AO4624
互补增强型场效应晶体管
概述
该AO4624采用先进的沟槽
技术MOSFET，以提供出色的
R
DS （ ON）
和低栅极电荷。该
互补的MOSFET可用于
形成了电平偏移的高侧开关，及一
许多其它的应用程序。
标准产品
AO4624是Pb-free （符合ROHS &索尼
259规格） 。 AO4624L是绿色
产品订购选项。 AO4624和
AO4624L是电相同。
特点
N沟道
V
DS
(V) = 30V
I
D
= 6.9A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 28mΩ （V
GS
=10V)
< 42mΩ （V
GS
=4.5V)
P沟道
-30V
-6A （V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
< 35mΩ （V
GS
= -10V)
< 58mΩ （V
GS
= -4.5V)
D2
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
G2
G1
S2
D1
SOIC-8
S1
N沟道
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25 ° C除非另有说明
参数
最大的n沟道
符号
V
DS
漏源电压
30
V
GS
栅源电压
±20
连续漏极
A
当前
漏电流脉冲
功耗
B
雪崩电流
B
最大的p沟道
-30
±20
-6
-5
-30
2
1.44
20
20
-55到150
单位
V
V
A
T
A
=25°C
T
A
=70°C
T
A
=25°C
T
A
=70°C
B
6.9
I
D
I
DM
P
D
I
AR
E
AR
T
J
, T
英镑
5.8
30
2
1.44
15
11
-55到150
W
A
mJ
°C
重复雪崩能量0.1mH
结温和存储温度范围
热特性： n沟道和p沟道
参数
A
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
A
t
≤
10s
最大结点到环境
A
稳态
最大结点到环境
C
稳态
最大结对铅
符号
R
θJA
R
θJL
R
θJA
R
θJL
设备
N沟道
N沟道
N沟道
P沟道
P沟道
P沟道
典型值
48
74
35
48
74
35
最大
62.5
110
40
单位
° C / W
° C / W
° C / W
62.5 ° C / W
110℃ / W
40 C / W
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4624
N沟道电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.0A
正向跨导
V
DS
= 5V ，我
D
=6.9A
二极管的正向电压
I
S
=1A
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250μA
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
T
J
=125°C
10
1
20
1.9
23
31
34
15.4
0.76
民
30
0.002
1
5
100
3
28
38
42
1
3
885
典型值
最大
单位
V
μA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
737
115
73
3
13.84
6.74
1.82
3.2
4.6
4.1
20.6
5.2
17.9
9.8
4.5
17
8.1
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=6.9A
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.2Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
7
6
30
8
21.5
11.8
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。值
在任何给定的应用程序依赖于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻率。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
θJL
和R
θJC
是等价的术语指的是
热阻结到漏极引线。
在图D中的静态特性16使用80获得
μs
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
冯0 ： 2006年4月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4624
典型的电和热性能：N - CHANNEL
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
10
1ms
10ms
1
R
DS （ ON）
有限
0.1s
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
100μs
40
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
30
10μs
功率W
20
I
D
（安培）
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
1
0.1
P
D
T
on
单脉冲
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
T
100
1000
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4624
P沟道电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
符号
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
静态漏源导通电阻
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-5A
正向跨导
V
DS
= -5V ，我
D
=-6A
二极管的正向电压
I
S
=-1A,V
GS
=0V
最大体二极管连续电流
条件
I
D
= -250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=-250μA
V
GS
=-10V, V
DS
=-5V
V
GS
= -10V ，我
D
=-6A
T
J
=125°C
-1.2
30
-2
27
37
45
13
-0.76
民
-30
-0.003
-1
-5
±100
-2.4
35
45
58
-1
-4.2
1100
典型值
最大
单位
V
μA
nA
V
A
mΩ
mΩ
S
V
A
pF
pF
pF
Ω
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
C
RSS
反向传输电容
R
g
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷（ 10V ）
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷（ 4.5V ）
Q
gs
门源电荷
Q
gd
闸漏极电荷
t
D（上）
开启DelayTime
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
关断DelayTime
t
f
关断下降时间
t
rr
体二极管反向恢复时间
Q
rr
体二极管反向恢复电荷
V
GS
=0V, V
DS
= -15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
920
190
122
3.6
18.5
9.6
2.7
4.5
7.7
5.7
20.2
9.5
20
12.3
5.4
22.2
11.6
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，我
D
=-6A
V
GS
=-10V, V
DS
= -15V ，R
L
=2.7Ω,
R
根
=3Ω
I
F
= -6A ，的di / dt = 100A / μs的
I
F
= -6A ，的di / dt = 100A / μs的
11.5
8.5
30
14
24
15
2
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
θJA
A
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨10秒热阻
≤
10S热
投资评级。
性的评价。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
θJL
和R
θJC
是等价的术语指
到结点的热阻用80得到漏6,12,14
μs
脉冲占空比0.5 ％以下。
D.在图1的静态特性领先。
D.这些测试使用安装在1设备中进行
2
使用板2oz.duty周期0.5 ％最大。
E.图的静态特性1 6,12,14得到FR- 4 80
μs
脉冲，铜，在静止空气环境和T
A
=25°C.
2
E.这些测试withpulse等级进行。
在SOA曲线提供单个地安装在1 FR-4板用2盎司的设备。铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
冯0 ： 2006年4月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4624
N沟道电气特性（T
J
= 25 ° C除非另有说明）
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=24V, V
GS
=0V
T
J
=55°C
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=4.5V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=6.9A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=5.0A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=6.9A
I
S
=1A
10
T
J
=125°C
1
20
23
31
34
15.4
0.76
1
3
737
V
GS
=0V, V
DS
= 15V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
115
73
1.2
13.84
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，我
D
=6.9A
6.74
1.82
3.2
4.6
V
GS
=10V, V
DS
= 15V ，R
L
=2.2,
R
根
=3
I
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
4.1
20.6
5.2
17.9
9.8
7
6
30
8
21.5
11.8
2
17
8.1
885
28
38
42
1.9
民
30
0.002
1
5
100
3
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 6.9A ，的di / dt = 100A / μs的
答： R的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。的电流额定值是基于吨
≤
10秒热阻
投资评级。
B：重复评级，脉冲宽度有限的结温。
C.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
θJL
和R
θJC
是等价的术语指的是
热阻结到漏极引线。
在图D中的静态特性16使用80获得
s
脉冲占空比0.5 ％以下。
E.这些测试使用安装在1设备中进行
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。国家海洋局
曲线提供了单个脉冲的评价。
版本1 ： 2009年1月
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
AO4624
典型的电和热性能：N - CHANNEL
10
8
V
GS
（伏）
6
4
2
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
V
DS
=15V
I
D
=6.9A
电容（pF）
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
5
10
15
20
25
30
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
C
OSS
C
RSS
C
国际空间站
100
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
I
D
（安培）
10
1ms
10ms
R
DS （ ON）
有限
0.1s
1s
10s
DC
0.1
0.1
1
V
DS
（伏）
图9 ：最大正向偏置安全
工作区（注五）
10
100
100s
40
30
10s
功率W
20
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
1
10
0
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值结点到
环境（注E）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
R
θJA
=62.5°C/W
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
0.1
P
D
T
on
单脉冲
T
100
1000
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗
阿尔法&欧米茄半导体有限公司
QQ：2881677436 复制
