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SRFET
TM
AO4726
N沟道增强型网络场效晶体管
TM
概述
SRFET
该AO4726 / L采用先进沟道
技术具有单片集成的肖特基
二极管以提供优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。
此装置适合于用作低侧FET在
SMPS中,负载开关和通用
应用程序。
AO4726和AO4726L是电
相同的。
-RoHS标准
-AO4726L是无卤
D
S
S
S
G
D
D
D
D
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 18A (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 6MΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 7MΩ (V
GS
= 4.5V)
UIS测试!
RG ,西塞,科斯,测试的Crss
G
S
SRFET
TM
软恢复
MOSFET :
集成肖特基二极管
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
V
GS
栅源电压
连续漏极
当前
AF
漏电流脉冲
雪崩电流
B
B
B
最大
单位
V
30
±12
18
14
80
42
265
3.1
2.0
-55到150
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
帝斯曼
I
DM
I
AR
E
AR
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
T
A
=25°C
A
重复雪崩能量L = 0.3mH
功耗
T
A
=70°C
mJ
W
°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
符号
t
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
32
60
17
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
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AO4726
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ,我
D
=17A
正向跨导
V
DS
= 5V ,我
D
=18A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管+肖特基连续电流
条件
I
D
= 250uA ,V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ,我
D
=18A
T
J
=125°C
1.4
80
4.5
7
5.3
90
0.36
0.5
5.5
3940
V
GS
=0V, V
DS
= 15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
590
255
0.72
72.8
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,我
D
=18A
35.0
10.4
12.4
9.8
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ,R
L
=0.83,
R
=3
I
F
= 18A ,的di / dt = 300A / μs的
I
F
= 18A ,的di / dt = 300A / μs的
8.4
45
10
36
32
43
1.1
95
5120
6
9
7
1.75
30
0.1
10
±100
2.3
典型值
最大
单位
V
mA
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
( 10V )总栅极电荷
Q
g
( 4.5V ),总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
答: R的值
θJA
测定用安装在1英寸2 FR-4板2盎司的设备。铜,在静止空气环境与
T
A
= 25°C 。在任何给定应用程序中的值取决于用户的具体的电路板设计。
±12
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T = 25 ℃。在SOA曲线
A
提供了单一的脉冲等级。
F.额定电流是基于T≤ 10秒结到环境的热阻率。
转2 : 2008年5月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利,
性能和可靠性,恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4726
典型的电气和热特性
80
V
GS
=10V
25
60
20
I
D
(A)
40
I
D
(A)
V
GS
=3V
15
10
20
V
GS
=2.5V
0
0
1
2
3
4
5
V
DS
(伏)
5
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
(伏)
图2 :传输特性
2
归一化的导通电阻
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
30
60
90
120
150
180
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
I
D
=17A
V
GS
=4.5V
I
D
=18A
V
GS
=10V
125°
25°C
30
V
DS
=5V
动力参数
图1 :在区域特征
8
7
R
DS ( ON)
(m
)
V
GS
=4.5V
5
V
GS
=10V
4
2
0
5
10
15
20
25
30
I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
±12
14
I
D
=18A
12
10
8
6
4
2
2
4
6
8
10
V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
25°C
125°C
是( A)
1.0E+02
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
VSD (伏)
图6 :体二极管的性能
25°C
125°C
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
R
DS ( ON)
(m
)
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AO4726
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
(伏)
6
4
2
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=18A
电容(pF)
6000
5000
C
国际空间站
4000
3000
2000
1000
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
(伏)
图8 :电容特性
C
OSS
C
RSS
动力参数
1000.0
100.0
I
D
(安培)
功率(W)的
10.0
1.0
0.1
0.0
0.01
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
DC
R
DS ( ON)
有限
10s
100
1ms
10ms
0.1s
1s
10s
100
80
60
40
20
0
0.0001
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
V
DS
(伏)
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
±12
脉冲宽度(S )
Figure10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
0.1
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
P
D
T
on
T
100
1000
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗(注五)
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    联系人:杨小姐
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    AO4726
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    -
    -
    -
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AO4726
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联系人:王云
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AO4726
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联系人:朱先生
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AOS
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AO
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电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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24+
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