AO4710
N沟道增强型网络场效晶体管
SRFET
TM
TM
概述
SRFET
该AO4710采用先进的沟槽
技术具有单片集成的肖特基
二极管以提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅
费。此装置适合于用作低侧
FET的开关电源，负荷开关和一般用途
应用程序。
标准产品AO4710是Pb-free （符合ROHS &
索尼259规格） 。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 12.7A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 11.8mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 14.2mΩ （V
GS
= 4.5V)
UIS测试！
RG ，西塞，科斯，测试的Crss
D
S
S
S
G
D
D
D
D
G
S
SRFET
TM
软恢复
MOSFET ：
集成肖特基二极管
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
漏源电压
V
DS
栅源电压
连续漏极
AF
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
B
最大
30
±12
12.7
10
60
22
73
3.1
2.0
-55到150
单位
V
V
A
A
A
mJ
W
°C
V
GS
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
帝斯曼
I
DM
I
AR
E
AR
P
帝斯曼
T
J
, T
英镑
重复雪崩能量L = 0.3mH
T
A
=25°C
功耗
T
A
=70°C
结温和存储温度范围
热特性
参数
A
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
符号
T = 10秒
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
32
60
17
最大
40
75
24
单位
° C / W
° C / W
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4710
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=11A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=12.7A
I
S
=1A,V
GS
=0V
二极管的正向电压
最大体二极管+肖特基连续电流
条件
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=12.7A
T
J
=125°C
1.5
60
9.8
15.2
11.7
78
0.38
0.5
5
1980
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
317
111
1.3
33
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=12.7A
15.0
5.3
6.0
5.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.2,
R
根
=3
I
F
= 12.7A ，的di / dt = 300A / μs的
5.5
27.0
4.3
11.2
7
13
2.0
43
20
2376
11.8
19.0
14.2
1.9
民
30
0.02
6
0.1
20
0.1
2.3
典型值
最大
单位
V
mA
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 12.7A ，的di / dt = 300A / μs的
答： R的值
θJA
测量withthe设备安装在1英寸
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°C.
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
REV1 ： 2007年6月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
www.aosmd.com
AO4710
典型的电气和热特性
10
8
电容（pF）
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=12.7A
3000
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
C
RSS
500
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
动力参数
100.0
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1.0
10ms
DC
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1ms
100
功率（W）的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.0
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
Figure10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
0.001
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
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AO4710
电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
T
J
=125°
C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=12.7A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=11A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=12.7A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.5
60
9.8
15.2
11.7
78
0.38
0.5
5
1980
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
317
111
1.3
33
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=12.7A
15.0
5.3
6.0
5.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.2,
R
根
=3
I
F
= 12.7A ，的di / dt = 300A / μs的
5.5
27.0
4.3
11.2
7
13
2.0
43
20
2376
11.8
19.0
14.2
1.9
民
30
0.02
6
0.1
20
0.1
2.3
典型值
最大
单位
V
mA
A
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管+肖特基连续电流
动力参数
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 12.7A ，的di / dt = 300A / μs的
答： R的值
θJA
测量withthe设备安装在1英寸
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°的值
C.
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
=150°
C.
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用<300获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
C.
E.这些测试使用安装在1 2 FR-4板2盎司的装置进行。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°上的SOA
曲线提供了单个脉冲的评价。
F的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
Rev4 ：十一月2010
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
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AO4710
典型的电气和热特性
10
8
电容（pF）
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=12.7A
3000
2500
C
国际空间站
2000
1500
1000
C
RSS
500
0
0
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
C
OSS
动力参数
100.0
10s
10.0
I
D
（安培）
R
DS （ ON）
有限
1.0
10ms
DC
0.1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1ms
100
功率（W）的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.0
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
0
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
脉冲宽度（S ）
Figure10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=75°C/W
0.01
0.1
1
P
D
T
on
T
100
1000
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注五）
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