AO4618
N沟道电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
T
J
=125°
C
1.3
40
15.4
23.5
21
33
0.75
1
2.5
422
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1
109
11
2.2
6.4
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=8A
3.0
1.2
0.8
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 8A ， di / dt的= 500A / μs的
2
16
2.4
7.3
11
3.5
9
19
29
27
1.9
民
40
1
5
±100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8A ， di / dt的= 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
本产品的设计和合格的消费市场。应用或使用中的关键
生命支持设备或系统组件没有授权。 AOS不承担任何责任
OUT此类应用及其产品的用途。 AOS保留改进产品设计的权利，
性能和可靠性，恕不另行通知。
冯0 ： 2011年12月
www.aosmd.com
第2 9
AO4618
N沟道：典型的电气和热性能
10
500
V
DS
=20V
I
D
=8A
8
400
电容（pF）
C
国际空间站
300
V
GS
（伏）
6
4
200
C
OSS
100
2
0
0
4
6
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
8
0
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
100.0
1000
T
A
=25°C
10.0
R
DS （ ON）
有限
10s
I
D
（安培）
100s
1.0
1ms
10ms
0.1
功率（W）的
100
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
10s
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注F）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
R
θJA
=90°C/W
0.1
0.01
P
D
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
0.001
冯0 ： 2011年12月
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页面
4
9
AO4618
40V互补MOSFET
概述
该AO4618采用先进的沟槽技术，提供优秀的研发
DS （ ON）
和低栅极电荷。这
互补的N和P沟道MOSFET的配置是理想的低输入电压逆变器的应用
特点
N沟道
V
DS
= 40V
I
D
= 8A （V
GS
=10V)
R
DS （ ON）
< 19米
< 27米
(V
GS
=10V)
(V
GS
=4.5V)
P沟道
-40V
-7A （V
GS
=-10V)
R
DS （ ON）
< 23米
< 30米
(V
GS
=-10V)
(V
GS
=-4.5V)
s.
D2
顶视图
S2
G2
S1
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
D2
D2
D1
D1
D1
G2
G1
S2
S1
N沟道
P沟道
绝对最大额定值牛逼
A
= 25° ，除非另有说明
C
参数
符号
最大的n沟道
V
DS
漏源电压
40
栅源电压
连续漏极
当前
漏电流脉冲
雪崩电流
C
C
C
最大的p沟道
-40
±20
-7
-5.5
-35
-35
61
2
1.3
单位
V
V
A
A
mJ
W
°
C
V
GS
C
T
A
=25°
T
A
=70°
C
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
±20
8
6
40
15
11
2
1.3
-55到150
雪崩能量L = 0.1mH
C
T
A
=25°
功耗
B
T
A
=70°
C
结温和存储温度范围
热特性
参数
最大结点到环境
A
最大结点到环境
A D
最大结对铅
符号
t
≤
10s
稳态
稳态
R
θJA
R
θJL
典型值
48
74
32
最大
62.5
90
40
单位
°
C / W
°
C / W
°
C / W
1/9
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AO4618
40V互补MOSFET
N沟道电气特性（T
J
= 25℃除非另有说明）
C
符号
参数
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
V
DS
=40V, V
GS
=0V
C
T
J
=55°
V
DS
=0V, V
GS
=±20V
V
DS
=V
GS
I
D
=250A
V
GS
=10V, V
DS
=5V
V
GS
= 10V ，我
D
=8A
R
DS （ ON）
g
FS
V
SD
I
S
静态漏源导通电阻
V
GS
= 4.5V ，我
D
=4A
正向跨导
二极管的正向电压
V
DS
= 5V ，我
D
=8A
I
S
=1A,V
GS
=0V
C
T
J
=125°
1.3
40
15.4
23.5
21
33
0.75
1
2.5
422
V
GS
=0V, V
DS
= 20V ， F = 1MHz的
V
GS
=0V, V
DS
= 0V ， F = 1MHz的
1
109
11
2.2
6.4
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，我
D
=8A
3.0
1.2
0.8
4.5
V
GS
=10V, V
DS
= 20V ，R
L
=2.5,
R
根
=3
I
F
= 8A ， di / dt的= 500A / μs的
2
16
2.4
7.3
11
3.5
9
19
29
27
1.9
民
40
1
5
±100
2.4
典型值
最大
单位
V
A
nA
V
A
m
m
S
V
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
nC
静态参数
漏源击穿电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
I
D（上）
零栅极电压漏极电流
门体漏电流
栅极阈值电压
在国家漏极电流
最大体二极管连续电流
动力参数
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
C
RSS
R
g
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
切换参数
Q
g
（ 10V ）总栅极电荷
Q
g
（ 4.5V ），总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
t
rr
Q
rr
门源电荷
闸漏极电荷
开启DelayTime
开启上升时间
关断DelayTime
关断下降时间
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷我
F
= 8A ， di / dt的= 500A / μs的
的R A的值
θJA
测量与安装在1英寸的设备
2
FR- 4板2盎司铜，在静止空气环境和T
A
= 25°C 。该
在任何给定的应用价值取决于用户的具体的电路板设计。
B.功耗P
D
是以T
J（下最大）
= 150℃，使用
≤
10秒结到环境的热阻。
C.重复评级，脉冲宽度有限的结温度T
J（下最大）
= 150℃。额定值基于低频和占空比，以保持
initialT
J
=25°C.
D.第r
θJA
是的热阻抗，从交界处领导的R总和
θJL
并导致环境。
E.图的静态特性1 6使用<300μs脉冲占空比0.5 ％最大的获得。
F.这些曲线是基于它利用安装在1英寸的设备结点到环境的热阻抗
2
FR- 4板
2盎司铜，假设T的最高结温
J（下最大）
= 150℃。在SOA曲线提供了一个单脉冲评级。
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AO4618
40V互补MOSFET
N沟道：典型的电气和热性能
10
500
V
DS
=20V
I
D
=8A
8
400
电容（pF）
C
国际空间站
300
V
GS
（伏）
6
4
200
C
OSS
100
2
0
0
4
6
Q
g
（ NC ）
图7 ：栅极电荷特性
2
8
0
0
C
RSS
15
20
25
V
DS
（伏）
图8 ：电容特性
5
10
30
100.0
1000
T
A
=25°C
10.0
R
DS （ ON）
有限
10s
I
D
（安培）
100s
1.0
1ms
10ms
0.1
功率（W）的
100
10
T
J（下最大）
=150°C
T
A
=25°C
DC
10s
0.0
0.01
0.1
1
V
DS
（伏）
10
100
1
0.00001
0.001
0.1
10
1000
脉冲宽度（S ）
图10 ：单脉冲功率额定值Junction-
到环境（注F）
图9 ：最大正向偏置
安全工作区（注F）
10
Z
θ
JA
归一化瞬时
热阻
D =吨
on
/T
T
，PK
=T
A
+P
DM
.Z
θJA
.R
θJA
1
按降序排列
D = 0.5 ，0.3 ，0.1 ，0.05 ，0.02 ， 0.01 ，单脉冲
R
θJA
=90°C/W
0.1
0.01
P
D
T
on
T
100
1000
0.001
0.00001
0.0001
0.01
0.1
1
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脉冲宽度（S ）
图11 ：归最大瞬态热阻抗（注F）
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