AO4700
N沟道增强型网络场效晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO4700采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于双向的实施
堵塞开关，或用于非同步DC-DC转换
应用程序。
标准产品AO4700是Pb-free （符合
ROHS &索尼259规格） 。 AO4700L是绿色
产品订购选项。 AO4700和AO4700L是
电相同。
D
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 28mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 42mΩ （V
GS
= 4.5V)
肖特基
V
DS
（V ） = 30V ，我
F
= 4A ，V
F
<0.5V@3A
K
G
S
A
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
30
±20
6.9
5.8
30
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
A
t
≤
10s
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
2
1.28
-55到150
典型值
48
74
35
44
73
31
30
4
2.6
40
2
1.28
-55到150
最大
62.5
110
40
62.5
110
40
V
A
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
≤
10s
稳态
稳态
° C / W
AO4700
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.0A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.9A
10
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
22.5
31.3
34.5
15.4
0.76
1
3
680
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
102
77
3
13.84
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=6.9A
6.74
1.82
3.2
4.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.2,
R
根
=3
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=3.0A
V
R
=24V
V
R
= 24V ，T
J
=125°C
V
R
= 24V ，T
J
=150°C
C
T
结电容
V
R
=15V
4.1
20.6
5.2
16.5
7.8
0.45
0.07
4.2
15
120
0.5
0.15
20
60
pF
mA
28
38
42
1.9
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
最大反向漏电流
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
启3 ： 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
AO4700
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
R
DS （ ON）
有限
10
I
D
（安培）
1ms
10ms
0.1s
1
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100s
10s
功率W
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
100
1000
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
AO4700
典型的电特性和热特性：肖特基
1.00E+01
125°C
500
电容（pF）
1.00E+00
I
F
（安培）
400
300
200
100
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
5
10
15
20
25
30
V
F
（伏）
图12 ：肖特基正向特性
V
KA
（伏）
图13 ：肖特基电容特性
600
F = 1MHz的
1.00E-01
1.00E-02
25°C
1.00E-03
0.7
0.6
0.5
0.4
I
F
=3A
0.3
0.2
0.1
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
1.0E-01
I
F
=5A
1.0E-02
1.0E-03
V
R
=24V
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图15 ：肖特基泄漏电流与结
温度
图14 ：肖特基正向压降与
结温
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/(T
on
+T
关闭
)
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
漏电流（ A）
V
F
（伏）
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
关闭
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：肖特基归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4700
N沟道增强型网络场效晶体管
与肖特基二极管
概述
该AO4700采用先进的沟槽技术，提供
优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。肖特基二极管
提供便于双向的实施
堵塞开关，或用于非同步DC-DC转换
应用程序。
标准产品AO4700是Pb-free （符合
ROHS &索尼259规格） 。 AO4700L是绿色
产品订购选项。 AO4700和AO4700L是
电相同。
D
A
A
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
K
K
D
D
特点
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 28mΩ （V
GS
= 10V)
R
DS （ ON）
< 42mΩ （V
GS
= 4.5V)
肖特基
V
DS
（V ） = 30V ，我
F
= 4A ，V
F
<0.5V@3A
K
G
S
A
SOIC-8
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
符号
V
DS
漏源电压
栅源电压
T
A
=25°C
连续漏电流
漏电流脉冲
B
A
MOSFET
30
±20
6.9
5.8
30
肖特基
单位
V
V
A
V
GS
T
A
=70°C
I
D
I
DM
V
KA
T
A
=25°C
A
肖特基反向电压
连续正向电流
脉冲正向电流
功耗
结温和存储温度范围
参数：热特性MOSFET
A
t
≤
10s
最大结点到环境
最大结点到环境
A
最大结对铅
C
热特性肖特基
最大结点到环境
最大结点到环境
最大结对铅
C
A
A
B
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
I
F
I
FM
P
D
T
J
, T
英镑
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
2
1.28
-55到150
典型值
48
74
35
44
73
31
30
4
2.6
40
2
1.28
-55到150
最大
62.5
110
40
62.5
110
40
V
A
W
°C
单位
° C / W
稳态
稳态
t
≤
10s
稳态
稳态
° C / W
AO4700
电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.0A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.9A
10
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
T
J
=125°C
1
20
22.5
31.3
34.5
15.4
0.76
1
3
680
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
102
77
3
13.84
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=6.9A
6.74
1.82
3.2
4.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.2,
R
根
=3
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
=3.0A
V
R
=24V
V
R
= 24V ，T
J
=125°C
V
R
= 24V ，T
J
=150°C
C
T
结电容
V
R
=15V
4.1
20.6
5.2
16.5
7.8
0.45
0.07
4.2
15
120
0.5
0.15
20
60
pF
mA
28
38
42
1.9
民
30
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
V
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
肖特基参数
V
F
正向电压降
I
rm
最大反向漏电流
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在该值
任何给定的应用程序依赖于用户的特定电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。在SOA曲线
提供了单一的脉冲等级。
启3 ： 2005年9月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
AO4700
典型的电气和热特性
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
1000
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
C
国际空间站
f=1MHz
V
GS
=0V
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
100
R
DS （ ON）
有限
10
I
D
（安培）
1ms
10ms
0.1s
1
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
100s
10s
功率W
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
20
10
100
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
100
1000
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
AO4700
典型的电特性和热特性：肖特基
1.00E+01
125°C
500
电容（pF）
1.00E+00
I
F
（安培）
400
300
200
100
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
0
5
10
15
20
25
30
V
F
（伏）
图12 ：肖特基正向特性
V
KA
（伏）
图13 ：肖特基电容特性
600
F = 1MHz的
1.00E-01
1.00E-02
25°C
1.00E-03
0.7
0.6
0.5
0.4
I
F
=3A
0.3
0.2
0.1
0
25
50
75
100
125
温度（℃）
150
175
1.0E-01
I
F
=5A
1.0E-02
1.0E-03
V
R
=24V
1.0E-04
1.0E-05
1.0E-06
0
25
50
75
100
125
150
175
温度（℃）
图15 ：肖特基泄漏电流与结
温度
图14 ：肖特基正向压降与
结温
10
Z
θJA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/(T
on
+T
关闭
)
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
漏电流（ A）
V
F
（伏）
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
关闭
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图15 ：肖特基归最大瞬态热阻抗
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