -20V ，我
D
=-8A
T
J
=125°
C
-1
-40
14.1
20
17.1
44
15
-1
-2.6
1760
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
360
255
6.4
30
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-8A
7
8
12.5
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=1.8,
R
根
=3
I
F
= -8A ，的di / dt = 100A / μs的
2
民
-30
典型值
最大
单位
V
-1
-5
±1
-2.8
-3
18
25
21
A
A
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
最大体二极管连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
2200
8
38
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= -8A ，的di / dt = 100A / μs的
10.5
40
23
24
16
30
ns
nC
答： R的值
θJA
测定用安装在1英寸FR-4板2盎司的设备。铜，在静止空气环境与
T
A
= 25° ，在任何一个给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10s
C.
热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
曲线提供了单个脉冲的评价。
启3 ： 2010年11月
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
C.
2/4
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AO4817
双路25V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
30
-10V
-6V
20
-I
D
(A)
15
-4.5V
10
V
GS
=-4V
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
20
V
GS
=-10V
19
R
DS （ ON）
(m
)
18
17
16
15
14
0
5
10
15
20
25
-I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
归一化的导通电阻
1.4
V
GS
=-20V
ID=-8A
V
GS
=-10V
ID=-8A
1.6
5
25°C
-I
D
(A)
125°C
-5V
20
25
V
DS
=-5V
10
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
-V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
1.2
V
GS
=-20V
1
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
60
I
D
=-8A
50
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
125°C
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
1.0E-03
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
30
性能和可靠性，恕不另行通知。 125°C
1.0E-04
25°C
20
1.0E-05
25°C
10
0
5
10
15
20
-V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
3/4
-I
S
(A)
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
1.0E-02
40
R
DS （ ON）
(m
)
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AO4817
双路25V P沟道MOSFET
典型的电气和热特性
10
V
DS
=-15V
I
D
=-8A
电容（pF）
2500
8
-V
GS
（伏）
2000
C
国际空间站
6
1500
4
1000
C
OSS
500
C
RSS
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
-Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100.0
R
DS （ ON）
有限
-I
D
（安培）
10.0
100s
1ms
10ms
0.1s
1.0
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
0.1
1
-V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
1s
10s
DC
功率（W）的
10s
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
P
D
性能和可靠性，恕不另行通知。
0.1
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
4/4
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