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2001年7月
AO4701
P沟道增强型场效应晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO4701采用先进的沟槽技术
提供了优秀的研发
DS ( ON)
和低栅极电荷。一
肖特基二极管被设置,以方便
实现双向无阻塞交换的。
特点
V
DS
(V) = -30V
I
D
= -5A
R
DS ( ON)
< 49mΩ (V
GS
= 10V)
R
DS ( ON)
< 64mΩ (V
GS
= 4.5V)
R
DS ( ON)
< 120MΩ (V
GS
= 2.5V)
肖特基
V
DS
(V ) = 30V ,我
F
= 3A ,V
F
=0.5V@1A
D
K
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
G
SOIC-8
S
A
绝对最大额定值中T = 25 ° C除非另有说明
A
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
-30
±12
-5
-4.2
-30
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
功耗
结温和存储温度范围
参数:热特性MOSFET
t
10s
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
2
1.44
-55到150
典型值
48
74
35
49
72
37
30
4.4
3.2
30
2
1.44
-55到150
最大
62.5
110
40
62.5
110
42
V
A
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
10s
稳态
稳态
最大结点到环境
° C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4701
电气特性(T
J
= 25 ° C除非另有说明)
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
I
D(上)
R
DS ( ON)
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
条件
I
D
= -250μA ,V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±12V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250A
V
GS
=-4.5V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ,我
D
=-5A
静态漏源导通电阻
T
J
=125°C
V
GS
= -4.5V ,我
D
=-4A
V
GS
= -2.5V ,我
D
=-1A
V
DS
= -5V ,我
D
=-5A
54
7
83
11
-0.75
-0.7
-25
42.5
49
74
64
120
-1
-3
-1
-30
-1
-5
±100
-1.3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
0.5
0.05
10
20
V
mA
pF
g
FS
V
SD
I
S
正向跨导
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D(上)
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D(关闭)
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
V
GS
=0V, V
DS
= -15V , F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V , F = 1MHz的
952
103
77
5.9
9.5
2
3.1
12
4
37
12
21
13
0.45
0.007
3.2
12
37
V
GS
=-4.5V, V
DS
= -15V ,我
D
=-4A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ,R
L
=3.6,
R
=6
I
F
= -5A ,的di / dt = 100A / μs的
Q
rr
体二极管反向恢复电荷我
F
= -5A ,的di / dt = 100A / μs的
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
F
=1.0A
V
R
=30V
I
rm
V
R
= 30V ,T
J
=125°C
最大反向漏电流
V
R
= 30V ,T
J
=150°C
C
T
结电容
V
R
=15V
答: R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
10秒热阻
投资评级。
B:重复评级,脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗,从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
图D.静态特性1 6,12,14使用80获得
s
脉冲占空比0.5 %以下。
2
E.这些测试使用安装在1 FR-4板用2盎司的装置进行。铜,在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA
id
I L
l
ti
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4701
典型的电气和热特性
25
-10V
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
5
-V
DS
(伏)
图1 :在区域特征
120
归一化的导通电阻
100
R
DS ( ON)
(m
)
80
60
40
V
GS
=-10V
20
0
2
4
6
8
10
0.8
0
25
50
75
100
125
150
175
温度(℃)
图4 :导通电阻与结温
-I
D
(A)
图3 :导通电阻与漏电流和门
电压
1.6
-2.5V
-4.5V
-3V
-I
D
(A)
6
-I
D
(A)
4
125°C
10
V
DS
=-5V
8
V
GS
=-2V
2
25°C
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
-V
GS
(伏)
图2 :传输特性
I
D
=-5A
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-10V
V
GS
=-2.5V
1.4
1.2
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-2.5V
I
D
=-2A
1
190
170
150
R
DS ( ON)
(m
)
130
110
90
70
50
30
10
0
2
4
6
8
10
25°C
125°C
I
D
=-2A
-I
S
(A)
1.0E+01
1.0E+00
1.0E-01
1.0E-02
1.0E-03
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-V
SD
(伏)
图6 :体二极管的性能
25°C
125°C
-V
GS
(伏)
图5 :导通电阻与栅源电压
亚尔发和奥米加半导体有限公司
AO4701
5
3
50
175
perature
1.0
STICS
1.2
亚尔发和奥米加半导体有限公司
AO4701
典型的电气和热特性
5
4
-V
GS
(伏)
3
2
1
200
0
0
2
4
6
8
10
12
-Q
g
( NC )
图7 :栅极电荷特性
0
0
5
10
15
20
25
30
-V
DS
(伏)
图8 :电容特性
V
DS
=-15V
I
D
=-5A
电容(pF)
1400
1200
1000
800
600
400
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100.0
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
R
DS ( ON)
有限
0.1s
40
10s
100s
1ms
10ms
功率(W)的
30
T
J(下最大)
=150°C
T
A
=25°C
-I
D
(安培)
10.0
20
1.0
1s
10s
DC
10
0.1
0.1
1
-V
DS
(伏)
图9 :最大正向偏置安全
工作区(注五)
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图10 :单脉冲功率额定值结点到
环境(注E)
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
,PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ,0.3 ,0.1 ,0.05 ,0.02 , 0.01 ,单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度(S )
图11 :归最大瞬态热阻抗
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    联系人:Sante Zhang/Mollie
    地址:總部地址:UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址:深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    AO4701
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    -
    -
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    终端采购配单精选

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    电话:0755-23063133/23042311
    联系人:谭小姐
    地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场58层5808室

    AO4701
    -
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    终端采购配单精选

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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋316室

    AO4701
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:19166203057
联系人:周
地址:广东省深圳市龙岗区坂田街道星河WORLD-A座2203A
AO4701
M/A-COM
21+
16500
原厂原包装
原装正品
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电话:0755-82710336 82533156年度优秀供应商
联系人:何
地址:深圳市福田区华强北路上步工业区501栋1109-1110室
AO4701
M/A-COM
24+
2000
十五年专营 金牌供应商
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电话:0755-82533156 82710336
联系人:朱经理、张小姐
地址:深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
AO4701
M/A-COM
19+
15000
十年专营,供应原装正品!热卖现货!
QQ: 点击这里给我发消息 点击这里给我发消息
电话:0755-82563615/82563213
联系人:朱先生/王小姐
地址:深圳华强北上步204栋520室
AO4701
MINI
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1175
射频微波器件
mini原装正品!
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电话:0755-28013727
联系人:朱先生
地址:深圳市龙华区龙华街道清华社区和平路62号优鼎企创园办公楼C栋5层502
AO4701
M/A-COM
23+
20000
NA
百分百原装现货,实单可谈!
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电话:0755-83051566
联系人:李小姐
地址:深圳市宝安区河东工业区A栋313-318
AO4701
MACOM
22+
32570
SOP16
进口原装公司现货
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电话:0755-83376489 83376282 83376549 83600718
联系人:销售部
地址:广东省深圳市深圳南山区科技园产学研楼706
AO4701
M/A-COM
23+
NA
进口原装特价特价特价优惠
1000¥/片,普通
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
AO4701
MACOM
22+
32570
SOP16
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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