AO4704
N沟道增强型场效应晶体管与
肖特基二极管
概述
该AO4704采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，直通免疫力，
体二极管characteristics.This装置适用于
使用如在PWM应用一个同步开关。
在共同封装的肖特基二极管提高了效率
进一步。
AO4704是Pb-free （符合ROHS &索尼
259规格） 。 AO4704L是一个绿色产品
订购选项。 AO4704和AO4704L是
电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 13 A（V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 11.5mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 13mΩ （V
GS
= 4.5V)
肖特基
VDS （V）= 30V， IF = 3A， VF<0.5V@1A
SOIC-8
S / A
S / A
S / A
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D / K
D / K
D / K
D / K
D
K
G
S
A
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
符号
参数
MOSFET
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±12
T
A
=25°C
13
I
D
连续漏电流
A
T
A
=70°C
10.4
I
DM
漏电流脉冲
B
40
V
KA
肖特基反向电压
连续正向电流
A
脉冲二极管正向电流
B
功耗
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
3.1
2
-55到150
肖特基
单位
V
V
A
30
4.4
3.2
30
3.1
2
-55到150
V
A
W
°C
结温和存储温度范围
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4704
热特性
参数
A
最大结点到环境
A
最大结点到环境
C
最大结对铅
热特性：肖特基
参数
A
最大结点到环境
A
最大结点到环境
C
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
28
54
21
最大
40
75
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
36
67
25
最大
40
75
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们提供的净正向压降
MOSFET和肖特基的电容和恢复特性。然而，热敏电阻被指定为每个芯片
分开。
Rev5 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键部件
生命支持设备或系统的未经授权。 AOS不承担此类应用程序的任何责任ARISINGOUT
或使用其产品。 AOS保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知。
AO4704
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流。
（由肖特基二极管的泄漏设置）
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=12.2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=13A
30
二极管+肖特基正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管+肖特基连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°C
V
R
= 30V ，T
J
=150°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，ID = 13A
T
J
=125°C
0.6
40
9.1
13.3
10.5
37
0.45
0.5
5
3656
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
322
168
0.86
30.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=13A
4.6
8.6
6.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.1,
R
根
=0
I
F
= 13A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 13A ，的di / dt = 100A / μs的
4.8
55
7.3
20.3
8.4
9
7
75
11
25
12.5
1.1
36
4050
11.5
16.5
13
1.1
民
30
0.007
3.2
12
0.05
10
20
100
2
mA
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
典型值
最大
单位
V
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容（ FET +肖特基）
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管+肖特基反向恢复时间
体二极管+肖特基反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在任意的值
给定的应用取决于用户的具体电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局提供的曲线
单个脉冲的评价。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们所提供的净正向压降，电容
和恢复MOSFET和肖特基特性。然而，热敏电阻被分别指定为每个芯片
Rev5 ： 2005年8月。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4704
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
C
RSS
0
0
10
20
30
40
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
V
DS
=15V
I
D
=13A
电容（pF
)
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
FET +肖特基
100
R
DS （ ON）
有限
10
I
D
(A)
10ms
1s
1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
10s
DC
10
10s
100s
功率（W）的
100
1ms
0.1s
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全工作
区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4704
N沟道增强型场效应晶体管与
肖特基二极管
概述
该AO4704采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS （ ON）
，直通免疫力，
体二极管characteristics.This装置适用于
使用如在PWM应用一个同步开关。
在共同封装的肖特基二极管提高了效率
进一步。
AO4704是Pb-free （符合ROHS &索尼
259规格） 。 AO4704L是一个绿色产品
订购选项。 AO4704和AO4704L是
电相同。
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 13 A（V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 11.5mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 13mΩ （V
GS
= 4.5V)
肖特基
VDS （V）= 30V， IF = 3A， VF<0.5V@1A
SOIC-8
S / A
S / A
S / A
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D / K
D / K
D / K
D / K
D
K
G
S
A
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
符号
参数
MOSFET
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±12
T
A
=25°C
13
I
D
连续漏电流
A
T
A
=70°C
10.4
I
DM
漏电流脉冲
B
40
V
KA
肖特基反向电压
连续正向电流
A
脉冲二极管正向电流
B
功耗
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
3.1
2
-55到150
肖特基
单位
V
V
A
30
4.4
3.2
30
3.1
2
-55到150
V
A
W
°C
结温和存储温度范围
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4704
热特性
参数
A
最大结点到环境
A
最大结点到环境
C
最大结对铅
热特性：肖特基
参数
A
最大结点到环境
A
最大结点到环境
C
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
28
54
21
最大
40
75
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
36
67
25
最大
40
75
30
单位
° C / W
° C / W
° C / W
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们提供的净正向压降
MOSFET和肖特基的电容和恢复特性。然而，热敏电阻被指定为每个芯片
分开。
Rev5 ： 2005年8月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键部件
生命支持设备或系统的未经授权。 AOS不承担此类应用程序的任何责任ARISINGOUT
或使用其产品。 AOS保留改进产品的设计，性能和可靠性，恕不另行通知。
AO4704
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流。
（由肖特基二极管的泄漏设置）
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=12.2A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=13A
30
二极管+肖特基正向电压
I
S
=1A,V
GS
=0V
最大体二极管+肖特基连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
R
=30V
V
R
= 30V ，T
J
=125°C
V
R
= 30V ，T
J
=150°C
V
DS
=0V, V
GS
= ±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，ID = 13A
T
J
=125°C
0.6
40
9.1
13.3
10.5
37
0.45
0.5
5
3656
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
322
168
0.86
30.5
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=13A
4.6
8.6
6.2
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=1.1,
R
根
=0
I
F
= 13A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 13A ，的di / dt = 100A / μs的
4.8
55
7.3
20.3
8.4
9
7
75
11
25
12.5
1.1
36
4050
11.5
16.5
13
1.1
民
30
0.007
3.2
12
0.05
10
20
100
2
mA
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
典型值
最大
单位
V
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容（ FET +肖特基）
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管+肖特基反向恢复时间
体二极管+肖特基反向恢复电荷
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在任意的值
给定的应用取决于用户的具体电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局提供的曲线
单个脉冲的评价。
F的肖特基势出现在与MOSFET的体二极管并联，即使它是一个单独的芯片中。因此，我们所提供的净正向压降，电容
和恢复MOSFET和肖特基特性。然而，热敏电阻被分别指定为每个芯片
Rev5 ： 2005年8月。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4704
典型的电气和热特性
5
4
V
GS
（伏
s)
3
2
1
C
RSS
0
0
10
20
30
40
QG （ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
100
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
V
DS
=15V
I
D
=13A
电容（pF
)
10000
C
国际空间站
1000
C
OSS
FET +肖特基
100
R
DS （ ON）
有限
10
I
D
(A)
10ms
1s
1
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
0.1
1
10s
DC
10
10s
100s
功率（W）的
100
1ms
0.1s
50
40
30
20
10
0
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全工作
区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=40°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
飞思卡尔
模拟电源
AO4704 / MC4704
AM4430N
规格（T
A
= 25°C除非另有说明）
帕拉梅德
STATIC
门THRES保持电压
门体漏
零栅极电压漏极电流
通态漏电流
A
o
符号
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
I
A
特S T条件
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250微安
V
DS
= 0 V, V
GS
= 12 V
范围
单位
最小典型最大
1
±100
o
V
nA
uA
A
13.5
20
m
S
V
1
25
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 24 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 55 C
D（上）
漏源- RES是tance
转发Tranconductance
二极管的正向电压
A
r
DS （ ON）
g
fs
V
SD
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V = 5 V, V = 10 V
DS
GS
V
GS
= 10 V，I
D
= 10 A
V
GS
= 4.5 V，I
D
= 8 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 15 A，T
J
= 55 C
V = 15 V ，I = 10 A
DS
D
I
S
= 2.3 A，V
GS
= 0 V
o
20
15
40
0.7
12.5
2.6
4.6
20
9
70
20
nC
动态
b
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
= 15 V, V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 10 A
开关
导通延迟时间
RIS E时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
V
DD
= 25 V ，R
L
= 25 , I
D
= 1 A,
V
根
= 10 V
nS
笔记
a.
脉冲测试： PW < = 300US占空比< = 2 ％ 。
b.
通过设计保证，不受生产测试。
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应用或使用任何产品或电路，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或
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应用程序由客户的技术专家。 FREESCALE不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。
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