AO4800A
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4800A采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
和同步整流器组合在降压使用
转换器。
标准产品AO4800A是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4800AL
是一种绿色产品订购选项。 AO4800A和
AO4800AL是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 27mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下（V
GS
= 2.5V)
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G1
D1
D2
SOIC-8
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
V
GS
最大
30
±12
6.9
5.8
40
1.9
1.2
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
55
90
40
最大
62.5
110
48
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4800A
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
10
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
0.7
40
20
25
23
34
26
0.71
1
4.5
900
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
88
65
0.95
10
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.5A
1.8
3.75
3.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=6
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
3.5
21.5
2.7
16.8
8
20
12
1.5
12
1100
27
40
32
50
1
民
30
0.002
1
5
100
1.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
冯0 ： 2006年1月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4800A
典型的电气和热特性
60
50
40
I
D
(A)
30
2.5V
20
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
60
1.7
50
R
DS （ ON）
(m
)
40
30
20
V
GS
=10V
10
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
归一化的导通电阻
V
GS
=2.5V
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5
V
GS
=10V
V
GS
=2.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
V
GS
=2V
10V
4.5V
3V
I
D
(A)
16
12
125°C
8
25°C
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
V
DS
=5V
20
V
GS
=4.5V
100
90
80
R
DS （ ON）
(m
)
70
60
50
125°C
I
S
(A)
I
D
=6.9A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
125°C
40
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
25°C
1.0E-04
组件IN25 ° C支持设备或系统的未经授权。 AOS不承担任何责任
生活
30
1.0E-05
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
20
性能和可靠性，恕不另行通知。
1.0E-06
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4800A
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
200
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1400
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
1200
1000
800
600
400
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
100.0
R
DS （ ON）
有限
I
D
（安培）
10.0
10s
1.0
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
50
40
功率（W）的
30
20
10
0
100
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1ms
10ms
10s
1s
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
P
D
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
0.1
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
T
on
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
T
单脉冲
性能和可靠性，恕不另行通知。
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4800A
双N沟道增强型场效应晶体管
概述
该AO4800A采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
两个MOSFET进行紧凑和高效的开关
和同步整流器组合在降压使用
转换器。
标准产品AO4800A是Pb-free
（符合ROHS &索尼259规格） 。 AO4800AL
是一种绿色产品订购选项。 AO4800A和
AO4800AL是电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 27mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 32mΩ （V
GS
= 4.5V)
R
DS （ ON）
< 50mΩ以下（V
GS
= 2.5V)
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G1
D1
D2
SOIC-8
G2
S1
S2
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
连续漏极
当前
A
漏电流脉冲
B
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
V
GS
最大
30
±12
6.9
5.8
40
1.9
1.2
-55到150
单位
V
V
A
W
°C
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
55
90
40
最大
62.5
110
48
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4800A
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
R
DS （ ON）
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= 4.5V ，我
D
=6A
V
GS
= 2.5V ，我
D
=5A
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=5A
10
二极管的正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
0.7
40
20
25
23
34
26
0.71
1
4.5
900
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
88
65
0.95
10
V
GS
=4.5V, V
DS
= 15V ，我
D
=8.5A
1.8
3.75
3.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.8,
R
根
=6
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 5A ，的di / dt = 100A / μs的
3.5
21.5
2.7
16.8
8
20
12
1.5
12
1100
27
40
32
50
1
民
30
0.002
1
5
100
1.5
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
冯0 ： 2006年1月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4800A
典型的电气和热特性
60
50
40
I
D
(A)
30
2.5V
20
10
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
（伏）
图1 ：在区域特征
60
1.7
50
R
DS （ ON）
(m
)
40
30
20
V
GS
=10V
10
0
5
10
15
20
I
D
(A)
图3 ：导通电阻与漏电流和
栅极电压
归一化的导通电阻
V
GS
=2.5V
1.5
1.3
1.1
0.9
0.7
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
温度（℃）
图4 ：导通电阻与结
温度
V
GS
=4.5
V
GS
=10V
V
GS
=2.5V
V
GS
=2.5V
V
GS
=10V
V
GS
=4.5V
V
GS
=2V
10V
4.5V
3V
I
D
(A)
16
12
125°C
8
25°C
4
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
（伏）
图2 ：传输特性
V
DS
=5V
20
V
GS
=4.5V
100
90
80
R
DS （ ON）
(m
)
70
60
50
125°C
I
S
(A)
I
D
=6.9A
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
125°C
40
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
25°C
1.0E-04
组件IN25 ° C支持设备或系统的未经授权。 AOS不承担任何责任
生活
30
1.0E-05
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
20
性能和可靠性，恕不另行通知。
1.0E-06
10
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
2
4
6
8
10
V
GS
（伏）
图5 ：导通电阻与栅源电压
V
SD
（伏）
图6 ：体二极管的性能
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4800A
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏）
3
2
1
200
0
0
2
4
6
8
10
12
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
1400
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
1200
1000
800
600
400
C
RSS
C
OSS
C
国际空间站
100.0
R
DS （ ON）
有限
I
D
（安培）
10.0
10s
1.0
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
50
40
功率（W）的
30
20
10
0
100
0.0001 0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1ms
10ms
10s
1s
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
P
D
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
0.1
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
T
on
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
T
单脉冲
性能和可靠性，恕不另行通知。
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
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